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1. 发明专利

TW200829512A 膜形成方法及膜形成裝置 FILM DEPOSITION METHOD AND FILM DEPOSITION APPARATUS 审中-公开
简体标题：膜形成方法及膜形成设备 FILM DEPOSITION METHOD AND FILM DEPOSITION APPARATUS
公开(公告)号：TW200829512A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：TW096128047
申请日：2007-07-31
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：增田健 MASUDA, TAKESHI , 尾沼雅彥 KAJINUMA, MASAHIKO , 西岡浩 NISHIOKA, YUTAKA , 木村勳 KIMURA, ISAO , 菊地真 KIKUCHI, SHIN , 山田貴一 YAMADA, TAKAKAZU , 鄒紅紅 SUU, KOUKOU
IPC分类号： C01G , H01L
CPC分类号： H01L21/31691 , C04B35/491 , C04B2235/441 , C04B2235/787 , H01G4/1245 , H01G4/33 , H01L21/02197 , H01L21/02271 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L41/1876 , H01L41/316
摘要：本發明提供一種膜形成方法,其係於以(111)配向之貴金屬為主成分之基底膜上層積形成以PZT(001)或PZT(100)為主成分之結晶性膜之方法,且包括:對上述基底膜之表面進行還原處理之步驟;及藉由MOCVD法而於上述基底膜之表面形成上述結晶性膜之步驟。
简体摘要：本发明提供一种膜形成方法,其系于以(111)配向之贵金属为主成分之基底膜上层积形成以PZT(001)或PZT(100)为主成分之结晶性膜之方法,且包括:对上述基底膜之表面进行还原处理之步骤;及借由MOCVD法而于上述基底膜之表面形成上述结晶性膜之步骤。

2. 发明专利

TW200829513A 膜形成方法及膜形成裝置 FILM DEPOSITION METHOD AND FILM DEPOSITION APPARATUS 审中-公开
简体标题：膜形成方法及膜形成设备 FILM DEPOSITION METHOD AND FILM DEPOSITION APPARATUS
公开(公告)号：TW200829513A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：TW096128048
申请日：2007-07-31
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：增田健 MASUDA, TAKESHI , 尾沼雅彥 KAJINUMA, MASAHIKO , 西岡浩 NISHIOKA, YUTAKA , 木村勳 KIMURA, ISAO , 菊地真 KIKUCHI, SHIN , 山田貴一 YAMADA, TAKAKAZU , 鄒紅紅 SUU, KOUKOU
IPC分类号： C01G , H01L
CPC分类号： H01L21/31691 , C04B35/491 , C04B2235/441 , C04B2235/787 , C23C16/02 , C23C16/409 , H01G4/1245 , H01G4/33 , H01L21/02197 , H01L21/02271 , H01L28/55 , H01L28/65
摘要：一種膜形成方法,其係於以(111)配向之貴金屬為主成分之基底膜上層積形成以PZT(111)為主成分之結晶性膜的方法,且包括:於上述基底膜之表面形成面間距較上述貴金屬更接近上述PZT(111)之氧化膜的步驟;及藉由MOCVD法於上述氧化膜之表面形成上述結晶性膜的步驟。
简体摘要：一种膜形成方法,其系于以(111)配向之贵金属为主成分之基底膜上层积形成以PZT(111)为主成分之结晶性膜的方法,且包括:于上述基底膜之表面形成面间距较上述贵金属更接近上述PZT(111)之氧化膜的步骤;及借由MOCVD法于上述氧化膜之表面形成上述结晶性膜的步骤。

