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1. 发明专利

TW200536217A 高重複率雷射生成式電漿之極遠紫外線(EUV)光源 A HIGH REPETITION RATE LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE 审中-公开
简体标题：高重复率激光生成式等离子之极远紫外线(EUV)光源 A HIGH REPETITION RATE LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TW200536217A
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：TW094105596
申请日：2005-02-24
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：阿肯斯羅伯特P. AKINS, ROBERT P. , 聖迪斯特隆理查L. SANDSTROM, RICHARD L. , 派特洛威廉N. PARTLO, WILLIAM N. , 佛蒙柯維伊格爾V. FOMENKOV, IGOR V. , 史提格湯瑪斯D. STEIGER, THOMAS D. , 歐格特斯J. 馬汀 ALGOTS, J. MARTIN , 伯威林諾貝特R. BOWERING, NORBERT R. , 賈庫斯羅伯特N. JACQUES, ROBERT N. , 帕林夏特佛瑞德里克A. PALENSCHAT, FREDERICK A. , 宋俊 SONG, JUN
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y10/00 , G03F7/70033 , H05G2/003 , H05G2/008
摘要：本發明係揭露一極遠紫外線(EUV)光源裝置及方法，其可包含一脈衝式雷射，該脈衝式雷射以一選定脈衝重複率提供聚焦在一所需要的標靶點燃部位上之雷射脈衝；一標靶形成系統，其提供具有與雷射脈衝重複率協調的一選定間隔之離散的標靶；一標靶導向系統，其介於標靶形成系統與所需要的標靶點燃部位中間；及一標靶追蹤系統，其提供關於標靶在標靶形成系統與標靶導向系統之間運動之資訊，而能夠使標靶導向系統將標靶導引至所需要的標靶點燃部位。標靶追蹤系統係可提供能夠生成一雷射發射控制信號之資訊，並可包含一具有一準直光源之滴粒偵測器，該準直光源係被導引成為與標靶的一投射輸送路徑上之一點相交，具有一用於偵測標靶通過各別點之各別相對配置的光偵測器，或一含有對準至一座標軸之一線性陣列的複數個感光元件之偵測器，來自光源的光係與標靶的一投射輸送路徑相交，其至少一者可包含一平面攔截偵測部件。滴粒偵測器係可包含各以一不同光頻率操作之複數個滴粒偵測器，或一具有一視場及用於使視場成像之一二維陣列的像素之攝影機。此裝置及方法可包含一靜電電漿圍堵裝置，其在點燃時於一標靶點燃部位上或附近提供一電性電漿拘限場，其中標靶追蹤系統提供一能夠控制靜電電漿圍堵裝置之信號。此裝置及方法可包含一具有一中間壁之容器，該中間壁具有一可讓EUV光通過並維持一橫越低壓陷阱的差壓力之低壓陷阱。此裝置及方法可包含一磁性電漿拘限機構，其在標靶點燃部位附近生成一磁場以將電漿拘限至標靶點燃部位，其可為脈衝式且可利用來自標靶追蹤系統的輸出加以控制。
简体摘要：本发明系揭露一极远紫外线(EUV)光源设备及方法，其可包含一脉冲式激光，该脉冲式激光以一选定脉冲重复率提供聚焦在一所需要的标靶点燃部位上之激光脉冲；一标靶形成系统，其提供具有与激光脉冲重复率协调的一选定间隔之离散的标靶；一标靶导向系统，其介于标靶形成系统与所需要的标靶点燃部位中间；及一标靶追踪系统，其提供关于标靶在标靶形成系统与标靶导向系统之间运动之信息，而能够使标靶导向系统将标靶导引至所需要的标靶点燃部位。标靶追踪系统系可提供能够生成一激光发射控制信号之信息，并可包含一具有一准直光源之滴粒侦测器，该准直光源系被导引成为与标靶的一投射输送路径上之一点相交，具有一用于侦测标靶通过各别点之各别相对配置的光侦测器，或一含有对准至一座标轴之一线性数组的复数个感光组件之侦测器，来自光源的光系与标靶的一投射输送路径相交，其至少一者可包含一平面拦截侦测部件。滴粒侦测器系可包含各以一不同光频率操作之复数个滴粒侦测器，或一具有一视场及用于使视场成像之一二维数组的像素之摄影机。此设备及方法可包含一静电等离子围堵设备，其在点燃时于一标靶点燃部位上或附近提供一电性等离子拘限场，其中标靶追踪系统提供一能够控制静电等离子围堵设备之信号。此设备及方法可包含一具有一中间壁之容器，该中间壁具有一可让EUV光通过并维持一横越低压猫腻的差压力之低压猫腻。此设备及方法可包含一磁性等离子拘限机构，其在标靶点燃部位附近生成一磁场以将等离子拘限至标靶点燃部位，其可为脉冲式且可利用来自标靶追踪系统的输出加以控制。

