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1. 发明专利

TWI682489B 帶有多個加熱區的基板支撐件有权
简体标题：带有多个加热区的基板支撑件
公开(公告)号：TWI682489B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW104134575
申请日：2015-10-21
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：松下智治 , MATSUSHITA, TOMOHARU , 拉菲傑立巴利 , RAVI, JALLEPALLY , 蔡振雄 , TSAI, CHENG HSIUNG , 卡曼司亞拉文德 , KAMATH, ARAVIND , 袁小雄 , YUAN, XIAOXIONG , 高帕曼裘那薩 , KOPPA, MANJUNATHA
IPC分类号： H01L21/683

2. 发明专利

TWI681496B 減少製程腔室內基板滑動之設備及方法有权
简体标题：减少制程腔室内基板滑动之设备及方法
公开(公告)号：TWI681496B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW104123113
申请日：2015-07-16
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：希魯納弗卡羅蘇司瑞斯坎薩羅傑 , THIRUNAVUKARASU, SRISKANTHARAJ , 沙芬戴亞基倫古莫 , SAVANDAIAH, KIRANKUMAR , 蔡振雄 , TSAI, CHENG HSIUNG , 劉開良 , LIEW, KAI LIANG
IPC分类号： H01L21/683

3. 发明专利

TW201841289A 用於基板處理系統中之基板支撐件的基板位置校準方法审中-公开
简体标题：用于基板处理系统中之基板支撑件的基板位置校准方法
公开(公告)号：TW201841289A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107104942
申请日：2018-02-12
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：松下智治 , MATSUSHITA, TOMOHARU , 卡曼司亞拉文德 , KAMATH, ARAVIND , 拉菲傑立巴利 , RAVI, JALLEPALLY , 蔡振雄 , TSAI, CHENG-HSIUNG , 高濱宏行 , TAKAHAMA, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/683
摘要：本文提供用於基板處理系統中之基板支撐件的基板位置校準的方法與設備。一些實施例中，一種用於在基板支撐件上定位基板的方法包括：藉由重複地將基板放置於基板支撐件上的位置且將該基板真空吸附至該基板支撐件及量測背側壓力，而獲得複數個背側壓力值，該等背側壓力值對應於該基板支撐件上的複數個不同的基板位置；以及分析該複數個背側壓力值，以確定校準過的基板位置。
简体摘要：本文提供用于基板处理系统中之基板支撑件的基板位置校准的方法与设备。一些实施例中，一种用于在基板支撑件上定位基板的方法包括：借由重复地将基板放置于基板支撑件上的位置且将该基板真空吸附至该基板支撑件及量测背侧压力，而获得复数个背侧压力值，该等背侧压力值对应于该基板支撑件上的复数个不同的基板位置；以及分析该复数个背侧压力值，以确定校准过的基板位置。

4. 发明专利

TW202004833A 高傳導處理套組审中-公开
简体标题：高传导处理套组
公开(公告)号：TW202004833A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108136378
申请日：2015-12-04
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：賈波妮T , CHIA, BONNIE T. , 蔡振雄 , TSAI, CHENG-HSIUNG
IPC分类号： H01J37/32
摘要：用於電漿處理半導體基板的設備。該設備的態樣包括上屏蔽，上屏蔽具有排列於上屏蔽中心的氣體擴散器。氣體擴散器與上屏蔽允許處理氣體以層流的方式進入處理腔室。上屏蔽剖面促進處理氣體的徑向擴散以及來自基板表面蝕刻來的材料之徑向移動。上屏蔽的曲率引導蝕刻的材料至下屏蔽，以及減少蝕刻的材料沈積於上屏蔽上。下屏蔽亦包括將蝕刻的材料引導往溝槽的彎曲表面，而使蝕刻的材料能夠自處理腔室離開，以及減少蝕刻的材料沈積於下屏蔽上。
简体摘要：用于等离子处理半导体基板的设备。该设备的态样包括上屏蔽，上屏蔽具有排列于上屏蔽中心的气体扩散器。气体扩散器与上屏蔽允许处理气体以层流的方式进入处理腔室。上屏蔽剖面促进处理气体的径向扩散以及来自基板表面蚀刻来的材料之径向移动。上屏蔽的曲率引导蚀刻的材料至下屏蔽，以及减少蚀刻的材料沉积于上屏蔽上。下屏蔽亦包括将蚀刻的材料引导往沟槽的弯曲表面，而使蚀刻的材料能够自处理腔室离开，以及减少蚀刻的材料沉积于下屏蔽上。

