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1. 发明专利

TWI564429B 真空成膜裝置有权
简体标题：真空成膜设备
公开(公告)号：TWI564429B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW102102462
申请日：2013-01-23
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：大森美紀 , OMORI, MIKI , 清田哲司 , KIYOTA, TETSUJI , 立野勇一 , TACHINO, YUUICHI , 久保昌司 , KUBO, MASASHI
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： C23C16/45563 , C23C16/4412 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , C23C16/54

2. 发明专利

TW201543302A 觸控面板、觸控面板之製造方法及光學薄膜审中-公开
简体标题：触摸皮肤、触摸皮肤之制造方法及光学薄膜
公开(公告)号：TW201543302A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104113765
申请日：2015-04-29
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：原田学 , HARADA, MANABU , 柳坪秀典 , YANAGITSUBO, HIDENORI , 井堀敦仁 , IHORI, ATSUHITO , 鈴木寿弘 , SUZUKI, TOSHIHIRO , 松本昌弘 , MATSUMOTO, MASAHIRO , 谷典明 , TANI, NORIAKI , 久保昌司 , KUBO, MASASHI
IPC分类号： G06F3/041
CPC分类号： G06F3/041 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/352 , G06F2203/04103 , G06F2203/04107
摘要：本發明之觸控面板包含：觸控面板基板；重疊於上述觸控面板而設之保護基板；及連接部，其包含自上述保護基板側朝上述觸控面板基板側積層之散射層，且設置於上述觸控面板基板與上述保護基板之間之除顯示區域以外之區域。
简体摘要：本发明之触摸皮肤包含：触摸皮肤基板；重叠于上述触摸皮肤而设之保护基板；及连接部，其包含自上述保护基板侧朝上述触摸皮肤基板侧积层之散射层，且设置于上述触摸皮肤基板与上述保护基板之间之除显示区域以外之区域。

3. 发明专利

TW201350618A 真空成膜裝置审中-公开
简体标题：真空成膜设备
公开(公告)号：TW201350618A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102102462
申请日：2013-01-23
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：大森美紀 , OMORI, MIKI , 清田哲司 , KIYOTA, TETSUJI , 立野勇一 , TACHINO, YUUICHI , 久保昌司 , KUBO, MASASHI
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： C23C16/45563 , C23C16/4412 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , C23C16/54
摘要： [課題]提供一種：不會對於能夠涵蓋基板之成膜面全面而將原料氣體有效地作吸附之功能有所損及，而能夠對於裝置本身之設置面積的大型化作防止的真空成膜裝置。[解決手段]係具備有：在真空腔(1)內而保持基板之平台(2)、和對於基板(W)而將氣體交互作供給之氣體供給手段(3)、以及將真空腔內之氣體作排氣的排氣手段(7)。將被保持在平台上之前述基板的成膜面側朝上，氣體供給手段，係具備有：被配置在平台之其中一側處，並從基板之其中一側起朝向另外一側地並且沿著此基板之上面地，而將前述氣體之其中一者作噴射之至少一個的噴射噴嘴(31)。排氣手段，係具備有：在平台之另外一側處而被開設於真空腔之下壁處的排氣口(71)、和被設置在真空腔之下方並與排氣口相通連之排氣腔(73)、和被與排氣腔作連接並將排氣腔內作真空抽氣之真空幫浦(75)。
简体摘要： [课题]提供一种：不会对于能够涵盖基板之成膜面全面而将原料气体有效地作吸附之功能有所损及，而能够对于设备本身之设置面积的大型化作防止的真空成膜设备。[解决手段]系具备有：在真空腔(1)内而保持基板之平台(2)、和对于基板(W)而将气体交互作供给之气体供给手段(3)、以及将真空腔内之气体作排气的排气手段(7)。将被保持在平台上之前述基板的成膜面侧朝上，气体供给手段，系具备有：被配置在平台之其中一侧处，并从基板之其中一侧起朝向另外一侧地并且沿着此基板之上面地，而将前述气体之其中一者作喷射之至少一个的喷射喷嘴(31)。排气手段，系具备有：在平台之另外一侧处而被开设于真空腔之下壁处的排气口(71)、和被设置在真空腔之下方并与排气口相通连之排气腔(73)、和被与排气腔作连接并将排气腔内作真空抽气之真空帮浦(75)。