2. 发明专利

TWI276270B 高重複率雷射生成式電漿之極遠紫外線(EUV)光源 A HIGH REPETITION RATE LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE 有权
简体标题：高重复率激光生成式等离子之极远紫外线(EUV)光源 A HIGH REPETITION RATE LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TWI276270B
公开(公告)日：2007-03-11
申请号：TW094105596
申请日：2005-02-24
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：阿肯斯羅伯特P. AKINS, ROBERT P. , 聖迪斯特隆理查L. SANDSTROM, RICHARD L. , 派特洛威廉N. PARTLO, WILLIAM N. , 佛蒙柯維伊格爾V. FOMENKOV, IGOR V. , 史提格湯瑪斯D. STEIGER, THOMAS D. , 歐格特斯J. 馬汀 ALGOTS, J. MARTIN , 伯威林諾貝特R. BOWERING, NORBERT R. , 賈庫斯羅伯特N. JACQUES, ROBERT N. , 帕林夏特佛瑞德里克A. PALENSCHAT, FREDERICK A. , 宋俊 SONG, JUN
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y10/00 , G03F7/70033 , H05G2/003 , H05G2/008
摘要：本發明係揭露一極遠紫外線(EUV)光源裝置及方法，其可包含一脈衝式雷射，該脈衝式雷射以一選定脈衝重複率提供聚焦在一所需要的標靶點燃部位上之雷射脈衝；一標靶形成系統，其提供具有與雷射脈衝重複率協調的一選定間隔之離散的標靶；一標靶導向系統，其介於標靶形成系統與所需要的標靶點燃部位中間；及一標靶追蹤系統，其提供關於標靶在標靶形成系統與標靶導向系統之間運動之資訊，而能夠使標靶導向系統將標靶導引至所需要的標靶點燃部位。標靶追蹤系統係可提供能夠生成一雷射發射控制信號之資訊，並可包含一具有一準直光源之滴粒偵測器，該準直光源係被導引成為與標靶的一投射輸送路徑上之一點相交，具有一用於偵測標靶通過各別點之各別相對配置的光偵測器，或一含有對準至一座標軸之一線性陣列的複數個感光元件之偵測器，來自光源的光係與標靶的一投射輸送路徑相交，其至少一者可包含一平面攔截偵測部件。滴粒偵測器係可包含各以一不同光頻率操作之複數個滴粒偵測器，或一具有一視場及用於使視場成像之一二維陣列的像素之攝影機。此裝置及方法可包含一靜電電漿圍堵裝置，其在點燃時於一標靶點燃部位上或附近提供一電性電漿拘限場，其中標靶追蹤系統提供一能夠控制靜電電漿圍堵裝置之信號。此裝置及方法可包含一具有一中間壁之容器，該中間壁具有一可讓EUV光通過並維持一橫越低壓陷阱的差壓力之低壓陷阱。此裝置及方法可包含一磁性電漿拘限機構，其在標靶點燃部位附近生成一磁場以將電漿拘限至標靶點燃部位，其可為脈衝式且可利用來自標靶追蹤系統的輸出加以控制。
简体摘要：本发明系揭露一极远紫外线(EUV)光源设备及方法，其可包含一脉冲式激光，该脉冲式激光以一选定脉冲重复率提供聚焦在一所需要的标靶点燃部位上之激光脉冲；一标靶形成系统，其提供具有与激光脉冲重复率协调的一选定间隔之离散的标靶；一标靶导向系统，其介于标靶形成系统与所需要的标靶点燃部位中间；及一标靶追踪系统，其提供关于标靶在标靶形成系统与标靶导向系统之间运动之信息，而能够使标靶导向系统将标靶导引至所需要的标靶点燃部位。标靶追踪系统系可提供能够生成一激光发射控制信号之信息，并可包含一具有一准直光源之滴粒侦测器，该准直光源系被导引成为与标靶的一投射输送路径上之一点相交，具有一用于侦测标靶通过各别点之各别相对配置的光侦测器，或一含有对准至一座标轴之一线性数组的复数个感光组件之侦测器，来自光源的光系与标靶的一投射输送路径相交，其至少一者可包含一平面拦截侦测部件。滴粒侦测器系可包含各以一不同光频率操作之复数个滴粒侦测器，或一具有一视场及用于使视场成像之一二维数组的像素之摄影机。此设备及方法可包含一静电等离子围堵设备，其在点燃时于一标靶点燃部位上或附近提供一电性等离子拘限场，其中标靶追踪系统提供一能够控制静电等离子围堵设备之信号。此设备及方法可包含一具有一中间壁之容器，该中间壁具有一可让EUV光通过并维持一横越低压猫腻的差压力之低压猫腻。此设备及方法可包含一磁性等离子拘限机构，其在标靶点燃部位附近生成一磁场以将等离子拘限至标靶点燃部位，其可为脉冲式且可利用来自标靶追踪系统的输出加以控制。

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