5. 发明专利

TW201834113A 用於腔室內加熱器及晶圓旋轉機構的處理套件設計审中-公开
简体标题：用于腔室内加热器及晶圆旋转机构的处理套件设计
公开(公告)号：TW201834113A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106141542
申请日：2017-11-29
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉許德幕哈瑪德M , RASHEED, MUHAMMAD M. , 穆斯塔法姆漢納德 , MUSTAFA, MUHANNAD , 塔法梭利哈米德 , TAVASSOLI, HAMID , 珊索尼史蒂芬V , SANSONI, STEVEN V. , 蔡振雄 , TSAI, CHENG-HSIUNG , 班西亞維卡許 , BANTHIA, VIKASH
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687
摘要：本揭示案的實施例係關於用於與腔室內加熱器及基板旋轉機構一起使用的處理套件。在與本揭示案一致的一些實施例中，用於與可旋轉基板支撐件加熱器台座一起使用以用於在處理腔室中支撐基板的處理套件可包含：上方邊緣環，該上方邊緣環包含頂部突出部及自該頂部突出部向下延伸的裙部；下方邊緣環，該下方邊緣環至少部分支撐該上方邊緣環且使該上方邊緣環與該基板支撐件加熱器台座對齊；底部平板，該底部平板經設置於該處理腔室的底部上，該底部平板在該基板支撐件加熱器台座處於降低的非處理位置時支撐該上方邊緣環；以及遮蔽環，該遮蔽環在該基板支撐件加熱器台座處於升高的處理位置時與該上方邊緣環耦接。
简体摘要：本揭示案的实施例系关于用于与腔室内加热器及基板旋转机构一起使用的处理套件。在与本揭示案一致的一些实施例中，用于与可旋转基板支撑件加热器台座一起使用以用于在处理腔室中支撑基板的处理套件可包含：上方边缘环，该上方边缘环包含顶部突出部及自该顶部突出部向下延伸的裙部；下方边缘环，该下方边缘环至少部分支撑该上方边缘环且使该上方边缘环与该基板支撑件加热器台座对齐；底部平板，该底部平板经设置于该处理腔室的底部上，该底部平板在该基板支撑件加热器台座处于降低的非处理位置时支撑该上方边缘环；以及屏蔽环，该屏蔽环在该基板支撑件加热器台座处于升高的处理位置时与该上方边缘环耦接。

6. 发明专利

TWI691014B 具有改善的ＲＦ返回的基板支撐件有权
简体标题：具有改善的ＲＦ返回的基板支撑件
公开(公告)号：TWI691014B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW105104312
申请日：2016-02-15
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：卡曼司亞拉文德密亞 , KAMATH, ARAVIND MIYAR , 蔡振雄 , TSAI, CHENG HSIUNG , 拉菲傑立巴利 , RAVI, JALLEPALLY , 松下智治 , MATSUSHITA, TOMOHARU , 張鈾 , CHANG, YU
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67

7. 发明专利

TWI619164B 用於電漿蝕刻操作的基材支撐件有权
简体标题：用于等离子蚀刻操作的基材支撑件
公开(公告)号：TWI619164B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW103104948
申请日：2014-02-14
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：弗雷澤賴瑞 , FRAZIER, LARRY , 蔡振雄 , TSAI, CHENG-HSIUNG MATTHEW , 福斯特約翰C , FORSTER, JOHN C. , 楊美寶 , YEUNG, MEI PO , 傑克森麥可S , JACKSON, MICHAEL S.
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67103 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/68735

