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1. 发明专利

TW201643478A 具有傳輸改良之近紅外線光干擾濾波器审中-公开
简体标题：具有传输改良之近红外线光干扰滤波器
公开(公告)号：TW201643478A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105104801
申请日：2016-02-18
申请人：麥提利恩公司 , MATERION CORPORATION
发明人：斯普拉格羅伯特 , SPRAGUE, ROBERT , 白盛元 , BAI, SHENGYUAN
IPC分类号： G02B5/28 , C23C14/34 , C23C14/06 , C23C14/14 , C23C14/10
CPC分类号： G02B5/281 , C23C14/06 , C23C14/0652 , C23C14/10 , C23C14/14 , C23C14/3414 , C23C14/3457
摘要：一個包含層堆疊之干擾濾波器，該數層至少包含添加氮之非晶氫化矽層(a-Si：H,N)及一或數個介質材料層，如SiO2、SiOx、SiOxNy，介質材料具有較高之折射率，在1.9到2.7(含)範圍，或之類。干擾濾波器之設計使其通過頻帶之中心波長在750-1000nm(含)範圍。在a-Si：H,N層添加氮提供通過頻帶之改良傳輸而不會太減少在相同傳輸之a-Si：H觀察到的折射率。介質材料層之厚度具有較高之折射率，在1.9到2.7(含)範圍，提供比使用SiO2作為低折射率層之類似干擾濾波器更小的角偏移。
简体摘要：一个包含层堆栈之干扰滤波器，该数层至少包含添加氮之非晶氢化硅层(a-Si：H,N)及一或数个介质材料层，如SiO2、SiOx、SiOxNy，介质材料具有较高之折射率，在1.9到2.7(含)范围，或之类。干扰滤波器之设计使其通过频带之中心波长在750-1000nm(含)范围。在a-Si：H,N层添加氮提供通过频带之改良传输而不会太减少在相同传输之a-Si：H观察到的折射率。介质材料层之厚度具有较高之折射率，在1.9到2.7(含)范围，提供比使用SiO2作为低折射率层之类似干扰滤波器更小的角偏移。

2. 发明专利

TW201604294A 使用相和應力控制的電漿噴灑塗佈設計审中-公开
简体标题：使用相和应力控制的等离子喷洒涂布设计
公开(公告)号：TW201604294A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104115636
申请日：2015-05-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫語南 , SUN, JENNIFER Y. , 陳益凱 , CHEN, YIKAI , 卡農哥比拉賈普拉薩德 , KANUNGO, BIRAJA PRASAD
IPC分类号： C23C14/10 , C23C14/22
摘要：為了製造用於半導體處理室的物件之塗層，提供包括由Al、Al2O3、或SiC中之至少一者製成的主體之物件，而且陶瓷塗層被塗佈在該主體上，其中該陶瓷塗層包括Y2O3、Al2O3、及ZrO2之化合物。該陶瓷塗層藉由一方法被施加於該主體，該方法包括提供電漿電流在約100A至約1000A之間的範圍中的電漿噴灑系統、將該電漿噴灑系統的噴炬支架定位於距該主體介於約60mm和約250mm之間的距離、使第一氣體以介於約30L/min和約400L/min之間的速率流過該電漿噴灑系統、及對該主體進行電漿噴灑塗佈以形成電漿塗層，其中該塗層之噴濺為非晶形並具有盤餅形。
简体摘要：为了制造用于半导体处理室的对象之涂层，提供包括由Al、Al2O3、或SiC中之至少一者制成的主体之对象，而且陶瓷涂层被涂布在该主体上，其中该陶瓷涂层包括Y2O3、Al2O3、及ZrO2之化合物。该陶瓷涂层借由一方法被施加于该主体，该方法包括提供等离子电流在约100A至约1000A之间的范围中的等离子喷洒系统、将该等离子喷洒系统的喷炬支架定位于距该主体介于约60mm和约250mm之间的距离、使第一气体以介于约30L/min和约400L/min之间的速率流过该等离子喷洒系统、及对该主体进行等离子喷洒涂布以形成等离子涂层，其中该涂层之喷溅为非晶形并具有盘饼形。

3. 发明专利

TW201544612A 氧化物燒結體及其製造方法、以及氧化物膜审中-公开
简体标题：氧化物烧结体及其制造方法、以及氧化物膜
公开(公告)号：TW201544612A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104104249
申请日：2015-02-09
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：曽我部健太郎 , SOGABE, KENTARO , 安東勳雄 , ANDO, ISAO , 小沢誠 , OZAWA, MAKOTO
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/10
CPC分类号： C04B35/16 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B2235/3232 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/728 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9623 , C23C14/08 , C23C14/3414
摘要：本發明提供一種製造安定性、成膜安定性、放電安定性及機械強度優異之氧化物燒結體及其製造方法、以及使用其氧化物燒結體所得之具有中間折射率之氧化物膜。本發明係製造含有In與Si，Si之含量以Si/In原子數比計為0.65以上1.75以下，相對密度為90%以上，且彎曲強度為90N/mm2以上之氧化物燒結體，且使用該氧化物燒結體，以濺鍍法製作折射率1.70以上1.90以下之氧化物膜。
简体摘要：本发明提供一种制造安定性、成膜安定性、放电安定性及机械强度优异之氧化物烧结体及其制造方法、以及使用其氧化物烧结体所得之具有中间折射率之氧化物膜。本发明系制造含有In与Si，Si之含量以Si/In原子数比计为0.65以上1.75以下，相对密度为90%以上，且弯曲强度为90N/mm2以上之氧化物烧结体，且使用该氧化物烧结体，以溅镀法制作折射率1.70以上1.90以下之氧化物膜。