4. 发明专利

TW201724265A 氧化物介電質元件及氧化物介電質元件之製造方法审中-公开
简体标题：氧化物介电质组件及氧化物介电质组件之制造方法
公开(公告)号：TW201724265A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105128267
申请日：2016-09-01
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：鈴木亮由 , SUZUKI, AKIYOSHI , 木村勳 , KIMURA, ISAO , 小林宏樹 , KOBAYASHI, HIROKI , 森川泰宏 , MORIKAWA, YASUHIRO , 久保昌司 , KUBO, MASASHI
IPC分类号： H01L21/316 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C16/40
CPC分类号： H01L27/105 , H01L41/053 , H01L41/09 , H01L41/23
摘要：本發明係提供可以減少保護膜所導致的拘束力而使壓電特性提高，或者抑制介電係數的降低，同時防止起因於氫離子導致的還原劣化的物理特性的降低之氧化物介電質元件的保護膜的技術。本發明之氧化物介電質元件(15)，具備：矽基板(1)、及設於矽基板(1)上，具有挾著氧化物介電質層(5)而設的第1及第2電極層(4)、(6)的氧化物介電質薄膜層積體(8)；而氧化物介電質薄膜層積體(8)，藉由高分子聚合體構成的保護膜(7)所覆蓋。保護膜(7)可藉由蒸鍍聚合法形成。
简体摘要：本发明系提供可以减少保护膜所导致的拘束力而使压电特性提高，或者抑制介电系数的降低，同时防止起因于氢离子导致的还原劣化的物理特性的降低之氧化物介电质组件的保护膜的技术。本发明之氧化物介电质组件(15)，具备：硅基板(1)、及设于硅基板(1)上，具有挟着氧化物介电质层(5)而设的第1及第2电极层(4)、(6)的氧化物介电质薄膜层积体(8)；而氧化物介电质薄膜层积体(8)，借由高分子聚合体构成的保护膜(7)所覆盖。保护膜(7)可借由蒸镀聚合法形成。

5. 发明专利

TWI575103B 真空處理裝置有权
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TWI575103B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW101137284
申请日：2012-10-09
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：大森美紀 , OMORI, MIKI , 岩井治憲 , IWAI, HARUNORI , 立野勇一 , TACHINO, YUICHI , 久保昌司 , KUBO, MASASHI
IPC分类号： C23C16/458 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/68742 , C23C16/4586