8. 发明专利

TW201612953A 具有更均勻的邊緣清洗的基板支撐件审中-公开
简体标题：具有更均匀的边缘清洗的基板支撑件
公开(公告)号：TW201612953A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104119261
申请日：2015-06-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉菲傑立巴利 , RAVI, JALLEPALLY , 松下智治 , MATSUSHITA, TOMOHARU , 卡曼司亞拉文德密亞 , KAMATH, ARAVIND MIYAR , 袁小雄 , YUAN, XIAOXIONG , 蔡振雄 , TSAI, CHENG HSIUNG MATTHEW , 高帕曼裘那薩 , KOPPA, MANJUNATHA
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/455 , C23C16/4586
摘要：於此提供基板支撐件之實施例。在一些實施例中，基板支撐件包含：第一板，用以支撐基板，第一板具有複數個清潔氣體通道在第一板之背側上；第二板，設置於第一板之下方並支撐第一板；及邊緣環，環繞第一板並設置於第二板之上方，其中複數個清潔氣體通道從第一板之中央部分中之單一入口延伸至第一板之邊緣處的複數個出口，且其中複數個氣體清潔通道具有實質相等的流動傳導。
简体摘要：于此提供基板支撑件之实施例。在一些实施例中，基板支撑件包含：第一板，用以支撑基板，第一板具有复数个清洁气体信道在第一板之背侧上；第二板，设置于第一板之下方并支撑第一板；及边缘环，环绕第一板并设置于第二板之上方，其中复数个清洁气体信道从第一板之中央部分中之单一入口延伸至第一板之边缘处的复数个出口，且其中复数个气体清洁信道具有实质相等的流动传导。

9. 发明专利

TWI584403B 靜電夾具有权
简体标题：静电夹具
公开(公告)号：TWI584403B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW101135973
申请日：2012-09-28
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：帕克維傑D , PARKHE, VIJAY D. , 珊索尼史蒂芬V , SANSONI, STEVEN V. , 蔡振雄 , TSAI, CHENG-HSIUNG MATTHEW
IPC分类号： H01L21/683

10. 发明专利

TW201611181A 減少製程腔室內基板滑動之設備及方法审中-公开
简体标题：减少制程腔室内基板滑动之设备及方法
公开(公告)号：TW201611181A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104123113
申请日：2015-07-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：希魯納弗卡羅蘇司瑞斯坎薩羅傑 , THIRUNAVUKARASU, SRISKANTHARAJ , 沙芬戴亞基倫古莫 , SAVANDAIAH, KIRANKUMAR , 蔡振雄 , TSAI, CHENG HSIUNG , 劉開良 , LIEW, KAI LIANG
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C14/50 , C23C16/458 , C23C16/4586 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32577 , H01J37/3405 , H01J2237/3321 , H01J2237/334 , H01L21/306 , H01L21/67103 , H01L21/6833 , H01L21/68742 , H01L21/68757
摘要：本文揭示用於處理基板的方法及設備。在某些實施例中，用於處理基板的設備包含：基板支撐件，基板支撐件具有基板支撐表面，基板支撐表面包含電絕緣塗層；基板升舉機構，基板升舉機構包含複數個升舉銷，該複數個升舉銷經配置以在第一位置與第二位置之間移動，第一位置設置於基板支撐表面下方，第二位置設置於基板支撐表面上方；及連接件，連接件經配置以在該複數個升舉銷抵達基板支撐表面之平面之前選擇性地提供基板支撐件與基板升舉機構之間的電性連接。
简体摘要：本文揭示用于处理基板的方法及设备。在某些实施例中，用于处理基板的设备包含：基板支撑件，基板支撑件具有基板支撑表面，基板支撑表面包含电绝缘涂层；基板升举机构，基板升举机构包含复数个升举销，该复数个升举销经配置以在第一位置与第二位置之间移动，第一位置设置于基板支撑表面下方，第二位置设置于基板支撑表面上方；及连接件，连接件经配置以在该复数个升举销抵达基板支撑表面之平面之前选择性地提供基板支撑件与基板升举机构之间的电性连接。

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