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1. 发明专利

TWI294228B 窄帶短脈衝時間氣體放電雷射輸出光脈衝光束產生系統及方法 NARROW BAND SHORT PULSE DURATION GAS DISCHARGE LASER OUTPUT LIGHT PULSE BEAM PRODUCING SYSTEM AND METHOD 有权
简体标题：窄带短脉冲时间气体放电激光输出光脉冲光束产生系统及方法 NARROW BAND SHORT PULSE DURATION GAS DISCHARGE LASER OUTPUT LIGHT PULSE BEAM PRODUCING SYSTEM AND METHOD
公开(公告)号：TWI294228B
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW094116091
申请日：2005-05-18
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：山德史壯李察L. SANDSTROM, RICHARD L. , 布朗丹尼爾J. W. BROWN, DANIEL J.W. , 艾瑟夫亞歷山大I. ERSHOV, ALEXANDER I. , 佛蒙柯維伊格爾V. FOMENKOV, IGOR V. , 派特洛威廉N. PARTLO, WILLIAM N.
IPC分类号： H04J , H04B
CPC分类号： H01S3/0812 , G03F7/70025 , G03F7/70575 , H01S3/08059 , H01S3/097 , H01S3/1055 , H01S3/1305
摘要：本案揭示一種裝置與方法，以提供在窄帶短脈衝時間氣體放電雷射輸出光脈衝光束產生系統中之帶寬控制，以經選定之脈衝重覆率產生一包含數個雷射輸出光脈衝之光束，該裝置可包含一散射帶寬選擇光組件，其係選定各脈衝之至少一中心波長，此係至少部份地由含有個別脈衝的雷射光脈衝光束在該散射波長選擇光組件上的入射角所決定；一調諧機構，其係操作來選擇含有個別脈衝的雷射光脈衝光束在該散射波長選擇光組件上的至少一入射角；該調諧機構包含多個入射角選擇元件，各元件對該雷射光脈衝之一空間上分開但時序上不分開的不同部份界定一入射角用以從該散射中心波長選擇光組件反射一包含多個空間上分開但時序上不分開之部份之雷射光脈衝，各部份具有至少兩個不同的選定中心波長中之一個。該調諧機構可包含一時序入射角選擇元件，其係對該脈衝之時序上分開的不同部份界定一入射角用以從該散射帶寬選擇光組件反射一包含各脈衝之多個時序上分開之部份之雷射光束，各脈衝之時序上分開的各部份具有至少兩個不同的選定中心波長中之一個。該調諧機構可包含多個空間入射角選擇元件，各元件對該雷射光脈衝之一空間上分開但時序上不分開之部份界定一入射角，以及多個時序入射角選擇元件，各元件對該脈衝各空間上分開但時序上不分開之部份之至少一第一時序上分開之部份界定至少一第一入射角且對該脈衝各空間上分開之部份之一第二時序上分開但空間上不分開之部份界定一第二入射角。
简体摘要：本案揭示一种设备与方法，以提供在窄带短脉冲时间气体放电激光输出光脉冲光束产生系统中之带宽控制，以经选定之脉冲重复率产生一包含数个激光输出光脉冲之光束，该设备可包含一散射带宽选择光组件，其系选定各脉冲之至少一中心波长，此系至少部份地由含有个别脉冲的激光光脉冲光束在该散射波长选择光组件上的入射角所决定；一调谐机构，其系操作来选择含有个别脉冲的激光光脉冲光束在该散射波长选择光组件上的至少一入射角；该调谐机构包含多个入射角选择组件，各组件对该激光光脉冲之一空间上分开但时序上不分开的不同部份界定一入射角用以从该散射中心波长选择光组件反射一包含多个空间上分开但时序上不分开之部份之激光光脉冲，各部份具有至少两个不同的选定中心波长中之一个。该调谐机构可包含一时序入射角选择组件，其系对该脉冲之时序上分开的不同部份界定一入射角用以从该散射带宽选择光组件反射一包含各脉冲之多个时序上分开之部份之激光光束，各脉冲之时序上分开的各部份具有至少两个不同的选定中心波长中之一个。该调谐机构可包含多个空间入射角选择组件，各组件对该激光光脉冲之一空间上分开但时序上不分开之部份界定一入射角，以及多个时序入射角选择组件，各组件对该脉冲各空间上分开但时序上不分开之部份之至少一第一时序上分开之部份界定至少一第一入射角且对该脉冲各空间上分开之部份之一第二时序上分开但空间上不分开之部份界定一第二入射角。

