基本信息:
- 专利标题： 形成具有氣隙之半導體元件的方法
- 专利标题（英）：Methods for forming semiconductor device having air gap
- 专利标题（中）：形成具有气隙之半导体组件的方法
- 申请号：TW106130633 申请日：2015-03-23
- 公开(公告)号：TW201804567A 公开(公告)日：2018-02-01
- 发明人： 任河 , REN,HE , 那克美荷B , NAIK,MEHUL B.
- 申请人： 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 李世章; 彭國洋
- 优先权： 61/973,499 20140401
- 主分类号： H01L21/764
- IPC分类号： H01L21/764 ; H01L21/768 ; C23C16/04
摘要：
本文所述之實施例關於形成氣隙互連的方法。將金屬間隔墊層共形地沉積於上方形成有心軸結構的基板上。蝕刻金屬間隔墊層以形成間隔墊特徵並自基板移除心軸結構。可執行多種其他介電質沉積、圖案化與蝕刻步驟以如期望般圖案化基板上存在的材料。最終，在相鄰間隔墊特徵之間形成溝槽並在溝槽上沉積蓋層以在相鄰間隔墊特徵之間形成氣隙。為了封裝，互連介層洞可設以接觸相鄰氣隙之間隔墊特徵的至少一者。
摘要（中）：
本文所述之实施例关于形成气隙互连的方法。将金属间隔垫层共形地沉积于上方形成有心轴结构的基板上。蚀刻金属间隔垫层以形成间隔垫特征并自基板移除心轴结构。可运行多种其他介电质沉积、图案化与蚀刻步骤以如期望般图案化基板上存在的材料。最终，在相邻间隔垫特征之间形成沟槽并在沟槽上沉积盖层以在相邻间隔垫特征之间形成气隙。为了封装，互连介层洞可设以接触相邻气隙之间隔垫特征的至少一者。
摘要（英）：
Embodiments described herein relate to methods for forming an air gap interconnect. A metal spacer layer is conformally deposited on a substrate having mandrel structures formed thereon. The metal spacer layer is etched to form spacer features and the mandrel structures are removed from the substrate. Various other dielectric deposition, patterning and etching steps may be performed to desirably pattern materials present on the substrate. Ultimately, a trench is formed between adjacent spacer features and a capping layer is deposited over the trench to form an air gap between the adjacent spacer features. For packaging purposes, an interconnect via may be configured to contact at least one of the spacer features adjacent the air gap.
公开/授权文献:
- TWI645506B 形成具有氣隙之半導體元件的方法 公开/授权日：2018-12-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/76 | ...组件间隔离区的制作 |
| --------------H01L21/764 | ....空气隙 |