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1. 发明专利

TW200504780A 極端紫外線光源集光器 COLLECTOR FOR EUV LIGHT SOURCE 失效
简体标题：极端紫外线光源集光器 COLLECTOR FOR EUV LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TW200504780A
公开(公告)日：2005-02-01
申请号：TW093108686
申请日：2004-03-30
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：派特洛威廉N PARTLO, WILLIAM N. , 亞哥特斯約翰M ALGOTS, JOHN MARTIN , 布魯門史托克蓋瑞M BLUMENSTOCK, GERRY M. , 伯威林諾貝特 BOWERING, NORBERT , 艾瑟夫亞歷山大I ERSHOV, ALEXANDER I. , 佛蒙柯維伊格爾V FOMENKOV, IGOR V. , 潘孝江 PAN, XIAOJIANG J.
IPC分类号： H01J
摘要：一種由EUV光源中之EUV集光器的反射表面去除殘骸的方法與裝置被揭示，該光源可包含該反射表面包含一第二材料與該殘骸包含一第二材料與／或第二材料之化合物，該系統與方法可包含受控制之殘骸離子源，其可包含一氣體包含濺射離子材料之原子；以及一刺激機構刺激該濺射離子材料之原子成為離子化狀態，該離子化狀態被選擇以在具有高機率之濺射第二材料與低機率之濺射第一材料的被選擇的能量尖峰附近之分配。該刺激機構可包括一RF或微波感應機構。該氣體被維持於部分決定該被選擇之能量尖峰的壓力，且該刺激機構可創立濺射離子材料之離子的流入，其由反射器表面創立第二材料之離子的流入，並由反射器表面創立第二材料之原子的濺射密度，其等於或超過第二材料之電漿殘骸原子的流入率。濺射可就該反射表面之特定所欲的壽命被選擇。該反射表面可被加蓋。該集光器可包含一橢圓鏡與一殘骸屏蔽，其可包含徑向延伸之槽溝。該第一材料可為鉬，該第二鋰與離子材料可為氦。該系統可具有一加熱器以由該反射表面蒸發該第二材料。該刺激機構可在點火時間被連接至該反射表面。該反射表面可具有障壁層。該集光器可為一球面鏡與入射反射器殼之入射餘角組合，其藉由在反射器殼之多層堆疊的層材料之選擇作用成一光譜濾光器。濺射可與加熱組合，後者去除鋰且前者去除鋰化合物，及該濺射可用電漿所產生之離子而非受刺激之氣體原子。
简体摘要：一种由EUV光源中之EUV集光器的反射表面去除残骸的方法与设备被揭示，该光源可包含该反射表面包含一第二材料与该残骸包含一第二材料与／或第二材料之化合物，该系统与方法可包含受控制之残骸离子源，其可包含一气体包含溅射离子材料之原子；以及一刺激机构刺激该溅射离子材料之原子成为离子化状态，该离子化状态被选择以在具有高概率之溅射第二材料与低概率之溅射第一材料的被选择的能量尖峰附近之分配。该刺激机构可包括一RF或微波感应机构。该气体被维持于部分决定该被选择之能量尖峰的压力，且该刺激机构可创立溅射离子材料之离子的流入，其由反射器表面创立第二材料之离子的流入，并由反射器表面创立第二材料之原子的溅射密度，其等于或超过第二材料之等离子残骸原子的流入率。溅射可就该反射表面之特定所欲的寿命被选择。该反射表面可被加盖。该集光器可包含一椭圆镜与一残骸屏蔽，其可包含径向延伸之槽沟。该第一材料可为钼，该第二锂与离子材料可为氦。该系统可具有一加热器以由该反射表面蒸发该第二材料。该刺激机构可在点火时间被连接至该反射表面。该反射表面可具有障壁层。该集光器可为一球面镜与入射反射器壳之入射余角组合，其借由在反射器壳之多层堆栈的层材料之选择作用成一光谱滤光器。溅射可与加热组合，后者去除锂且前者去除锂化合物，及该溅射可用等离子所产生之离子而非受刺激之气体原子。