2. 发明专利

TW200612208A 用以減少電漿產生的碎片對極端紫外線(EUV)光源內部組件的影響之系統及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR REDUCING THE INFLUENCE OF PLASMA-GENERATED DEBRIS ON THE INTERNAL COMPONENTS OF AN EUV LIGHT SOURCE 审中-公开
简体标题：用以减少等离子产生的碎片对极端紫外线(EUV)光源内部组件的影响之系统及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR REDUCING THE INFLUENCE OF PLASMA-GENERATED DEBRIS ON THE INTERNAL COMPONENTS OF AN EUV LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TW200612208A
公开(公告)日：2006-04-16
申请号：TW094123365
申请日：2005-07-11
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：艾瑟夫亞歷山大I. ERSHOV, ALEXANDER I. , 馬克思威廉N. MARX, WILLIAM F. , 伯威林諾貝特R. BOWERING, NORBERT R. , 漢森巴裘A. M. HANSSON, BJORN A. M. , 克赫迪金歐雷 KHODYKIN, OLEH , 佛蒙柯維伊格爾V. FOMENKOV, IGOR V. , 派特洛威廉N. PARTLO, WILLIAM N.
IPC分类号： G03F , G01J
CPC分类号： H05G2/001 , B08B7/0071 , B82Y10/00 , G01N21/15 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/7085 , G03F7/70916 , G03F7/70925 , G21K1/06 , G21K2201/06
摘要：所揭係為可減少電漿所產生的碎屑對一極紫外線(EUV)光源內部構件之影響的系統及方法。在一態樣中，一EUV計量監測器會被提供，其具有一加熱器能將一內部多層濾光鏡加熱至一足以由該鏡上除去所沈積碎屑的溫度。在另一態樣中，一裝置會被揭露其可由一EUV光源收集鏡除掉電漿所產生的碎屑，而在該收集鏡上的不同區域會有不同的碎屑沈積速率。在一特殊的態樣中，一EUV收集鏡系統可包含一氫源能與Li碎屑結合而在一收集鏡表面上造成LiH；及一濺射系統能由該收集器表面上濺散LiH。在另一態樣中，一能以一受控的電漿蝕刻速率來由一EUV光源收集鏡表面蝕掉碎屑的裝置會被揭露。
简体摘要：所揭系为可减少等离子所产生的碎屑对一极紫外线(EUV)光源内部构件之影响的系统及方法。在一态样中，一EUV计量监测器会被提供，其具有一加热器能将一内部多层滤光镜加热至一足以由该镜上除去所沉积碎屑的温度。在另一态样中，一设备会被揭露其可由一EUV光源收集镜除掉等离子所产生的碎屑，而在该收集镜上的不同区域会有不同的碎屑沉积速率。在一特殊的态样中，一EUV收集镜系统可包含一氢源能与Li碎屑结合而在一收集镜表面上造成LiH；及一溅射系统能由该收集器表面上溅散LiH。在另一态样中，一能以一受控的等离子蚀刻速率来由一EUV光源收集镜表面蚀掉碎屑的设备会被揭露。

3. 发明专利

TW200536217A 高重複率雷射生成式電漿之極遠紫外線(EUV)光源 A HIGH REPETITION RATE LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE 审中-公开
简体标题：高重复率激光生成式等离子之极远紫外线(EUV)光源 A HIGH REPETITION RATE LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TW200536217A
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：TW094105596
申请日：2005-02-24
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：阿肯斯羅伯特P. AKINS, ROBERT P. , 聖迪斯特隆理查L. SANDSTROM, RICHARD L. , 派特洛威廉N. PARTLO, WILLIAM N. , 佛蒙柯維伊格爾V. FOMENKOV, IGOR V. , 史提格湯瑪斯D. STEIGER, THOMAS D. , 歐格特斯J. 馬汀 ALGOTS, J. MARTIN , 伯威林諾貝特R. BOWERING, NORBERT R. , 賈庫斯羅伯特N. JACQUES, ROBERT N. , 帕林夏特佛瑞德里克A. PALENSCHAT, FREDERICK A. , 宋俊 SONG, JUN
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y10/00 , G03F7/70033 , H05G2/003 , H05G2/008
摘要：本發明係揭露一極遠紫外線(EUV)光源裝置及方法，其可包含一脈衝式雷射，該脈衝式雷射以一選定脈衝重複率提供聚焦在一所需要的標靶點燃部位上之雷射脈衝；一標靶形成系統，其提供具有與雷射脈衝重複率協調的一選定間隔之離散的標靶；一標靶導向系統，其介於標靶形成系統與所需要的標靶點燃部位中間；及一標靶追蹤系統，其提供關於標靶在標靶形成系統與標靶導向系統之間運動之資訊，而能夠使標靶導向系統將標靶導引至所需要的標靶點燃部位。標靶追蹤系統係可提供能夠生成一雷射發射控制信號之資訊，並可包含一具有一準直光源之滴粒偵測器，該準直光源係被導引成為與標靶的一投射輸送路徑上之一點相交，具有一用於偵測標靶通過各別點之各別相對配置的光偵測器，或一含有對準至一座標軸之一線性陣列的複數個感光元件之偵測器，來自光源的光係與標靶的一投射輸送路徑相交，其至少一者可包含一平面攔截偵測部件。滴粒偵測器係可包含各以一不同光頻率操作之複數個滴粒偵測器，或一具有一視場及用於使視場成像之一二維陣列的像素之攝影機。此裝置及方法可包含一靜電電漿圍堵裝置，其在點燃時於一標靶點燃部位上或附近提供一電性電漿拘限場，其中標靶追蹤系統提供一能夠控制靜電電漿圍堵裝置之信號。此裝置及方法可包含一具有一中間壁之容器，該中間壁具有一可讓EUV光通過並維持一橫越低壓陷阱的差壓力之低壓陷阱。此裝置及方法可包含一磁性電漿拘限機構，其在標靶點燃部位附近生成一磁場以將電漿拘限至標靶點燃部位，其可為脈衝式且可利用來自標靶追蹤系統的輸出加以控制。
简体摘要：本发明系揭露一极远紫外线(EUV)光源设备及方法，其可包含一脉冲式激光，该脉冲式激光以一选定脉冲重复率提供聚焦在一所需要的标靶点燃部位上之激光脉冲；一标靶形成系统，其提供具有与激光脉冲重复率协调的一选定间隔之离散的标靶；一标靶导向系统，其介于标靶形成系统与所需要的标靶点燃部位中间；及一标靶追踪系统，其提供关于标靶在标靶形成系统与标靶导向系统之间运动之信息，而能够使标靶导向系统将标靶导引至所需要的标靶点燃部位。标靶追踪系统系可提供能够生成一激光发射控制信号之信息，并可包含一具有一准直光源之滴粒侦测器，该准直光源系被导引成为与标靶的一投射输送路径上之一点相交，具有一用于侦测标靶通过各别点之各别相对配置的光侦测器，或一含有对准至一座标轴之一线性数组的复数个感光组件之侦测器，来自光源的光系与标靶的一投射输送路径相交，其至少一者可包含一平面拦截侦测部件。滴粒侦测器系可包含各以一不同光频率操作之复数个滴粒侦测器，或一具有一视场及用于使视场成像之一二维数组的像素之摄影机。此设备及方法可包含一静电等离子围堵设备，其在点燃时于一标靶点燃部位上或附近提供一电性等离子拘限场，其中标靶追踪系统提供一能够控制静电等离子围堵设备之信号。此设备及方法可包含一具有一中间壁之容器，该中间壁具有一可让EUV光通过并维持一横越低压猫腻的差压力之低压猫腻。此设备及方法可包含一磁性等离子拘限机构，其在标靶点燃部位附近生成一磁场以将等离子拘限至标靶点燃部位，其可为脉冲式且可利用来自标靶追踪系统的输出加以控制。

