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1. 发明专利

TW201709267A 清潔高深寬比通孔审中-公开
简体标题：清洁高深宽比通孔
公开(公告)号：TW201709267A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105110593
申请日：2016-04-01
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉杰 , LIU, JIE , 朴勝 , PARK, SEUNG , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 崔振江 , CUI, ZHENJIANG , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L27/115
CPC分类号： H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02532 , H01L21/02598 , H01L21/0262 , H01L21/0273 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/32137 , H01L27/11556 , H01L27/11582
摘要：本發明描述一種自通孔移除非晶矽/氧化矽膜堆疊之方法。方法可涉及包含氟的遠端電漿及包含氟及遠端電漿中未激發之含氮與氫的前驅物的局部電漿以移除氧化矽。方法可隨後涉及惰性物種之局部電漿以潜在地移除任何薄碳層(光阻劑的殘留物)及處理非晶矽層，為移除作準備。方法可隨後涉及利用相同基板處理區域內可能的若干選項移除經處理之非晶矽層。通孔之底部可隨後具有已曝露單晶矽，此已曝露單晶矽有益於磊晶單晶矽膜生長。本文所呈現之方法可特別適用於三維NAND(例如，VNAND)裝置形成。
简体摘要：本发明描述一种自通孔移除非晶硅/氧化硅膜堆栈之方法。方法可涉及包含氟的远程等离子及包含氟及远程等离子中未激发之含氮与氢的前驱物的局部等离子以移除氧化硅。方法可随后涉及惰性物种之局部等离子以潜在地移除任何薄碳层(光阻剂的残留物)及处理非晶硅层，为移除作准备。方法可随后涉及利用相同基板处理区域内可能的若干选项移除经处理之非晶硅层。通孔之底部可随后具有已曝露单晶硅，此已曝露单晶硅有益于磊晶单晶硅膜生长。本文所呈现之方法可特别适用于三维NAND(例如，VNAND)设备形成。

2. 发明专利

TWI626688B 使用處理系統之氣隙結構整合有权
简体标题：使用处理系统之气隙结构集成
公开(公告)号：TWI626688B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW103142446
申请日：2014-12-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：那克美荷B , NAIK, MEHUL B. , 任河 , REN, HE , 崔振江 , CUI, ZHENJIANG
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3065

3. 发明专利

TWI671786B 清潔高深寬比通孔有权
简体标题：清洁高深宽比通孔
公开(公告)号：TWI671786B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW105110593
申请日：2016-04-01
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉杰 , LIU, JIE , 朴勝 , PARK, SEUNG , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 崔振江 , CUI, ZHENJIANG , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L27/115

4. 发明专利

TW201526106A 使用處理系統之氣隙結構整合审中-公开
简体标题：使用处理系统之气隙结构集成
公开(公告)号：TW201526106A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103142446
申请日：2014-12-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：那克美荷B , NAIK, MEHUL B. , 任河 , REN, HE , 崔振江 , CUI, ZHENJIANG
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/7682 , C23C16/303 , C23C16/36 , H01J37/32082 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/76819 , H01L21/76832 , H01L21/76834
摘要：一種在積體層堆疊中形成氣隙結構之方法，該方法包含在真空下在處理系統中乾蝕刻設置在堆疊上的模具層。模具層係設置於一或多個互連件之間，且模具層之乾蝕刻的處理曝露互連件之至少一部分。該方法亦包含在互連件之曝露部分上沉積襯層。在另一個實施例中，一種在積體層堆疊中形成氣隙結構之方法，包含在真空下在處理系統中在第一處理腔室中乾蝕刻設置在堆疊上的氧化物模具層。該方法亦包含在互連件上沉積低介電常數材料襯層，其中襯層具有低於約2奈米的厚度。於此揭露的方法係執行於處理系統中，且無需破壞真空。
简体摘要：一种在积体层堆栈中形成气隙结构之方法，该方法包含在真空下在处理系统中干蚀刻设置在堆栈上的模具层。模具层系设置于一或多个互连件之间，且模具层之干蚀刻的处理曝露互连件之至少一部分。该方法亦包含在互连件之曝露部分上沉积衬层。在另一个实施例中，一种在积体层堆栈中形成气隙结构之方法，包含在真空下在处理系统中在第一处理腔室中干蚀刻设置在堆栈上的氧化物模具层。该方法亦包含在互连件上沉积低介电常数材料衬层，其中衬层具有低于约2奈米的厚度。于此揭露的方法系运行于处理系统中，且无需破坏真空。

