专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI682489B 帶有多個加熱區的基板支撐件有权
简体标题：带有多个加热区的基板支撑件
公开(公告)号：TWI682489B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW104134575
申请日：2015-10-21
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：松下智治 , MATSUSHITA, TOMOHARU , 拉菲傑立巴利 , RAVI, JALLEPALLY , 蔡振雄 , TSAI, CHENG HSIUNG , 卡曼司亞拉文德 , KAMATH, ARAVIND , 袁小雄 , YUAN, XIAOXIONG , 高帕曼裘那薩 , KOPPA, MANJUNATHA
IPC分类号： H01L21/683

2. 发明专利

TW201612953A 具有更均勻的邊緣清洗的基板支撐件审中-公开
简体标题：具有更均匀的边缘清洗的基板支撑件
公开(公告)号：TW201612953A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104119261
申请日：2015-06-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉菲傑立巴利 , RAVI, JALLEPALLY , 松下智治 , MATSUSHITA, TOMOHARU , 卡曼司亞拉文德密亞 , KAMATH, ARAVIND MIYAR , 袁小雄 , YUAN, XIAOXIONG , 蔡振雄 , TSAI, CHENG HSIUNG MATTHEW , 高帕曼裘那薩 , KOPPA, MANJUNATHA
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/455 , C23C16/4586
摘要：於此提供基板支撐件之實施例。在一些實施例中，基板支撐件包含：第一板，用以支撐基板，第一板具有複數個清潔氣體通道在第一板之背側上；第二板，設置於第一板之下方並支撐第一板；及邊緣環，環繞第一板並設置於第二板之上方，其中複數個清潔氣體通道從第一板之中央部分中之單一入口延伸至第一板之邊緣處的複數個出口，且其中複數個氣體清潔通道具有實質相等的流動傳導。
简体摘要：于此提供基板支撑件之实施例。在一些实施例中，基板支撑件包含：第一板，用以支撑基板，第一板具有复数个清洁气体信道在第一板之背侧上；第二板，设置于第一板之下方并支撑第一板；及边缘环，环绕第一板并设置于第二板之上方，其中复数个清洁气体信道从第一板之中央部分中之单一入口延伸至第一板之边缘处的复数个出口，且其中复数个气体清洁信道具有实质相等的流动传导。

3. 发明专利

TW201222714A 具有可變溫度性能之熱型基板處理的方法及設備 METHODS AND APPARATUS FOR THERMAL BASED SUBSTRATE PROCESSING WITH VARIABLE TEMPERATURE CAPABILITY 审中-公开
简体标题：具有可变温度性能之热型基板处理的方法及设备 METHODS AND APPARATUS FOR THERMAL BASED SUBSTRATE PROCESSING WITH VARIABLE TEMPERATURE CAPABILITY
公开(公告)号：TW201222714A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100122688
申请日：2011-06-28
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：祖國權 , 袁小雄 , 坎多爾沃夫亞彌特 , 王班哲明成 , 傑拉多斯艾夫傑尼諾斯V , 吳凱 , 卡拉茲麥克P , 林敬 , 古法西歐肯
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/45587 , C23C16/4585 , C23C16/46 , C23C16/52
摘要：一種基板支撐件可包括：一主體；一內環，該內環設置在該主體的周圍；一外環，該外環設置在該內環的周圍，其中一第一開口形成在該內環與該外環之間；一第一密封環，該第一密封環設置在該第一開口上方；一屏蔽環，該屏蔽環設置在該內環上方，該屏蔽環從該外環向內延伸，其中一第二開口形成在該屏蔽環與該外環之間；一第二密封環，該第二密封環設置在該第二開口上方；一空間，該空間至少部分地被該主體、該內環、該外環、該第一密封環、該第二密封環、及該屏蔽環所界定；一第一間隙，其中當一基板存在時，該第一間隙被界定在該基板的一處理表面與該屏蔽環之間；及複數個第二間隙，該複數個第二間隙流體地耦接到該空間；其中該第一間隙與該複數個第二間隙係設以使得當一基板存在時，一被提供到該空間的氣體能經由該第一間隙流出該空間。
简体摘要：一种基板支撑件可包括：一主体；一内环，该内环设置在该主体的周围；一外环，该外环设置在该内环的周围，其中一第一开口形成在该内环与该外环之间；一第一密封环，该第一密封环设置在该第一开口上方；一屏蔽环，该屏蔽环设置在该内环上方，该屏蔽环从该外环向内延伸，其中一第二开口形成在该屏蔽环与该外环之间；一第二密封环，该第二密封环设置在该第二开口上方；一空间，该空间至少部分地被该主体、该内环、该外环、该第一密封环、该第二密封环、及该屏蔽环所界定；一第一间隙，其中当一基板存在时，该第一间隙被界定在该基板的一处理表面与该屏蔽环之间；及复数个第二间隙，该复数个第二间隙流体地耦接到该空间；其中该第一间隙与该复数个第二间隙系设以使得当一基板存在时，一被提供到该空间的气体能经由该第一间隙流出该空间。