3. 发明专利

TW200722551A 噴氣頭及薄膜製造裝置 GAS HEAD AND THIN FILM MANUFACTURING APPARATUS 审中-公开
简体标题：喷气头及薄膜制造设备 GAS HEAD AND THIN FILM MANUFACTURING APPARATUS
公开(公告)号：TW200722551A
公开(公告)日：2007-06-16
申请号：TW095144618
申请日：2006-12-01
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：山田貴一 YAMADA, TAKAKAZU , 加藤伸幸 KATO, NOBUYUKI , 植松正紀 UEMATSU, MASAKI
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/45574 , C23C16/45514 , C23C16/45565
摘要：本發明提供一種低成本且可抑制自由基氣體之去活化並可將原料氣體均勻地導入基板上的噴氣頭及薄膜製造裝置。本發明之噴氣頭(13)係具有:反應氣體導入口(30A),導入有反應氣體;原料氣體導入口(30B),導入有原料氣體;分散板(32),與原料氣體導入口(30B)相對向配置且使原料氣體分散;且原料氣體導入口(30B)係以將反應氣體導入口(30A)之周圍予以包圍的方式設置複數個。被導入至反應氣體導入口(30A)的反應氣體係與被導入至原料氣體導入口(30B)且被分散板(32)所分散的原料氣體混合。雖於反應氣體導入口(30A)的周圍設有複數個原料氣體導入口(30B),但不需要噴孔等微細孔。
简体摘要：本发明提供一种低成本且可抑制自由基气体之去活化并可将原料气体均匀地导入基板上的喷气头及薄膜制造设备。本发明之喷气头(13)系具有:反应气体导入口(30A),导入有反应气体;原料气体导入口(30B),导入有原料气体;分散板(32),与原料气体导入口(30B)相对向配置且使原料气体分散;且原料气体导入口(30B)系以将反应气体导入口(30A)之周围予以包围的方式设置复数个。被导入至反应气体导入口(30A)的反应气体系与被导入至原料气体导入口(30B)且被分散板(32)所分散的原料气体混合。虽于反应气体导入口(30A)的周围设有复数个原料气体导入口(30B),但不需要喷孔等微细孔。

4. 发明专利

TW200745374A 薄膜製造裝置及薄膜製造裝置用內部塊 THIN FILM MANUFACTURING DEVICE AND INNER BLOCK FOR THIN FILM MANUFACTURING DEVICE 审中-公开
简体标题：薄膜制造设备及薄膜制造设备用内部块 THIN FILM MANUFACTURING DEVICE AND INNER BLOCK FOR THIN FILM MANUFACTURING DEVICE
公开(公告)号：TW200745374A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096116062
申请日：2007-05-07
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：山田貴一 YAMADA, TAKAKAZU , 入野修 IRINO, OSAMU , 加賀美剛 KAGAMI, TSUYOSHI
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/44 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/52
摘要：本發明提供一種因零件的共同化所實現之成本減少與成膜效率之提升的薄膜製造裝置。本發明之薄膜製造裝置(10)係藉由設置於真空槽(12)內部的內部塊(17)來界定反應空間(31)的容積,只要改變內部塊(17)內徑的尺寸,不用改變真空槽尺寸,即可達成反應空間(31)之容積的最適化。依此構成,可使用共同的真空槽(12)來進行不同尺寸之複數種基板(W)的成膜。再者,由於可配合所處理之基板尺寸,將所準備之裝置構造零件之數量的增加抑制在最小限度,所以可達成零件成本的降低,同時達成組裝作業/製品檢查作業/調整作業的簡單化,並實現良好的成膜效率與穩定成膜。
简体摘要：本发明提供一种因零件的共同化所实现之成本减少与成膜效率之提升的薄膜制造设备。本发明之薄膜制造设备(10)系借由设置于真空槽(12)内部的内部块(17)来界定反应空间(31)的容积,只要改变内部块(17)内径的尺寸,不用改变真空槽尺寸,即可达成反应空间(31)之容积的最适化。依此构成,可使用共同的真空槽(12)来进行不同尺寸之复数种基板(W)的成膜。再者,由于可配合所处理之基板尺寸,将所准备之设备构造零件之数量的增加抑制在最小限度,所以可达成零件成本的降低,同时达成组装作业/制品检查作业/调整作业的简单化,并实现良好的成膜效率与稳定成膜。