2. 发明专利

TW200425802A 放電產生之電漿遠紫外線光源 DISCHARGE PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE 失效
简体标题：放电产生之等离子远紫外线光源 DISCHARGE PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TW200425802A
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：TW093104595
申请日：2004-02-24
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：派特洛威廉N. PARTLO, WILLIAM N. , 布魯門史托克蓋瑞M. BLUMENSTOCK, GERRY M. , 伯威林諾貝特 BOWERING, NORBERT , 布魯卓尼肯特A. BRUZZONE, KENT A. , 考伯丹尼斯W. COBB, DENNIS W. , 戴爾堤摩西S. DYER, TIMOTHY S. , 杜洛普約翰 DUNLOP, JOHN , 佛蒙柯維伊格爾V. FOMENKOV, IGOR V. , 海夏姆詹姆斯C. HYSHAM, JAMES CHRISTOPHER , 歐利維I. 羅傑 OLIVER, I. ROGER , 帕倫夏特佛烈德里克 PALENSCHAT, FREDERICK , 潘孝江 PAN, XIAOJIANG J. , 雷堤吉庫堤斯L. RETTIG, CURTIS L. , 賽蒙斯羅尼D. SIMMONS, RODNEY D. , 瓦克約翰 WALKER, JOHN , 韋伯R. 凱利 WEBB, R. KYLE , 賀夫曼湯瑪斯 HOFMANN, THOMAS
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01S3/005 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70166 , G03F7/70175 , G03F7/70908 , G03F7/70916 , H01S3/225 , H05G2/003 , H05G2/005 , H05H1/06
摘要：本發明揭露一種DPP EUV源，其可包含一採用一金屬鹵素氣體自離開電漿的雜屑產生一金屬鹵化物之雜屑消減裝置。EUV源可具有一可包含複數個曲線型遮蔽構件之雜屑遮蔽器，其中複數個曲線型遮蔽構件具有由對準於一焦點的光通道所連接之內及外表面，該等遮蔽構件可與其間的開放空間呈現交替且可具有在一旋轉軸線中形成一圓形且在另一旋轉軸線中形成一橢圓形之表面。