4. 发明专利

TW201438140A 具有平坦度控制的加熱基板支撐件审中-公开
简体标题：具有平坦度控制的加热基板支撑件
公开(公告)号：TW201438140A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103106807
申请日：2014-02-27
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：古法西歐肯 , CUVALCI, OLKAN , 祖國權 , TZU, GWO-CHUAN , 袁小雄 , YUAN, XIAOXIONG
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： G01K3/10 , H01L21/67103
摘要：本文提供加熱基板支撐件之實施例。在一些實施例中，加熱基板支撐件包括支撐板，該支撐板具有頂表面及相對的底表面；以及第一加熱器，該第一加熱器安置於該支撐板之內部，其中該第一加熱器安置於該支撐板之中平面之下，且其中該第一加熱器安置於該支撐板之中心區域的附近。
简体摘要：本文提供加热基板支撑件之实施例。在一些实施例中，加热基板支撑件包括支撑板，该支撑板具有顶表面及相对的底表面；以及第一加热器，该第一加热器安置于该支撑板之内部，其中该第一加热器安置于该支撑板之中平面之下，且其中该第一加热器安置于该支撑板之中心区域的附近。

5. 发明专利

TW201435138A 具高清洗效率的對稱氣體分配設備及方法审中-公开
简体标题：具高清洗效率的对称气体分配设备及方法
公开(公告)号：TW201435138A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102146681
申请日：2013-12-17
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：高建德 , KAO, CHIEN-TEH , 張鎂 , CHANG, MEI , 林偉雄 , LAM, HYMAN , 休斯頓約耳M , HUSTON, JOEL M. , 袁小雄 , YUAN, XIAOXIONG , 古法西歐肯 , CUVALCI, OLKAN
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45536 , C23C16/50
摘要：茲提供利用氣相沉積及電漿加強氣相沉積技術來沉積材料的設備和方法，更特別係氣體分配組件和用於沉積材料的氣相沉積腔室。氣體分配組件包含複數個區段，各區段含有流道，流道具有通道從流道延伸到處理腔室的處理區。
简体摘要：兹提供利用气相沉积及等离子加强气相沉积技术来沉积材料的设备和方法，更特别系气体分配组件和用于沉积材料的气相沉积腔室。气体分配组件包含复数个区段，各区段含有流道，流道具有信道从流道延伸到处理腔室的处理区。

6. 发明专利

TW201404922A 用於基板背側污染控制之基板支座审中-公开
简体标题：用于基板背侧污染控制之基板支座
公开(公告)号：TW201404922A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102123309
申请日：2013-06-28
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：祖國權 , TZU, GWO-CHUAN , 古法西歐肯 , CUVALCI, OLKAN , 張鈾 , CHANG, YU , 袁小雄 , YUAN, XIAOXIONG
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/46
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/67103 , H01L21/6875 , H05B3/143
摘要：本文提供了基板支座的實施例。在某些實施例中，一基板支座可包括：一第一鋁板材，該第一鋁板材用於支撐一基板，該第一鋁板材具有複數加熱元件嵌入於其中，以提供複數加熱區域；一第二鋁板材，該第二鋁板材設置於該第一鋁板材之下並且支撐該第一鋁板材；一第三鋁板材，該第三鋁板材設置於該第二鋁板材之下並且支撐該第二鋁板材；一非金屬密封環，該非金屬密封環設置於該第一鋁板材的頂上；及複數間隔物，該等複數間隔物具有一上部，該上部設置於該第一鋁板材的一表面之上，其中該非金屬密封環與該等複數間隔物支撐該基板於該第一鋁板材之上。
简体摘要：本文提供了基板支座的实施例。在某些实施例中，一基板支座可包括：一第一铝板材，该第一铝板材用于支撑一基板，该第一铝板材具有复数加热组件嵌入于其中，以提供复数加热区域；一第二铝板材，该第二铝板材设置于该第一铝板材之下并且支撑该第一铝板材；一第三铝板材，该第三铝板材设置于该第二铝板材之下并且支撑该第二铝板材；一非金属密封环，该非金属密封环设置于该第一铝板材的顶上；及复数间隔物，该等复数间隔物具有一上部，该上部设置于该第一铝板材的一表面之上，其中该非金属密封环与该等复数间隔物支撑该基板于该第一铝板材之上。