5. 发明专利

TWI311160B 噴氣頭及薄膜製造裝置 GAS HEAD AND THIN FILM MANUFACTURING APPARATUS 有权
简体标题：喷气头及薄膜制造设备 GAS HEAD AND THIN FILM MANUFACTURING APPARATUS
公开(公告)号：TWI311160B
公开(公告)日：2009-06-21
申请号：TW095144618
申请日：2006-12-01
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：山田貴一 YAMADA, TAKAKAZU , 加藤伸幸 KATO, NOBUYUKI , 植松正紀 UEMATSU, MASAKI
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/45574 , C23C16/45514 , C23C16/45565
摘要：本發明提供一種低成本且可抑制自由基氣體之去活化並可將原料氣體均勻地導入基板上的噴氣頭及薄膜製造裝置。本發明之噴氣頭(13)係具有:反應氣體導入口(30A),導入有反應氣體;原料氣體導入口(30B),導入有原料氣體;分散板(32),與原料氣體導入口(30B)相對向配置且使原料氣體分散;且原料氣體導入口(30B)係以將反應氣體導入口(30A)之周圍予以包圍的方式設置複數個。被導入至反應氣體導入口(30A)的反應氣體係與被導入至原料氣體導入口(30B)且被分散板(32)所分散的原料氣體混合。雖於反應氣體導入口(30A)的周圍設有複數個原料氣體導入口(30B),但不需要噴孔等微細孔。
简体摘要：本发明提供一种低成本且可抑制自由基气体之去活化并可将原料气体均匀地导入基板上的喷气头及薄膜制造设备。本发明之喷气头(13)系具有:反应气体导入口(30A),导入有反应气体;原料气体导入口(30B),导入有原料气体;分散板(32),与原料气体导入口(30B)相对向配置且使原料气体分散;且原料气体导入口(30B)系以将反应气体导入口(30A)之周围予以包围的方式设置复数个。被导入至反应气体导入口(30A)的反应气体系与被导入至原料气体导入口(30B)且被分散板(32)所分散的原料气体混合。虽于反应气体导入口(30A)的周围设有复数个原料气体导入口(30B),但不需要喷孔等微细孔。

6. 发明专利

TWI273642B 成膜裝置及成膜方法有权
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI273642B
公开(公告)日：2007-02-11
申请号：TW092106991
申请日：2003-03-27
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：內田寬人 UCHIDA, HIROTO , 神保武人 , 增田健 MASUDA, TAKESHI , 沼雅彥 KAJINUMA, MASAHIKO , 山田貴一 YAMADA, TAKAKAZU , 植松正紀 UEMATSU, MASAKI , 鄒紅罡 SUU, KOUKOU , 木村勳
IPC分类号： H01L , B01D
CPC分类号： C23C16/45512 , C23C16/409 , C23C16/4402 , C23C16/455 , C23C16/45519
摘要：本發明乃為一種提供不會產生粒，可實施MOCVD法的成膜裝置及成膜方法。
乃屬於由成膜室47、和混合氣體生成用混合室43、和原料氣體用氣化室41、和設在成膜室上面的氣體頭部48所形成的成膜裝置中，在氣化室41和混合室43之間，以及在混合室43內的下流側，配設粒子陷阱。並設置具備用來連接配設在混合室43內的下流側的粒子陷阱46a、46b的一次側和二次側和間的閥V3的旁通管線50。使用該裝置進行成膜時，以打開旁通管線50的閥V3的狀態流入原料氣體、反應氣體、載氣的氣類後，關閉該閥或可變閥時，一邊慢慢地關閉一邊開始成膜。
简体摘要：本发明乃为一种提供不会产生粒，可实施MOCVD法的成膜设备及成膜方法。乃属于由成膜室47、和混合气体生成用混合室43、和原料气体用气化室41、和设在成膜室上面的气体头部48所形成的成膜设备中，在气化室41和混合室43之间，以及在混合室43内的下流侧，配设粒子猫腻。并设置具备用来连接配设在混合室43内的下流侧的粒子猫腻46a、46b的一次侧和二次侧和间的阀V3的旁通管线50。使用该设备进行成膜时，以打开旁通管线50的阀V3的状态流入原料气体、反应气体、载气的气类后，关闭该阀或可变阀时，一边慢慢地关闭一边开始成膜。