4. 发明专利

TWI622498B 阻氣性薄膜及其製造方法有权
简体标题：阻气性薄膜及其制造方法
公开(公告)号：TWI622498B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW103112230
申请日：2014-04-02
申请人：東麗薄膜先端加工股份有限公司 , TORAY ADVANCED FILM CO., LTD.
发明人：德永幸大 , TOKUNAGA, KODAI , 上林浩行 , UEBAYASHI, HIROYUKI , 佐竹光 , SATAKE, HIKARU , 鈴木基之 , SUZUKI, MOTOYUKI
IPC分类号： B32B9/00 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/34

5. 发明专利

TWI612559B 基板處理方法、程式、電腦記憶媒體及基板處理系統有权
简体标题：基板处理方法、进程、电脑记忆媒体及基板处理系统
公开(公告)号：TWI612559B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW104130605
申请日：2015-09-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：村松誠 , MURAMATSU, MAKOTO , 冨田忠利 , TOMITA, TADATOSHI , 源島久志 , GENJIMA, HISASHI , 楊元 , YOU, GEN , 北野高広 , KITANO, TAKAHIRO
IPC分类号： H01L21/027 , C23C14/10 , C23C14/34 , C23C16/14 , C23C16/34 , G03F7/40 , H01L21/31 , H01L21/316 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/67173 , C08J7/18 , D06M14/18 , G03D5/003 , G03F7/0002 , G03F7/40 , H01J37/32082 , H01J37/3255 , H01L21/02043 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/67167 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L29/511 , H01L29/66545 , H05H1/46

6. 发明专利

TWI572884B 一種鏡片及其圖樣鍍膜製造方法有权
简体标题：一种镜片及其图样镀膜制造方法
公开(公告)号：TWI572884B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW101124889
申请日：2012-07-11
申请人：吳志民
发明人：吳志民
IPC分类号： G02B1/10 , C23C14/10 , G02C7/10

7. 发明专利

TW201305357A 鍍膜件及其製造方法审中-公开
简体标题：镀膜件及其制造方法
公开(公告)号：TW201305357A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW100127443
申请日：2011-08-02
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：陳文榮 , CHEN, WEN RONG , 陳正士 , CHEN, CHENG SHI , 王瑩瑩 , WANG, YING-YING , 胡智傑 , HU, ZHI-JIE , 李聰 , LI, CONG
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/14 , C23C14/24 , C23C14/34
CPC分类号： C23C28/30 , C23C28/32 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/345
摘要：本發明提供一種鍍膜件，包括基體、依次形成於基體表面的白色的第一膜層、無色透明的第二膜層及無色透明且具有抗指紋效果的第三膜層；該第一膜層為一鋁、鋁合金、鋅或鋅合金膜層，該第二膜層主要由M、O及N三種元素組成，其中M為Al或Zn，該第三膜層為氧化鋁層或二氧化矽層。該鍍膜件呈現出如骨瓷般的外觀的同時還具有抗指紋效果。本發明還提供了所述鍍膜件的製造方法。
简体摘要：本发明提供一种镀膜件，包括基体、依次形成于基体表面的白色的第一膜层、无色透明的第二膜层及无色透明且具有抗指纹效果的第三膜层；该第一膜层为一铝、铝合金、锌或锌合金膜层，该第二膜层主要由M、O及N三种元素组成，其中M为Al或Zn，该第三膜层为氧化铝层或二氧化硅层。该镀膜件呈现出如骨瓷般的外观的同时还具有抗指纹效果。本发明还提供了所述镀膜件的制造方法。

8. 发明专利

TWI632243B 藍寶石薄膜塗布基材有权
简体标题：蓝宝石薄膜涂布基材
公开(公告)号：TWI632243B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW106116519
申请日：2017-05-18
申请人：香港浸會大學 , HONG KONG BAPTIST UNIVERSITY
发明人：謝國偉 , CHEAH, KOK WAI , 林永銳 , LAM, WING YUI , 譚海嵐 , TAM, HOI LAM
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/22 , C23C14/34 , C23C14/30 , C23C14/58 , C03C17/245

9. 发明专利

TW201520351A 二氧化矽之沉積审中-公开
简体标题：二氧化硅之沉积
公开(公告)号：TW201520351A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103137817
申请日：2014-10-31
申请人： SPTS科技公司 , SPTS TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：周韻 , ZHOU, YUN , 辛德曼隆達 , HYNDMAN, RHONDA , 柏格斯史蒂芬R , BURGESS, STEPHEN R.
IPC分类号： C23C14/10 , C23C14/34 , H03H9/46
CPC分类号： C23C14/0036 , C01B33/12 , C23C14/10 , C23C14/3485 , C23C14/35
摘要：根據本發明，係為一藉使用本質上由氧及氪所組成之濺鍍氣體混合物的脈衝DC反應性濺鍍法而將SiO2沉積至一基片上之方法。
简体摘要：根据本发明，系为一藉使用本质上由氧及氪所组成之溅镀气体混合物的脉冲DC反应性溅镀法而将SiO2沉积至一基片上之方法。

10. 发明专利

TWI477618B 銀鎂鋁金屬玻璃鍍層及其製備方法有权
简体标题：银镁铝金属玻璃镀层及其制备方法
公开(公告)号：TWI477618B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW101126292
申请日：2012-07-20
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：黃志青 , HUANG, CHIH CHING , 胡婷婷 , HU, TING TING , 聶台岡 , NIEH, TAI GANG , 徐瑞鴻 , HSU, JUI HUNG , 官聖堯 , KUAN, SHENG YAO , 李敬仁 , LEE, CHING JEN
IPC分类号： C23C14/10 , C23C14/35

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