5. 发明专利

TW201232660A 處理低常數介電膜的方法 METHODS OF PROCESSING LOW K DIELECTRIC FILMS 审中-公开
简体标题：处理低常数介电膜的方法 METHODS OF PROCESSING LOW K DIELECTRIC FILMS
公开(公告)号：TW201232660A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100142077
申请日：2011-11-17
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：雷克須瑪南安娜瑪萊 , 崔振江 , 那克美荷 , 潘思瑛 , 商珍妮佛 , 馬伯方
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3105 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/76826 , H01L21/76843
摘要：本發明提供了一種方法,用於在消耗低常數膜中碳的製程之後將碳重新加入至該膜中。此外,亦描述了一種用於補償被消耗碳並用氮化鉭覆蓋的方法。
简体摘要：本发明提供了一种方法,用于在消耗低常数膜中碳的制程之后将碳重新加入至该膜中。此外,亦描述了一种用于补偿被消耗碳并用氮化钽覆盖的方法。

6. 发明专利

TW201244006A 具有減少低-K介電質損壞的鑲嵌結構之製程 PROCESS FOR DAMASCENE STRUCTURE WITH REDUCED LOW-K DAMAGE 审中-公开
简体标题：具有减少低-K介电质损坏的镶嵌结构之制程 PROCESS FOR DAMASCENE STRUCTURE WITH REDUCED LOW-K DAMAGE
公开(公告)号：TW201244006A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW101110408
申请日：2012-03-26
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：那克美荷B , 崔振江
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02697 , H01L21/7681 , H01L21/76834 , H01L21/7685 , H01L21/76856 , H01L21/76873 , H01L21/76885 , H01L29/66583
摘要：在此描述的實施例大體上提供用以在使用犧牲介電材料與可選的阻障/帽蓋層的鑲嵌製程期間減少不期望的低-k介電質損壞的方法。在一個實施例中,鑲嵌結構是透過被沉積在介電基部層上方的犧牲介電材料來形成。以適當的金屬(諸如銅)來填充鑲嵌結構。被填充在銅鑲嵌之間的溝槽區域中的犧牲介電材料接著被移除,然後使阻障/帽蓋層共形地或選擇性地覆蓋住銅鑲嵌結構的暴露表面。之後,超低-k介電材料可填充先前被填充有犧牲介電材料的溝槽區域。本發明可避免金屬線之間的超低-k材料在鑲嵌製程期間暴露於各種損壞製程(諸如蝕刻、剝除、濕式清潔、預金屬清潔或CMP製程)。
简体摘要：在此描述的实施例大体上提供用以在使用牺牲介电材料与可选的阻障/帽盖层的镶嵌制程期间减少不期望的低-k介电质损坏的方法。在一个实施例中,镶嵌结构是透过被沉积在介电基部层上方的牺牲介电材料来形成。以适当的金属(诸如铜)来填充镶嵌结构。被填充在铜镶嵌之间的沟槽区域中的牺牲介电材料接着被移除,然后使阻障/帽盖层共形地或选择性地覆盖住铜镶嵌结构的暴露表面。之后,超低-k介电材料可填充先前被填充有牺牲介电材料的沟槽区域。本发明可避免金属线之间的超低-k材料在镶嵌制程期间暴露于各种损坏制程(诸如蚀刻、剥除、湿式清洁、预金属清洁或CMP制程)。

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