可對於電極供應一放電脈衝且其經過定型以在放電的軸向跑出階段期間產生一適度電流並在放電的徑向壓縮階段期間產生一峰值。光源可包含一渦輪分子泵且其具有一連接至產生室之入口並可操作以從室優先泵送比起緩衝氣體更多之源氣體。此源可包含一經調整的導電電極，此導電電極包含：一經差異性摻雜的陶瓷材料，其摻雜入一第一區中以至少選擇導電性以及一第二區中以至少選擇導熱性。第一區可位於或接近於電極結構的外表面，且陶瓷材料可為SiC或氧化鋁，而摻雜物為BN、或為一金屬氧化物包括SiO或TiO2。源部可包含一可移式電極總成安裝座且可操作以將電極總成安裝座從一更換位置移至一操作位置，其中可移式安裝座係位於一伸縮節上。源部可具有一溫度控制機構，其可操作性連接至收集器且可操作用以調節各別殼套構件的溫度以維持一與溫度有關的幾何結構而使得來自各別殼套構件之入射反射的掠射角達到最佳化，或具有一用以定位殼套構件之機械定位器。可以一電壓使殼套偏壓。可利用偏離焦點的雷射輻射來製造雜屑遮蔽器。可藉由一界定有兩個冷卻劑通道之中空內部或界定有通道之多孔金屬來冷卻陽極。可利用提供均勻分離與加強且不會阻絕顯著光量之互鎖籤片，藉由附接至一安裝環或轂或附接至彼此之複數個大、中及小型鰭片來形成雜屑遮蔽器。
简体摘要：本发明揭露一种DPP EUV源，其可包含一采用一金属卤素气体自离开等离子的杂屑产生一金属卤化物之杂屑消减设备。EUV源可具有一可包含复数个曲线型屏蔽构件之杂屑屏蔽器，其中复数个曲线型屏蔽构件具有由对准于一焦点的光信道所连接之内及外表面，该等屏蔽构件可与其间的开放空间呈现交替且可具有在一旋转轴线中形成一圆形且在另一旋转轴线中形成一椭圆形之表面。可对于电极供应一放电脉冲且其经过定型以在放电的轴向跑出阶段期间产生一适度电流并在放电的径向压缩阶段期间产生一峰值。光源可包含一涡轮分子泵且其具有一连接至产生室之入口并可操作以从室优先泵送比起缓冲气体更多之源气体。此源可包含一经调整的导电电极，此导电电极包含：一经差异性掺杂的陶瓷材料，其掺杂入一第一区中以至少选择导电性以及一第二区中以至少选择导热性。第一区可位于或接近于电极结构的外表面，且陶瓷材料可为SiC或氧化铝，而掺杂物为BN、或为一金属氧化物包括SiO或TiO2。源部可包含一可移式电极总成安装座且可操作以将电极总成安装座从一更换位置移至一操作位置，其中可移式安装座系位于一伸缩节上。源部可具有一温度控制机构，其可操作性连接至收集器且可操作用以调节各别壳套构件的温度以维持一与温度有关的几何结构而使得来自各别壳套构件之入射反射的掠射角达到最优化，或具有一用以定位壳套构件之机械定位器。可以一电压使壳套偏压。可利用偏离焦点的激光辐射来制造杂屑屏蔽器。可借由一界定有两个冷却剂信道之中空内部或界定有信道之多孔金属来冷却阳极。可利用提供均匀分离与加强且不会阻绝显着光量之互锁签片，借由附接至一安装环或毂或附接至彼此之复数个大、中及小型鳍片来形成杂屑屏蔽器。