7. 发明专利

TWI697579B 具有熱蓋的原子層沉積腔室有权
简体标题：具有热盖的原子层沉积腔室
公开(公告)号：TWI697579B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW104131161
申请日：2015-09-21
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：崔安青 , CUI, ANQING , 甘戈法如克 , GUNGOR, FARUK , 吳典曄 , WU, DIEN YEH , 珍格拉菲卡斯 , JANGRA, VIKAS , 拉許德幕哈瑪德M , RASHEED, MUHAMMAD M. , 唐薇 , TANG, WEI V. , 楊逸雄 , YANG, YIXIONG , 袁小雄 , YUAN, XIAOXIONG , 朴敬浩 , BU, KYOUNG-HO , 干德可塔史林尼維斯 , GANDIKOTA, SRINIVAS , 張鈾 , CHANG, YU , 寬威廉W , KUANG, WILLIAM W.
IPC分类号： C23C16/44 , C23F4/00 , B08B7/00

8. 发明专利

TW201619430A 具有熱蓋的原子層沉積腔室审中-公开
简体标题：具有热盖的原子层沉积腔室
公开(公告)号：TW201619430A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104131161
申请日：2015-09-21
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：崔安青 , CUI, ANQING , 甘戈法如克 , GUNGOR, FARUK , 吳典曄 , WU, DIEN YEH , 珍格拉菲卡斯 , JANGRA, VIKAS , 拉許德幕哈瑪德M , RASHEED, MUHAMMAD M. , 唐薇 , TANG, WEI V. , 楊逸雄 , YANG, YIXIONG , 袁小雄 , YUAN, XIAOXIONG , 朴敬浩 , BU, KYOUNG-HO , 干德可塔史林尼維斯 , GANDIKOTA, SRINIVAS , 張鈾 , CHANG, YU , 寬威廉W , KUANG, WILLIAM W.
IPC分类号： C23C16/44 , C23F4/00 , B08B7/00
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/452 , C23C16/45506 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4558 , H01J37/32357 , H01J37/32522 , H01J37/32862
摘要：於此提供用於清理原子層沉積腔室的方法及設備。在一些實施例中，腔室蓋組件包含：一外殼，該外殼封閉一中央通道，該中央通道沿著一中央軸延伸且具有一上方部分及一下方部分；一蓋平板，該蓋平板耦合至該外殼且具有一輪廓底部表面，該輪廓底部表面由一中央開口向下及向外延伸至該蓋平板的一周邊部分，該中央開口耦合至該中央通道的該下方部分；一第一加熱元件，該第一加熱元件加熱該中央通道；一第二加熱元件，該第二加熱元件加熱該蓋平板的底部表面；一遙控電漿來源，該遙控電漿來源流體地耦合至該中央通道；及一隔離套管，該隔離套管在該遙控電漿來源及該外殼之間耦合，其中該隔離套管具有一內通道，該內通道延伸穿過該隔離套管以流體地耦合該遙控電漿來源及該中央通道。
简体摘要：于此提供用于清理原子层沉积腔室的方法及设备。在一些实施例中，腔室盖组件包含：一外壳，该外壳封闭一中央信道，该中央信道沿着一中央轴延伸且具有一上方部分及一下方部分；一盖平板，该盖平板耦合至该外壳且具有一轮廓底部表面，该轮廓底部表面由一中央开口向下及向外延伸至该盖平板的一周边部分，该中央开口耦合至该中央信道的该下方部分；一第一加热组件，该第一加热组件加热该中央信道；一第二加热组件，该第二加热组件加热该盖平板的底部表面；一遥控等离子来源，该遥控等离子来源流体地耦合至该中央信道；及一隔离套管，该隔离套管在该遥控等离子来源及该外壳之间耦合，其中该隔离套管具有一内信道，该内信道延伸穿过该隔离套管以流体地耦合该遥控等离子来源及该中央信道。