6. 发明专利

TW201341581A 真空處理裝置审中-公开
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TW201341581A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101137284
申请日：2012-10-09
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：大森美紀 , OMORI, MIKI , 岩井治憲 , IWAI, HARUNORI , 立野勇一 , TACHINO, YUICHI , 久保昌司 , KUBO, MASASHI
IPC分类号： C23C16/458 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/68742 , C23C16/4586
摘要： [課題]提供一種能夠防止氣體流入至升降銷被作了插入之載置台的貫通孔中之真空處理裝置。[解決手段]真空處理裝置(10)，若是使被插入至貫通孔(24)中之升降銷(27)上升，則載置台(21)上之基板(31)係被載置於被連接在升降銷(27)之上端處的蓋構件(26)上，並從載置台(21)之載置面而分離，若是使升降銷(27)下降，則基板(31)係與載置面作接觸並被作載置，該真空處理裝置(10)，在被設置於載置台(21)之載置面處的凹坑(22)之底面中的與蓋構件(26)相對面之部分處，係被設置有將貫通孔(24)之開口(23)的周圍作包圍之環狀的密封構件(25)，若是使升降銷(27)下降，則蓋構件(26)係與密封構件(25)作環狀接觸，藉由密封構件(25)，貫通孔(24)之內側的空間和外側的空間係被相互分離，而防止對於貫通孔(24)之氣體的流入。
简体摘要： [课题]提供一种能够防止气体流入至升降销被作了插入之载置台的贯通孔中之真空处理设备。[解决手段]真空处理设备(10)，若是使被插入至贯通孔(24)中之升降销(27)上升，则载置台(21)上之基板(31)系被载置于被连接在升降销(27)之上端处的盖构件(26)上，并从载置台(21)之载置面而分离，若是使升降销(27)下降，则基板(31)系与载置面作接触并被作载置，该真空处理设备(10)，在被设置于载置台(21)之载置面处的凹坑(22)之底面中的与盖构件(26)相对面之部分处，系被设置有将贯通孔(24)之开口(23)的周围作包围之环状的密封构件(25)，若是使升降销(27)下降，则盖构件(26)系与密封构件(25)作环状接触，借由密封构件(25)，贯通孔(24)之内侧的空间和外侧的空间系被相互分离，而防止对于贯通孔(24)之气体的流入。

7. 发明专利

TWI647599B 觸控面板、觸控面板之製造方法、顯示裝置及顯示裝置之製造方法有权
简体标题：触摸皮肤、触摸皮肤之制造方法、显示设备及显示设备之制造方法
公开(公告)号：TWI647599B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW104113765
申请日：2015-04-29
申请人：日商愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：原田学 , HARADA, MANABU , 柳坪秀典 , YANAGITSUBO, HIDENORI , 井堀敦仁 , IHORI, ATSUHITO , 鈴木寿弘 , SUZUKI, TOSHIHIRO , 松本昌弘 , MATSUMOTO, MASAHIRO , 谷典明 , TANI, NORIAKI , 久保昌司 , KUBO, MASASHI
IPC分类号： G06F3/041

8. 发明专利

TWI503868B 真空處理裝置有权
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TWI503868B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW100133461
申请日：2011-09-16
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：岩井治憲 , IWAI, HARUNORI , 久保昌司 , KUBO, MASASHI , 太田淳 , OTA, ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/677 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67173 , H01L21/67017 , H01L21/67201 , H01L21/67706 , H01L21/6776

9. 发明专利

TWI445461B 電漿源機構及成膜裝置有权
简体标题：等离子源机构及成膜设备
公开(公告)号：TWI445461B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW097149479
申请日：2008-12-18
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：松元孝文 , MATSUMOTO, TAKAFUMI , 鈴木壽弘 , SUZUKI, TOSHIHIRO , 中牟田雄 , NAKAMUTA, YUU , 松本昌弘 , MATSUMOTO, MASAHIRO , 久保昌司 , KUBO, MASASHI
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , C23C14/568 , C23C14/5826 , H01J37/321 , H01J37/3266

10. 发明专利

TWI601042B 觸控面板、其製造方法、光學薄膜基板及其製造方法有权
简体标题：触摸皮肤、其制造方法、光学薄膜基板及其制造方法
公开(公告)号：TWI601042B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW103124017
申请日：2014-07-11
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：原田學 , HARADA, MANABU , 井堀敦仁 , IHORI, ATSUHITO , 鈴木壽弘 , SUZUKI, TOSHIHIRO , 柳坪秀典 , YANAGITSUBO, HIDENORI , 松本昌弘 , MATSUMOTO, MASAHIRO , 久保昌司 , KUBO, MASASHI , 新井真 , ARAI, MAKOTO
IPC分类号： G06F3/041 , G02F1/1333 , B32B17/06
CPC分类号： G06F3/041 , G02B5/22 , G02B5/26 , G02B5/286 , G06F2203/04103 , G06F2203/04107

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