3. 发明专利

TWI299505B 極端紫外線光源中極端紫外線集光器反射表面上殘餘殘骸的去除系統與方法 SYSTEMS AND METHODS FOR REMOVAL OF DEBRIS ON A REFLECTING SURFACE OF AN EUV COLLECTOR IN AN EUV LIGHT SOURCE 失效
简体标题：极端紫外线光源中极端紫外线集光器反射表面上残余残骸的去除系统与方法 SYSTEMS AND METHODS FOR REMOVAL OF DEBRIS ON A REFLECTING SURFACE OF AN EUV COLLECTOR IN AN EUV LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TWI299505B
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW093108686
申请日：2004-03-30
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：派特洛威廉N. PARTLO, WILLIAM N. , 亞哥特斯約翰M. ALGOTS, JOHN MARTIN , 布魯門史托克蓋瑞M. BLUMENSTOCK, GERRY M. , 伯威林諾貝特 BOWERING, NORBERT , 艾瑟夫亞歷山大I. ERSHOV, ALEXANDER I. , 佛蒙柯維伊格爾V. FOMENKOV, IGOR V. , 潘孝江 PAN, XIAOJIANG J.
IPC分类号： H01J
摘要：一種由EUV光源中之EUV集光器的反射表面去除殘骸的方法與
裝置被揭示,該集光器可包含該反射表面,其包含一第一材料;與
該殘骸,其包含一第二材料與/或第二材料之化合物,該系統與方法
可包含受控制之濺射離子源,其可包含一氣體,該氣體包含濺射離
子材料之原子;以及一刺激機構刺激該濺射離子材料之原子成為離
子化狀態,該離子化狀態被選擇以在具有高機率之濺射第二材料與
低機率之濺射第一材料的被選擇的能量尖峰附近之分配。該刺激機
構可包括一RF或微波感應機構。該氣體被維持於部分決定該被選擇
之能量尖峰的壓力,且該刺激機構可創立濺射離子材料之離子的流
入,其由反射器表面創立第二材料之離子的流入,並由反射器表面
創立第二材料之原子的濺射密度,其等於或超過第二材料之電漿殘
骸原子的流入率。濺射可就該反射表面之特定所欲的壽命被選擇。
該反射表面可被加蓋。該集光器可包含一橢圓鏡與一殘骸屏蔽,其
可包含徑向延伸之槽溝。該第一材料可為鉬,該第二材料可為鋰,
且該離子材料可為氦。該系統可具有一加熱器以由該反射表面蒸發
該第二材料。該刺激機構可在點火時間被連接至該反射表面。該反
射表面可具有障壁層。該集光器可為一球面鏡與入射反射器殼之入
射餘角組合,其藉由在反射器殼之多層堆疊的層材料之選擇作用成
一光譜濾光器。濺射可與加熱組合,後者去除鋰且前者去除鋰化合
物,及該濺射可用電漿所產生之離子而非受刺激之氣體原子。
简体摘要：一种由EUV光源中之EUV集光器的反射表面去除残骸的方法与设备被揭示,该集光器可包含该反射表面,其包含一第一材料;与该残骸,其包含一第二材料与/或第二材料之化合物,该系统与方法可包含受控制之溅射离子源,其可包含一气体,该气体包含溅射离子材料之原子;以及一刺激机构刺激该溅射离子材料之原子成为离子化状态,该离子化状态被选择以在具有高概率之溅射第二材料与低概率之溅射第一材料的被选择的能量尖峰附近之分配。该刺激机构可包括一RF或微波感应机构。该气体被维持于部分决定该被选择之能量尖峰的压力,且该刺激机构可创立溅射离子材料之离子的流入,其由反射器表面创立第二材料之离子的流入,并由反射器表面创立第二材料之原子的溅射密度,其等于或超过第二材料之等离子残骸原子的流入率。溅射可就该反射表面之特定所欲的寿命被选择。该反射表面可被加盖。该集光器可包含一椭圆镜与一残骸屏蔽,其可包含径向延伸之槽沟。该第一材料可为钼,该第二材料可为锂, 且该离子材料可为氦。该系统可具有一加热器以由该反射表面蒸发该第二材料。该刺激机构可在点火时间被连接至该反射表面。该反射表面可具有障壁层。该集光器可为一球面镜与入射反射器壳之入射余角组合,其借由在反射器壳之多层堆栈的层材料之选择作用成一光谱滤光器。溅射可与加热组合,后者去除锂且前者去除锂化合物,及该溅射可用等离子所产生之离子而非受刺激之气体原子。