4. 发明专利

TWI305477B 雷射生成式電漿(LPP)之極遠紫外線(EUV)光源 LPP EUV LIGHT SOURCE 失效
简体标题：激光生成式等离子(LPP)之极远紫外线(EUV)光源 LPP EUV LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TWI305477B
公开(公告)日：2009-01-11
申请号：TW094105808
申请日：2005-02-25
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：派特洛威廉N. PARTLO, WILLIAM N. , 布朗丹尼爾J. W. BROWN, DANIEL J.W. , 佛蒙柯維伊格爾V. FOMENKOV, IGOR V. , 伯威林諾貝特R. BOWERING, NORBERT R. , 瑞提庫提斯L. RETTIG, CURTIS L. , 馬克法蘭約瑟夫 MACFARLANE, JOSEPH , 艾瑟夫亞歷山大I. ERSHOV, ALEXANDER I. , 漢森邊爾A. M. HANSSON, BJORN A. M.
IPC分类号： H05H
CPC分类号： B82Y10/00 , G03F7/70033 , H05G2/003 , H05G2/008
摘要：本發明係描述一用於在一LPP EUV光源中有效且有效率地提供電漿輻照雷射光脈衝之裝置及方法,可包含一雷射初始標靶輻照脈衝產生機構,雷射初始標靶輻照脈衝產生機構藉由一初始標靶輻照脈衝來輻照一電漿引發標靶以形成一具有一用於發射頻帶內EUV光的發射區之EUV產生電漿;一雷射電漿輻照脈衝產生機構,其在初始標靶輻照脈衝之後藉由一電漿輻照脈衝來輻照電漿以將電漿中的發射材料壓縮前往電漿的發射區。電漿輻照脈衝可包含一雷射脈衝,其比初始標靶輻照脈衝的波長具有一充分更長的波長以具有一相關聯的較低臨界密度,導致吸收係在與一初始電漿輻照部位充分地分離之藉由電漿輻照脈衝的波長所界定之電漿的一區中發生於電漿內以達成發射材料的壓縮,且可能壓縮發射區。雷射電漿輻照脈衝係可能在電漿的燒蝕雲中生成一充分的空中質量密度而足以拘限有利的發射電漿來增加轉換效率。電漿輻照脈衝的沉積區可能自初始標靶表面足夠地移除以確保有利的發射電漿之壓縮。一高轉換效率雷射生成式電漿極遠紫外線(EUV)光源係可包含一雷射初始標靶輻照脈衝產生機構,其藉由一標靶輻照脈衝來輻照一電漿引發標靶以形成一用於發射頻帶內EUV光之EUV產生電漿;一電漿屏(plasma tamper),其大致圍繞電漿以拘束電漿的擴張。
简体摘要：本发明系描述一用于在一LPP EUV光源中有效且有效率地提供等离子辐照激光光脉冲之设备及方法,可包含一激光初始标靶辐照脉冲产生机构,激光初始标靶辐照脉冲产生机构借由一初始标靶辐照脉冲来辐照一等离子引发标靶以形成一具有一用于发射频带内EUV光的发射区之EUV产生等离子;一激光等离子辐照脉冲产生机构,其在初始标靶辐照脉冲之后借由一等离子辐照脉冲来辐照等离子以将等离子中的发射材料压缩前往等离子的发射区。等离子辐照脉冲可包含一激光脉冲,其比初始标靶辐照脉冲的波长具有一充分更长的波长以具有一相关联的较低临界密度,导致吸收系在与一初始等离子辐照部位充分地分离之借由等离子辐照脉冲的波长所界定之等离子的一区中发生于等离子内以达成发射材料的压缩,且可能压缩发射区。激光等离子辐照脉冲系可能在等离子的烧蚀云中生成一充分的空中质量密度而足以拘限有利的发射等离子来增加转换效率。等离子辐照脉冲的沉积区可能自初始标靶表面足够地移除以确保有利的发射等离子之压缩。一高转换效率激光生成式等离子极远紫外线(EUV)光源系可包含一激光初始标靶辐照脉冲产生机构,其借由一标靶辐照脉冲来辐照一等离子引发标靶以形成一用于发射频带内EUV光之EUV产生等离子;一等离子屏(plasma tamper),其大致围绕等离子以拘束等离子的扩张。