7. 发明专利

TWI253479B 混合器、薄膜製造裝置及薄膜製造方法有权
简体标题：混合器、薄膜制造设备及薄膜制造方法
公开(公告)号：TWI253479B
公开(公告)日：2006-04-21
申请号：TW091135080
申请日：2002-12-03
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：山田貴一 YAMADA, TAKAKAZU , 增田健 MASUDA, TAKESHI , 沼雅彥 KAJINUMA, MASAHIKO , 植松正紀 UEMATSU, MASAKI , 鄒紅罡 SUU, KOUKOU
IPC分类号： C23C , H01L , B01J
CPC分类号： C23C16/45502 , B01F3/02 , B01F5/0256 , B01F2215/0427 , B01J4/001 , B01J10/02 , B01J19/247 , C23C16/4412 , C23C16/45512 , C23C16/45519 , C23C16/4558 , C23C16/4585 , H01L21/67017
摘要：一種混合器、薄膜製造裝置及薄膜製造方法，是具有：二支氣體導入管5、6分別將氣體導入口5a、5b互相設成對向的攪拌室2、及混合氣體的擴散室3，在攪拌室及擴散室之間，設置特定形狀之間隔板4使擴散室容積大於攪拌室容積，在間隔板，是在連結二個氣體導入口之直線的垂直方向下側之預定位置設有一個噴氣口7，可均勻地來混合重量不同之氣體的簡單構成之混合器1。間隔板，對於混合器之底部具有凸狀的二次曲線形狀。使用具備該混合器1之薄膜製造裝置及在該混合器內混合成均勻的成膜氣體來形成薄膜之薄膜製造方法。
又，以簡單的構造且低廉的成本可製作，並且，可抑制亂流、對流及熱對流的產生可將混合氣體的氣流形成均勻的薄膜製造裝置中，在真空反應室2內部設有載置基板的載物台53，對向於載物台53在真空反應室2上面之中央部配設氣頭57來導入成膜氣體到真空反應室內。密接於載物台53的側壁，設置具有預定長度之圓筒形狀的套管構件61來包圍其周圍，介於該套管構件及構成反應室的內壁面之間的間隙，使排氣在形成氣頭及載物台的第1空間內不會對流而從第1空間來各向排氣，連接真空排氣手段55之載物台下側的第2空間之容積在比第1空間之容積更大的位置來設定載物台之高度位置。
简体摘要：一种混合器、薄膜制造设备及薄膜制造方法，是具有：二支气体导入管5、6分别将气体导入口5a、5b互相设成对向的搅拌室2、及混合气体的扩散室3，在搅拌室及扩散室之间，设置特定形状之间隔板4使扩散室容积大于搅拌室容积，在间隔板，是在链接二个气体导入口之直线的垂直方向下侧之预定位置设有一个喷气口7，可均匀地来混合重量不同之气体的简单构成之混合器1。间隔板，对于混合器之底部具有凸状的二次曲线形状。使用具备该混合器1之薄膜制造设备及在该混合器内混合成均匀的成膜气体来形成薄膜之薄膜制造方法。又，以简单的构造且低廉的成本可制作，并且，可抑制乱流、对流及热对流的产生可将混合气体的气流形成均匀的薄膜制造设备中，在真空反应室2内部设有载置基板的载物台53，对向于载物台53在真空反应室2上面之中央部配设气头57来导入成膜气体到真空反应室内。密接于载物台53的侧壁，设置具有预定长度之圆筒形状的套管构件61来包围其周围，介于该套管构件及构成反应室的内壁面之间的间隙，使排气在形成气头及载物台的第1空间内不会对流而从第1空间来各向排气，连接真空排气手段55之载物台下侧的第2空间之容积在比第1空间之容积更大的位置来设置载物台之高度位置。

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