4. 发明专利

TW200610452A 放電產生之電漿遠紫外線光源(一) DISCHARGE PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE 失效
简体标题：放电产生之等离子远紫外线光源(一) DISCHARGE PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TW200610452A
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：TW094135161
申请日：2004-02-24
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：派特洛威廉N PARTLO, WILLIAM N. , 布魯門史托克蓋瑞M BLUMENSTOCK, GERRY M. , 伯威林諾貝特 BOWERING, NORBERT , 布魯卓尼肯特A BRUZZONE, KENT A. , 考伯丹尼斯W COBB, DENNIS W. , 戴爾堤摩西S DYER, TIMOTHY S. , 杜洛普約翰 DUNLOP, JOHN , 佛蒙柯維伊格爾V FOMENKOV, IGOR V. , 海夏姆詹姆斯C HYSHAM, JAMES CHRISTOPHER , 歐利維I 羅傑 OLIVER, I. ROGER , 帕倫夏特佛烈德里克 PALENSCHAT, FREDERICK , 潘孝江 PAN, XIAOJIANG J. , 雷堤吉庫堤斯L RETTIG, CURTIS L. , 賽蒙斯羅尼D SIMMONS, RODNEY D. , 瓦克約翰 WALKER, JOHN , 韋伯R 凱利 WEBB, R. KYLE , 賀夫曼湯瑪斯 HOFMANN, THOMAS
IPC分类号： H05H
摘要：本發明揭露一種DPP EUV源，其可包含一採用一金屬鹵素氣體自離開電漿的雜屑產生一金屬鹵化物之雜屑消減裝置。EUV源可具有一可包含複數個曲線型遮蔽構件之雜屑遮蔽器，其中複數個曲線型遮蔽構件具有由對準於一焦點的光通道所連接之內及外表面，該等遮蔽構件可與其間的開放空間呈現交替且可具有在一旋轉軸線中形成一圓形且在另一旋轉軸線中形成一橢圓形之表面。可對於電極供應一放電脈衝且其經過定型以在放電的軸向跑出階段期間產生一適度電流並在放電的徑向壓縮階段期間產生一峰值。光源可包含一渦輪分子泵且其具有一連接至產生室之入口並可操作以從室優先泵送比起緩衝氣體更多之源氣體。此源可包含一經調整的導電電極，此導電電極包含：一經差異性摻雜的陶瓷材料，其摻雜入一第一區中以至少選擇導電性以及一第二區中以至少選擇導熱性。第一區可位於或接近於電極結構的外表面，且陶瓷材料可為SiC或氧化鋁，而摻雜物為BN、或為一金屬氧化物包括SiO或TiO2。源部可包含一可移式電極總成安裝座且可操作以將電極總成安裝座從一更換位置移至一操作位置，其中可移式安裝座係位於一伸縮節上。源部可具有一溫度控制機構，其可操作性連接至收集器且可操作用以調節各別殼套構件的溫度以維持一與溫度有關的幾何結構而使得來自各別殼套構件之入射反射的掠射角達到最佳化，或具有一用以定位殼套構件之機械定位器。可以一電壓使殼套偏壓。可利用偏離焦點的雷射輻射來製造雜屑遮蔽器。可藉由一界定有兩個冷卻劑通道之中空內部或界定有通道之多孔金屬來冷卻陽極。可利用提供均勻分離與加強且不會阻絕顯著光量之互鎖籤片，藉由附接至一安裝環或轂或附接至彼此之複數個大、中及小型鰭片來形成雜屑遮蔽器。
简体摘要：本发明揭露一种DPP EUV源，其可包含一采用一金属卤素气体自离开等离子的杂屑产生一金属卤化物之杂屑消减设备。EUV源可具有一可包含复数个曲线型屏蔽构件之杂屑屏蔽器，其中复数个曲线型屏蔽构件具有由对准于一焦点的光信道所连接之内及外表面，该等屏蔽构件可与其间的开放空间呈现交替且可具有在一旋转轴线中形成一圆形且在另一旋转轴线中形成一椭圆形之表面。可对于电极供应一放电脉冲且其经过定型以在放电的轴向跑出阶段期间产生一适度电流并在放电的径向压缩阶段期间产生一峰值。光源可包含一涡轮分子泵且其具有一连接至产生室之入口并可操作以从室优先泵送比起缓冲气体更多之源气体。此源可包含一经调整的导电电极，此导电电极包含：一经差异性掺杂的陶瓷材料，其掺杂入一第一区中以至少选择导电性以及一第二区中以至少选择导热性。第一区可位于或接近于电极结构的外表面，且陶瓷材料可为SiC或氧化铝，而掺杂物为BN、或为一金属氧化物包括SiO或TiO2。源部可包含一可移式电极总成安装座且可操作以将电极总成安装座从一更换位置移至一操作位置，其中可移式安装座系位于一伸缩节上。源部可具有一温度控制机构，其可操作性连接至收集器且可操作用以调节各别壳套构件的温度以维持一与温度有关的几何结构而使得来自各别壳套构件之入射反射的掠射角达到最优化，或具有一用以定位壳套构件之机械定位器。可以一电压使壳套偏压。可利用偏离焦点的激光辐射来制造杂屑屏蔽器。可借由一界定有两个冷却剂信道之中空内部或界定有信道之多孔金属来冷却阳极。可利用提供均匀分离与加强且不会阻绝显着光量之互锁签片，借由附接至一安装环或毂或附接至彼此之复数个大、中及小型鳍片来形成杂屑屏蔽器。