5. 发明专利

TWI299505B 極端紫外線光源中極端紫外線集光器反射表面上殘餘殘骸的去除系統與方法 SYSTEMS AND METHODS FOR REMOVAL OF DEBRIS ON A REFLECTING SURFACE OF AN EUV COLLECTOR IN AN EUV LIGHT SOURCE 失效
简体标题：极端紫外线光源中极端紫外线集光器反射表面上残余残骸的去除系统与方法 SYSTEMS AND METHODS FOR REMOVAL OF DEBRIS ON A REFLECTING SURFACE OF AN EUV COLLECTOR IN AN EUV LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TWI299505B
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW093108686
申请日：2004-03-30
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：派特洛威廉N. PARTLO, WILLIAM N. , 亞哥特斯約翰M. ALGOTS, JOHN MARTIN , 布魯門史托克蓋瑞M. BLUMENSTOCK, GERRY M. , 伯威林諾貝特 BOWERING, NORBERT , 艾瑟夫亞歷山大I. ERSHOV, ALEXANDER I. , 佛蒙柯維伊格爾V. FOMENKOV, IGOR V. , 潘孝江 PAN, XIAOJIANG J.
IPC分类号： H01J
摘要：一種由EUV光源中之EUV集光器的反射表面去除殘骸的方法與
裝置被揭示,該集光器可包含該反射表面,其包含一第一材料;與
該殘骸,其包含一第二材料與/或第二材料之化合物,該系統與方法
可包含受控制之濺射離子源,其可包含一氣體,該氣體包含濺射離
子材料之原子;以及一刺激機構刺激該濺射離子材料之原子成為離
子化狀態,該離子化狀態被選擇以在具有高機率之濺射第二材料與
低機率之濺射第一材料的被選擇的能量尖峰附近之分配。該刺激機
構可包括一RF或微波感應機構。該氣體被維持於部分決定該被選擇
之能量尖峰的壓力,且該刺激機構可創立濺射離子材料之離子的流
入,其由反射器表面創立第二材料之離子的流入,並由反射器表面
創立第二材料之原子的濺射密度,其等於或超過第二材料之電漿殘
骸原子的流入率。濺射可就該反射表面之特定所欲的壽命被選擇。
該反射表面可被加蓋。該集光器可包含一橢圓鏡與一殘骸屏蔽,其
可包含徑向延伸之槽溝。該第一材料可為鉬,該第二材料可為鋰,
且該離子材料可為氦。該系統可具有一加熱器以由該反射表面蒸發
該第二材料。該刺激機構可在點火時間被連接至該反射表面。該反
射表面可具有障壁層。該集光器可為一球面鏡與入射反射器殼之入
射餘角組合,其藉由在反射器殼之多層堆疊的層材料之選擇作用成
一光譜濾光器。濺射可與加熱組合,後者去除鋰且前者去除鋰化合
物,及該濺射可用電漿所產生之離子而非受刺激之氣體原子。
简体摘要：一种由EUV光源中之EUV集光器的反射表面去除残骸的方法与设备被揭示,该集光器可包含该反射表面,其包含一第一材料;与该残骸,其包含一第二材料与/或第二材料之化合物,该系统与方法可包含受控制之溅射离子源,其可包含一气体,该气体包含溅射离子材料之原子;以及一刺激机构刺激该溅射离子材料之原子成为离子化状态,该离子化状态被选择以在具有高概率之溅射第二材料与低概率之溅射第一材料的被选择的能量尖峰附近之分配。该刺激机构可包括一RF或微波感应机构。该气体被维持于部分决定该被选择之能量尖峰的压力,且该刺激机构可创立溅射离子材料之离子的流入,其由反射器表面创立第二材料之离子的流入,并由反射器表面创立第二材料之原子的溅射密度,其等于或超过第二材料之等离子残骸原子的流入率。溅射可就该反射表面之特定所欲的寿命被选择。该反射表面可被加盖。该集光器可包含一椭圆镜与一残骸屏蔽,其可包含径向延伸之槽沟。该第一材料可为钼,该第二材料可为锂, 且该离子材料可为氦。该系统可具有一加热器以由该反射表面蒸发该第二材料。该刺激机构可在点火时间被连接至该反射表面。该反射表面可具有障壁层。该集光器可为一球面镜与入射反射器壳之入射余角组合,其借由在反射器壳之多层堆栈的层材料之选择作用成一光谱滤光器。溅射可与加热组合,后者去除锂且前者去除锂化合物,及该溅射可用等离子所产生之离子而非受刺激之气体原子。