9. 发明专利

TW201602399A 用於在基板處理腔室中改善氣流的方法與設備审中-公开
简体标题：用于在基板处理腔室中改善气流的方法与设备
公开(公告)号：TW201602399A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104116504
申请日：2015-05-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：袁小雄 , YUAN, XIAOXIONG , 薛卡提克 , SHAH, KARTIK , 卡許葉迪力提曼蘇哈 , KASHYAP, DHRITIMAN SUBHA , 凱爾卡尤梅西M , KELKAR, UMESH M. , 吳典曄 , WU, DIEN YEH , 拉許德幕哈瑪德M , RASHEED, MUHAMMAD M.
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/08 , C23C16/34 , C23C16/45502 , C23C16/458
摘要：本文提供用於在基板處理腔室中改善氣流的方法及設備之實施例。在某些實施例中，基板處理腔室包含：腔室主體及界定內部體積的腔室蓋；設置於內部體積內的基板支撐件且基板支撐件具有支撐表面以支撐基板；設置於與基板支撐件相對的腔室蓋中的氣體通道，以將氣體混合物供應至內部體積，氣體通道包含第一部分及第二部分；設置於第一部分中的第一進氣口，以將第一氣體供應至氣體通道之第一部分；及設置於第二部分中的第二進氣口，以將第二氣體供應至第二部分。
简体摘要：本文提供用于在基板处理腔室中改善气流的方法及设备之实施例。在某些实施例中，基板处理腔室包含：腔室主体及界定内部体积的腔室盖；设置于内部体积内的基板支撑件且基板支撑件具有支撑表面以支撑基板；设置于与基板支撑件相对的腔室盖中的气体信道，以将气体混合物供应至内部体积，气体信道包含第一部分及第二部分；设置于第一部分中的第一进气口，以将第一气体供应至气体信道之第一部分；及设置于第二部分中的第二进气口，以将第二气体供应至第二部分。

10. 发明专利

TW201413868A 反射沉積環及包含反射沉積環之基板處理室审中-公开
简体标题：反射沉积环及包含反射沉积环之基板处理室
公开(公告)号：TW201413868A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102131092
申请日：2013-08-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：沙布藍尼安納薩K , SUBRAMANI, ANANTHA K. , 拉尼許喬瑟夫M , RANISH, JOSEPH M. , 袁小雄 , YUAN, XIAOXIONG , 戈埃爾艾希思 , GOEL, ASHISH , 李靖珠 , LEE, JOUNG JOO
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C16/4585 , C23C16/46
摘要：本文提供用於改良橫越一基板之溫度均勻性的設備。在某些實施例中，用於使用在一基板處理系統中來處理一基板的一種沉積環可包括：一環狀主體，該環狀主體具有一第一表面、一相對第二表面、與一中央開口，該中央開口通過該等第一與第二表面，其中該第二表面是配置成設置於一基板支座之上，該基板支座具有一支撐表面，該支撐表面用以支撐具有一給定寬度的一基板，且其中該開口的尺寸經過設計，以曝露該支撐表面的一主要部分；以及其中該第一表面包括至少一反射部，該至少一反射部是配置來將熱能反射朝向該環狀主體的一中心軸，其中該至少一反射部具有一表面積是該第一表面的一總表面積的大約百分之5至大約百分之50。
简体摘要：本文提供用于改良横越一基板之温度均匀性的设备。在某些实施例中，用于使用在一基板处理系统中来处理一基板的一种沉积环可包括：一环状主体，该环状主体具有一第一表面、一相对第二表面、与一中央开口，该中央开口通过该等第一与第二表面，其中该第二表面是配置成设置于一基板支座之上，该基板支座具有一支撑表面，该支撑表面用以支撑具有一给定宽度的一基板，且其中该开口的尺寸经过设计，以曝露该支撑表面的一主要部分；以及其中该第一表面包括至少一反射部，该至少一反射部是配置来将热能反射朝向该环状主体的一中心轴，其中该至少一反射部具有一表面积是该第一表面的一总表面积的大约百分之5至大约百分之50。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式