5. 发明专利

TWI312644B 放電產生之電漿遠紫外線光源(一) DISCHARGE PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE 失效
简体标题：放电产生之等离子远紫外线光源(一) DISCHARGE PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TWI312644B
公开(公告)日：2009-07-21
申请号：TW094135161
申请日：2004-02-24
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：派特洛威廉N. PARTLO, WILLIAM N. , 布魯門史托克蓋瑞M. BLUMENSTOCK, GERRY M. , 伯威林諾貝特 BOWERING, NORBERT , 布魯卓尼肯特A. BRUZZONE, KENT A. , 考伯丹尼斯W. COBB, DENNIS W. , 戴爾堤摩西S. DYER, TIMOTHY S. , 杜洛普約翰 DUNLOP, JOHN , 佛蒙柯維伊格爾V. FOMENKOV, IGOR V. , 海夏姆詹姆斯C. HYSHAM, JAMES CHRISTOPHER , 歐利維I. 羅傑 OLIVER, I. ROGER , 帕倫夏特佛烈德里克 PALENSCHAT, FREDERICK , 潘孝江 PAN, XIAOJIANG J. , 雷堤吉庫堤斯L. RETTIG, CURTIS L. , 賽蒙斯羅尼D. SIMMONS, RODNEY D. , 瓦克約翰 WALKER, JOHN , 韋伯R. 凱利 WEBB, R. KYLE , 賀夫曼湯瑪斯 HOFMANN, THOMAS , 柯賀戴基歐雷 KHODYKIN, OLEH
IPC分类号： H05H
摘要：本發明揭露一種DPP EUV源,其可包含一採用一金屬鹵素氣體自離開電漿的雜屑產生一金屬鹵化物之雜屑消減裝置。EUV源可具有一可包含複數個曲線型遮蔽構件之雜屑遮蔽器,其中複數個曲線型遮蔽構件具有由對準於一焦點的光通道所連接之內及外表面,該等遮蔽構件可與其間的開放空間呈現交替且可具有在一旋轉軸線中形成一圓形且在另一旋轉軸線中形成一橢圓形之表面。可對於電極供應一放電脈衝且其經過定型以在放電的軸向跑出階段期間產生一適度電流並在放電的徑向壓縮階段期間產生一峰値。光源可包含一渦輪分子泵且其具有一連接至產生室之入口並可操作以從室優先泵送比起緩衝氣體更多之源氣體。此源可包含一經調整的導電電極,此導電電極包含:一經差異性摻雜的陶瓷材料,其摻雜入一第一區中以至少選擇導電性以及一第二區中以至少選擇導熱性。第一區可位於或接近於電極結構的外表面,且陶瓷材料可為SiC或氧化鋁,而摻雜物為BN、或為一金屬氧化物包括SiO或TiO2。源部可包含一可移式電極總成安裝座且可操作以將電極總成安裝座從一更換位置移至一操作位置,其中可移式安裝座係位於一伸縮節上。源部可具有一溫度控制機構,其可操作性連接至收集器且可操作用以調節各別殼套構件的溫度以維持一與溫度有關的幾何結構而使得來自各別殼套構件之入射反射的掠射角達到最佳化,或具有一用以定位殼套構件之機械定位器。可以一電壓使殼套偏壓。可利用偏離焦點的雷射輻射來製造雜屑遮蔽器。可藉由一界定有兩個冷卻劑通道之中空內部或界定有通道之多孔金屬來冷卻陽極。可利用提供均勻分離與加强且不會阻絕顯著光量之互鎖籤片,藉由附接至一安裝環或轂或附接至彼此之複數個大、中及小型鰭片來形成雜屑遮蔽器。
简体摘要：本发明揭露一种DPP EUV源,其可包含一采用一金属卤素气体自离开等离子的杂屑产生一金属卤化物之杂屑消减设备。EUV源可具有一可包含复数个曲线型屏蔽构件之杂屑屏蔽器,其中复数个曲线型屏蔽构件具有由对准于一焦点的光信道所连接之内及外表面,该等屏蔽构件可与其间的开放空间呈现交替且可具有在一旋转轴线中形成一圆形且在另一旋转轴线中形成一椭圆形之表面。可对于电极供应一放电脉冲且其经过定型以在放电的轴向跑出阶段期间产生一适度电流并在放电的径向压缩阶段期间产生一峰値。光源可包含一涡轮分子泵且其具有一连接至产生室之入口并可操作以从室优先泵送比起缓冲气体更多之源气体。此源可包含一经调整的导电电极,此导电电极包含:一经差异性掺杂的陶瓷材料,其掺杂入一第一区中以至少选择导电性以及一第二区中以至少选择导热性。第一区可位于或接近于电极结构的外表面,且陶瓷材料可为SiC或氧化铝,而掺杂物为BN、或为一金属氧化物包括SiO或TiO2。源部可包含一可移式电极总成安装座且可操作以将电极总成安装座从一更换位置移至一操作位置,其中可移式安装座系位于一伸缩节上。源部可具有一温度控制机构,其可操作性连接至收集器且可操作用以调节各别壳套构件的温度以维持一与温度有关的几何结构而使得来自各别壳套构件之入射反射的掠射角达到最优化,或具有一用以定位壳套构件之机械定位器。可以一电压使壳套偏压。可利用偏离焦点的激光辐射来制造杂屑屏蔽器。可借由一界定有两个冷却剂信道之中空内部或界定有信道之多孔金属来冷却阳极。可利用提供均匀分离与加强且不会阻绝显着光量之互锁签片,借由附接至一安装环或毂或附接至彼此之复数个大、中及小型鳍片来形成杂屑屏蔽器。