6. 发明专利

TW200601732A 供帶寬光譜控制用之雷射輸出光束前導波分光器 LASER OUTPUT BEAM WAVEFRONT SPLITTER FOR BANDWIDTH SPECTRUM CONTROL 审中-公开
简体标题：供带宽光谱控制用之激光输出光束前导波分光器 LASER OUTPUT BEAM WAVEFRONT SPLITTER FOR BANDWIDTH SPECTRUM CONTROL
公开(公告)号：TW200601732A
公开(公告)日：2006-01-01
申请号：TW094116091
申请日：2005-05-18
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：山德史壯李察L. SANDSTROM, RICHARD L. , 布朗丹尼爾J. W. BROWN, DANIEL J.W. , 艾瑟夫亞歷山大I. ERSHOV, ALEXANDER I. , 佛蒙柯維伊格爾V. FOMENKOV, IGOR V. , 派特洛威廉N. PARTLO, WILLIAM N.
IPC分类号： H04J , H04B
CPC分类号： H01S3/0812 , G03F7/70025 , G03F7/70575 , H01S3/08059 , H01S3/097 , H01S3/1055 , H01S3/1305
摘要：本案揭示一種裝置與方法,以提供在窄帶短脈衝時間氣體放電雷射輸出光脈衝光束產生系統中之帶寬控制,以經選定之脈衝重覆率產生一包含數個雷射輸出光脈衝之光束,該裝置可包含一散射帶寬選擇光組件,其係選定各脈衝之至少一中心波長,此係至少部份地由含有個別脈衝的雷射光脈衝光束在該散射波長選擇光組件上的入射角所決定;一調諧機構,其係操作來選擇含有個別脈衝的雷射光脈衝光束在該散射波長選擇光組件上的至少一入射角;該調諧機構包含多個入射角選擇元件,各元件對該雷射光脈衝之一空間上分開但時序上不分開的不同部份界定一入射角用以從該散射中心波長選擇光組件反射一包含多個空間上分開但時序上不分開之部份之雷射光脈衝,各部份具有至少兩個不同的選定中心波長中之一個。該調諧機構可包含一時序入射角選擇元件,其係對該脈衝之時序上分開的不同部份界定一入射角用以從該散射帶寬選擇光組件反射一包含各脈衝之多個時序上分開之部份之雷射光束,各脈衝之時序上分開的各部份具有至少兩個不同的選定中心波長中之一個。該調諧機構可包含多個空間入射角選擇元件,各元件對該雷射光脈衝之一空間上分開但時序上不分開之部份界定一入射角,以及多個時序入射角選擇元件,各元件對該脈衝各空間上分開但時序上不分開之部份之至少一第一時序上分開之部份界定至少一第一入射角且對該脈衝各空間上分開之部份之一第二時序上分開但空間上不分開之部份界定一第二入射角。
简体摘要：本案揭示一种设备与方法,以提供在窄带短脉冲时间气体放电激光输出光脉冲光束产生系统中之带宽控制,以经选定之脉冲重复率产生一包含数个激光输出光脉冲之光束,该设备可包含一散射带宽选择光组件,其系选定各脉冲之至少一中心波长,此系至少部份地由含有个别脉冲的激光光脉冲光束在该散射波长选择光组件上的入射角所决定;一调谐机构,其系操作来选择含有个别脉冲的激光光脉冲光束在该散射波长选择光组件上的至少一入射角;该调谐机构包含多个入射角选择组件,各组件对该激光光脉冲之一空间上分开但时序上不分开的不同部份界定一入射角用以从该散射中心波长选择光组件反射一包含多个空间上分开但时序上不分开之部份之激光光脉冲,各部份具有至少两个不同的选定中心波长中之一个。该调谐机构可包含一时序入射角选择组件,其系对该脉冲之时序上分开的不同部份界定一入射角用以从该散射带宽选择光组件反射一包含各脉冲之多个时序上分开之部份之激光光束,各脉冲之时序上分开的各部份具有至少两个不同的选定中心波长中之一个。该调谐机构可包含多个空间入射角选择组件,各组件对该激光光脉冲之一空间上分开但时序上不分开之部份界定一入射角,以及多个时序入射角选择组件,各组件对该脉冲各空间上分开但时序上不分开之部份之至少一第一时序上分开之部份界定至少一第一入射角且对该脉冲各空间上分开之部份之一第二时序上分开但空间上不分开之部份界定一第二入射角。