6. 发明专利

TW200842515A 雷射生成式電漿超紫外線(EUV)光源 LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE 审中-公开
简体标题：激光生成式等离子超紫外线(EUV)光源 LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TW200842515A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW097103714
申请日：2008-01-31
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：拜卡諾弗亞歷山大N BYKANOV, ALEXANDER N. , 伯威林諾貝特 BOWERING, NORBERT , 佛曼卡伊果V FOMENKOV, IGOR V. , 布蘭特大衛C BRANDT, DAVID C. , 艾瑟夫亞歷山大I ERSHOV, ALEXANDER I. , 赫迪金歐雷 KHODYKIN, OLEH , 派特洛威廉N PARTLO, WILLIAM N.
IPC分类号： G03F , H05G
CPC分类号： G03F7/70916 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70908 , G03F7/70983 , H05G2/003 , H05G2/008
摘要：揭露一種裝置,其能夠包含一在一電漿場產生一電漿之系統,該電漿產生超紫外線(EUV)輻射,以及離開該電漿之離子。該裝置亦能夠包括一光學儀器,例如一多層鏡片,其與該電漿場相隔一段距離d、以及一流動氣體,其配置於電漿與光學儀器之間,該氣體建立一氣體壓力,該壓力足以越過該距離d運作,以便在離子到達光學儀器之前將離子能量降低到一預先選定値。在一實施例中,該氣體能夠包含氫氣,且在一特定實施例中,該氣體能夠包含體積百分比大於百分之50的氫氣。
简体摘要：揭露一种设备,其能够包含一在一等离子场产生一等离子之系统,该等离子产生超紫外线(EUV)辐射,以及离开该等离子之离子。该设备亦能够包括一光学仪器,例如一多层镜片,其与该等离子场相隔一段距离d、以及一流动气体,其配置于等离子与光学仪器之间,该气体创建一气体压力,该压力足以越过该距离d运作,以便在离子到达光学仪器之前将离子能量降低到一预先选定値。在一实施例中,该气体能够包含氢气,且在一特定实施例中,该气体能够包含体积百分比大于百分之50的氢气。

7. 发明专利

TW200742502A 雷射生成式電漿極端紫外線(EUV)光源 LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE 审中-公开
简体标题：激光生成式等离子极端紫外线(EUV)光源 LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TW200742502A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096103521
申请日：2007-01-31
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：艾瑟夫亞歷山大I ERSHOV, ALEXANDER I. , 派特洛威廉N PARTLO, WILLIAM N. , 伯威林諾貝特 BOWERING, NORBERT , 漢森柏傑 HANSSON, BJORN
IPC分类号： H05G
摘要：本發明係揭露一極端紫外線(EUV)光源,其可包括一譬如CO2雷射等雷射源、一電漿室、及一用以使一雷射光束自雷射源穿入電漿室內之光束輸送系統。揭露可包括下列一或多者之實施例;可提供一旁通線路以建立流體導通於電漿室與輔助室之間,一用以將雷射光束聚焦至電漿室中的一焦小區之譬如面鏡等聚焦光學件,一用以導向電漿室中的雷射光束焦小區之導向光學件,及一用以調整焦度之光學配置。
简体摘要：本发明系揭露一极端紫外线(EUV)光源,其可包括一譬如CO2激光等激光源、一等离子室、及一用以使一激光光束自激光源穿入等离子室内之光束输送系统。揭露可包括下列一或多者之实施例;可提供一旁通线路以创建流体导通于等离子室与辅助室之间,一用以将激光光束聚焦至等离子室中的一焦小区之譬如面镜等聚焦光学件,一用以导向等离子室中的激光光束焦小区之导向光学件,及一用以调整焦度之光学配置。