7. 发明专利

TW200820526A 極遠紫外光光學部件 EUV OPTICS 审中-公开
简体标题：极远紫外光光学部件 EUV OPTICS
公开(公告)号：TW200820526A
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW096127084
申请日：2007-07-25
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：伯威林諾貝特R. BOWERING, NORBERT R. , 佛蒙柯維伊格爾V. FOMENKOV, IGOR V.
IPC分类号： H01S
CPC分类号： G03F7/7015 , G02B5/0891 , G02B7/182 , G21K1/062 , Y10T29/49982
摘要：第一態樣中,揭露一用於製造一極遠紫外光(EUV)光源面鏡之方法,其可包含下列作用/步驟:提供複數個離散基材;將經塗覆基材固接在一其中使各經塗覆基材定向至一共同焦點之配置中;及其後拋光多層塗層的至少一者。另一態樣中,揭露一配合EUV光使用之光學部件,其可包含一基材;一選自由Si、C、Si3N4、B4C、SiC及Cr所組成之群組的材料之平坦化層,利用高度能量性沉積條件來沉積該平坦化層材料,以及一多層介電塗層。另一態樣中,一用於EUV面鏡之抗腐蝕性、多層塗層係可包含交替層之Si及一具有氮與一第五週期過渡金屬的化合物材料。
简体摘要：第一态样中,揭露一用于制造一极远紫外光(EUV)光源面镜之方法,其可包含下列作用/步骤:提供复数个离散基材;将经涂覆基材固接在一其中使各经涂覆基材定向至一共同焦点之配置中;及其后抛光多层涂层的至少一者。另一态样中,揭露一配合EUV光使用之光学部件,其可包含一基材;一选自由Si、C、Si3N4、B4C、SiC及Cr所组成之群组的材料之平坦化层,利用高度能量性沉积条件来沉积该平坦化层材料,以及一多层介电涂层。另一态样中,一用于EUV面镜之抗腐蚀性、多层涂层系可包含交替层之Si及一具有氮与一第五周期过渡金属的化合物材料。

8. 发明专利

TW200534750A 雷射生成式電漿(LPP)之極遠紫外線(EUV)光源 LPP EUV LIGHT SOURCE 失效
简体标题：激光生成式等离子(LPP)之极远紫外线(EUV)光源 LPP EUV LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TW200534750A
公开(公告)日：2005-10-16
申请号：TW094105808
申请日：2005-02-25
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：派特洛威廉N. PARTLO, WILLIAM N. , 布朗丹尼爾J. W. BROWN, DANIEL J.W. , 佛蒙柯維伊格爾V. FOMENKOV, IGOR V. , 伯威林諾貝特R. BOWERING, NORBERT R. , 瑞提庫提斯L. RETTIG, CURTIS L. , 馬克法蘭約瑟夫 MACFARLANE, JOSEPH , 艾瑟夫亞歷山大I. ERSHOV, ALEXANDER I. , 漢森邊爾A. M. HANSSON, BJORN A. M.
IPC分类号： H05H
CPC分类号： B82Y10/00 , G03F7/70033 , H05G2/003 , H05G2/008
摘要：本發明係描述一用於在一LPP EUV光源中有效且有效率地提供電漿輻照雷射光脈衝之裝置及方法，可包含一雷射初始標靶輻照脈衝產生機構，雷射初始標靶輻照脈衝產生機構藉由一初始標靶輻照脈衝來輻照一電漿引發標靶以形成一具有一用於發射頻帶內EUV光的發射區之EUV產生電漿；一雷射電漿輻照脈衝產生機構，其在初始標靶輻照脈衝之後藉由一電漿輻照脈衝來輻照電漿以將電漿中的發射材料壓縮前往電漿的發射區。電漿輻照脈衝可包含一雷射脈衝，其比初始標靶輻照脈衝的波長具有一充分更長的波長以具有一相關聯的較低臨界密度，導致吸收係在與一初始電漿輻照部位充分地分離之藉由電漿輻照脈衝的波長所界定之電漿的一區中發生於電漿內以達成發射材料的壓縮，且可能壓縮發射區。雷射電漿輻照脈衝係可能在電漿的燒蝕雲中生成一充分的空中質量密度而足以拘限有利的發射電漿來增加轉換效率。電漿輻照脈衝的沉積區可能自初始標靶表面足夠地移除以確保有利的發射電漿之壓縮。一高轉換效率雷射生成式電漿極遠紫外線(EUV)光源係可包含一雷射初始標靶輻照脈衝產生機構，其藉由一標靶輻照脈衝來輻照一電漿引發標靶以形成一用於發射頻帶內EUV光之EUV產生電漿；一電漿屏(plasma tamper)，其大致圍繞電漿以拘束電漿的擴張。
简体摘要：本发明系描述一用于在一LPP EUV光源中有效且有效率地提供等离子辐照激光光脉冲之设备及方法，可包含一激光初始标靶辐照脉冲产生机构，激光初始标靶辐照脉冲产生机构借由一初始标靶辐照脉冲来辐照一等离子引发标靶以形成一具有一用于发射频带内EUV光的发射区之EUV产生等离子；一激光等离子辐照脉冲产生机构，其在初始标靶辐照脉冲之后借由一等离子辐照脉冲来辐照等离子以将等离子中的发射材料压缩前往等离子的发射区。等离子辐照脉冲可包含一激光脉冲，其比初始标靶辐照脉冲的波长具有一充分更长的波长以具有一相关联的较低临界密度，导致吸收系在与一初始等离子辐照部位充分地分离之借由等离子辐照脉冲的波长所界定之等离子的一区中发生于等离子内以达成发射材料的压缩，且可能压缩发射区。激光等离子辐照脉冲系可能在等离子的烧蚀云中生成一充分的空中质量密度而足以拘限有利的发射等离子来增加转换效率。等离子辐照脉冲的沉积区可能自初始标靶表面足够地移除以确保有利的发射等离子之压缩。一高转换效率激光生成式等离子极远紫外线(EUV)光源系可包含一激光初始标靶辐照脉冲产生机构，其借由一标靶辐照脉冲来辐照一等离子引发标靶以形成一用于发射频带内EUV光之EUV产生等离子；一等离子屏(plasma tamper)，其大致围绕等离子以拘束等离子的扩张。

9. 发明专利

TW200534548A 極端紫外線光源 EUV LIGHT SOURCE 审中-公开
简体标题：极端紫外线光源 EUV LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TW200534548A
公开(公告)日：2005-10-16
申请号：TW094105385
申请日：2005-02-23
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：派特洛威廉N. PARTLO, WILLIAM N. , 伯威林諾貝特R. BOWERING, NORBERT R. , 艾瑟夫亞歷山大I. ERSHOV, ALEXANDER I. , 佛蒙柯維伊格爾V. FOMENKOV, IGOR V. , 麥爾斯大衛W. MYERS, DAVID W. , 歐利維I. 羅傑 OLIVER, I. ROGER , 維德拉約翰 VIATELLA, JOHN , 賈庫斯羅伯特N. JACQUES, ROBERT N.
IPC分类号： H01S
CPC分类号： G03F7/70033 , B82Y10/00 , G03F7/70175 , G03F7/70916 , G21K1/062 , G21K2201/061 , G21K2201/065 , G21K2201/067 , H05G2/003 , H05G2/005 , H05G2/006 , H05G2/008
摘要：本發明係揭露一用於產生EUV光之裝置及方法，其可包含一雷射生成式電漿(LPP)極端紫外線(EUV)光源控制系統，其包括一適可輸送移動的電漿引發標靶之標靶輸送系統，且包括一EUV光收集光學裝置，此EUV光收集光學裝置具有一界定一所需要的電漿引發部位之焦點，該裝置係包含：一標靶追蹤及回饋系統，其包含：至少一成像部件，其提供一標靶物流軌道的一影像作為一輸出，其中標靶物流軌道係導因於攝影機的成像速度過慢無法成像個別電漿形成標靶而將所成像的標靶物流形成為標靶物流軌道；一物流軌道誤差偵測器，其偵測從與所需要的電漿引發部位相交之一所需要的物流軌道概括垂直於標靶物流軌道之至少一軸線中的標靶物流軌道位置中之一誤差。至少一標靶交叉偵測器係可瞄準於標靶軌道並偵測一電漿形成標靶通行經過標靶軌道中的一選定點。一驅動雷射觸發機構利用標靶交叉偵測器的一輸出來決定一驅動雷射觸發的定時，藉以使一驅動雷射輸出脈衝亦概括在其最接近所需要的電漿引發部位之途徑處沿著標靶軌道在一選定電漿引發部位來交會電漿引發標靶。一電漿引發偵測器可瞄準於標靶軌道並對於一各別標靶沿著一電漿引發部位的標靶軌道來偵測位置。一中間焦點照明器係可照明一形成於中間焦點上之開孔以將開孔成像在至少一成像部件中。至少一成像部件可為至少兩成像部件，其各以至少兩成像部件的各別一者之一影像分析為基礎來提供有關標靶軌道與中間焦點的影像之垂直中軸線的分離之一誤差信號。一標靶輸送回饋及控制系統可包含一標靶輸送單元；一標靶輸送位移控制機構，其使標靶輸送機構至少在一對應於得自第一成像部件中的影像分析之一第一位移誤差信號之軸線中及至少在一對應於得自第二成像部件中的影像分析之一第二位移誤差信號之軸線中位移。
简体摘要：本发明系揭露一用于产生EUV光之设备及方法，其可包含一激光生成式等离子(LPP)极端紫外线(EUV)光源控制系统，其包括一适可输送移动的等离子引发标靶之标靶输送系统，且包括一EUV光收集光学设备，此EUV光收集光学设备具有一界定一所需要的等离子引发部位之焦点，该设备系包含：一标靶追踪及回馈系统，其包含：至少一成像部件，其提供一标靶物流轨道的一影像作为一输出，其中标靶物流轨道系导因于摄影机的成像速度过慢无法成像个别等离子形成标靶而将所成像的标靶物流形成为标靶物流轨道；一物流轨道误差侦测器，其侦测从与所需要的等离子引发部位相交之一所需要的物流轨道概括垂直于标靶物流轨道之至少一轴线中的标靶物流轨道位置中之一误差。至少一标靶交叉侦测器系可瞄准于标靶轨道并侦测一等离子形成标靶通行经过标靶轨道中的一选定点。一驱动激光触发机构利用标靶交叉侦测器的一输出来决定一驱动激光触发的定时，借以使一驱动激光输出脉冲亦概括在其最接近所需要的等离子引发部位之途径处沿着标靶轨道在一选定等离子引发部位来交会等离子引发标靶。一等离子引发侦测器可瞄准于标靶轨道并对于一各别标靶沿着一等离子引发部位的标靶轨道来侦测位置。一中间焦点照明器系可照明一形成于中间焦点上之开孔以将开孔成像在至少一成像部件中。至少一成像部件可为至少两成像部件，其各以至少两成像部件的各别一者之一影像分析为基础来提供有关标靶轨道与中间焦点的影像之垂直中轴线的分离之一误差信号。一标靶输送回馈及控制系统可包含一标靶输送单元；一标靶输送位移控制机构，其使标靶输送机构至少在一对应于得自第一成像部件中的影像分析之一第一位移误差信号之轴线中及至少在一对应于得自第二成像部件中的影像分析之一第二位移误差信号之轴线中位移。

10. 发明专利

TWI305296B 用以減少電漿產生的碎片對極端紫外線(EUV)光源內部組件的影響之系統及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR REDUCING THE INFLUENCE OF PLASMA-GENERATED DEBRIS ON THE INTERNAL COMPONENTS OF AN EUV LIGHT SOURCE 有权
简体标题：用以减少等离子产生的碎片对极端紫外线(EUV)光源内部组件的影响之系统及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR REDUCING THE INFLUENCE OF PLASMA-GENERATED DEBRIS ON THE INTERNAL COMPONENTS OF AN EUV LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TWI305296B
公开(公告)日：2009-01-11
申请号：TW094123365
申请日：2005-07-11
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：艾瑟夫亞歷山大I. ERSHOV, ALEXANDER I. , 馬克思威廉N. MARX, WILLIAM F. , 伯威林諾貝特R. BOWERING, NORBERT R. , 漢森巴裘A. M. HANSSON, BJORN A. M. , 克赫迪金歐雷 KHODYKIN, OLEH , 佛蒙柯維伊格爾V. FOMENKOV, IGOR V. , 派特洛威廉N. PARTLO, WILLIAM N.
IPC分类号： G03F , G01J
CPC分类号： H05G2/001 , B08B7/0071 , B82Y10/00 , G01N21/15 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/7085 , G03F7/70916 , G03F7/70925 , G21K1/06 , G21K2201/06
摘要：所揭係為可減少電漿所產生的碎屑對一極端紫外線(EUV)光源內部構件之影響的系統及方法。在一態樣中,一EUV計量監測器會被提供,其具有一加熱器能將一內部多層濾光鏡加熱至一足以由該鏡上除去所沈積碎屑的溫度。在另一態樣中,一裝置會被揭露其可由一EUV光源收集鏡除掉電漿所產生的碎屑,而在該收集鏡上的不同區域會有不同的碎屑沈積速率。在一特殊的態樣中,一EUV收集鏡系統可包含一氫源能與Li碎屑結合而在一收集鏡表面上造成LiH;及一濺射系統能由該收集器表面上濺散LiH。在另一態樣中,一能以一受控的電漿蝕刻速率來由一EUV光源收集鏡表面蝕掉碎屑的裝置會被揭露。
简体摘要：所揭系为可减少等离子所产生的碎屑对一极端紫外线(EUV)光源内部构件之影响的系统及方法。在一态样中,一EUV计量监测器会被提供,其具有一加热器能将一内部多层滤光镜加热至一足以由该镜上除去所沉积碎屑的温度。在另一态样中,一设备会被揭露其可由一EUV光源收集镜除掉等离子所产生的碎屑,而在该收集镜上的不同区域会有不同的碎屑沉积速率。在一特殊的态样中,一EUV收集镜系统可包含一氢源能与Li碎屑结合而在一收集镜表面上造成LiH;及一溅射系统能由该收集器表面上溅散LiH。在另一态样中,一能以一受控的等离子蚀刻速率来由一EUV光源收集镜表面蚀掉碎屑的设备会被揭露。

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