8. 发明专利

TWI275325B 放電產生之電漿遠紫外線光源 DISCHARGE PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE 失效
简体标题：放电产生之等离子远紫外线光源 DISCHARGE PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TWI275325B
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：TW093104595
申请日：2004-02-24
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：派特洛威廉N. PARTLO, WILLIAM N. , 布魯門史托克蓋瑞M. BLUMENSTOCK, GERRY M. , 伯威林諾貝特 BOWERING, NORBERT , 布魯卓尼肯特A. BRUZZONE, KENT A. , 考伯丹尼斯W. COBB, DENNIS W. , 戴爾堤摩西S. DYER, TIMOTHY S. , 杜洛普約翰 DUNLOP, JOHN , 佛蒙柯維伊格爾V. FOMENKOV, IGOR V. , 海夏姆詹姆斯C. HYSHAM, JAMES CHRISTOPHER , 歐利維I. 羅傑 OLIVER, I. ROGER , 帕倫夏特佛烈德里克 PALENSCHAT, FREDERICK , 潘孝江 PAN, XIAOJIANG J. , 雷堤吉庫堤斯L. RETTIG, CURTIS L. , 賽蒙斯羅尼D. SIMMONS, RODNEY D. , 瓦克約翰 WALKER, JOHN , 韋伯R. 凱利 WEBB, R. KYLE , 賀夫曼湯瑪斯 HOFMANN, THOMAS , 柯賀戴基歐雷 KHODYKIN, OLEH
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01S3/005 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70166 , G03F7/70175 , G03F7/70908 , G03F7/70916 , H01S3/225 , H05G2/003 , H05G2/005 , H05H1/06
摘要：本發明揭露一種DPP EUV源，其可包含一採用一金屬鹵素氣體自離開電漿的雜屑產生一金屬鹵化物之雜屑消減裝置。EUV源可具有一可包含複數個曲線型遮蔽構件之雜屑遮蔽器，其中複數個曲線型遮蔽構件具有由對準於一焦點的光通道所連接之內及外表面，該等遮蔽構件可與其間的開放空間呈現交替且可具有在一旋轉軸線中形成一圓形且在另一旋轉軸線中形成一橢圓形之表面。可對於電極供應一放電脈衝且其經過定型以在放電的軸向跑出階段期間產生一適度電流並在放電的徑向壓縮階段期間產生一峰值。光源可包含一渦輪分子泵且其具有一連接至產生室之入口並可操作以從室優先泵送比起緩衝氣體更多之源氣體。此源可包含一經調整的導電電極，此導電電極包含：一經差異性摻雜的陶瓷材料，其摻雜入一第一區中以至少選擇導電性以及一第二區中以至少選擇導熱性。第一區可位於或接近於電極結構的外表面，且陶瓷材料可為SiC或氧化鋁，而摻雜物為BN、或為一金屬氧化物包括SiO或TiO2。源部可包含一可移式電極總成安裝座且可操作以將電極總成安裝座從一更換位置移至一操作位置，其中可移式安裝座係位於一伸縮節上。源部可具有一溫度控制機構，其可操作性連接至收集器且可操作用以調節各別殼套構件的溫度以維持一與溫度有關的幾何結構而使得來自各別殼套構件之入射反射的掠射角達到最佳化，或具有一用以定位殼套構件之機械定位器。可以一電壓使殼套偏壓。可利用偏離焦點的雷射輻射來製造雜屑遮蔽器。可藉由一界定有兩個冷卻劑通道之中空內部或界定有通道之多孔金屬來冷卻陽極。可利用提供均勻分離與加強且不會阻絕顯著光量之互鎖籤片，藉由附接至一安裝環或轂或附接至彼此之複數個大、中及小型鰭片來形成雜屑遮蔽器。
简体摘要：本发明揭露一种DPP EUV源，其可包含一采用一金属卤素气体自离开等离子的杂屑产生一金属卤化物之杂屑消减设备。EUV源可具有一可包含复数个曲线型屏蔽构件之杂屑屏蔽器，其中复数个曲线型屏蔽构件具有由对准于一焦点的光信道所连接之内及外表面，该等屏蔽构件可与其间的开放空间呈现交替且可具有在一旋转轴线中形成一圆形且在另一旋转轴线中形成一椭圆形之表面。可对于电极供应一放电脉冲且其经过定型以在放电的轴向跑出阶段期间产生一适度电流并在放电的径向压缩阶段期间产生一峰值。光源可包含一涡轮分子泵且其具有一连接至产生室之入口并可操作以从室优先泵送比起缓冲气体更多之源气体。此源可包含一经调整的导电电极，此导电电极包含：一经差异性掺杂的陶瓷材料，其掺杂入一第一区中以至少选择导电性以及一第二区中以至少选择导热性。第一区可位于或接近于电极结构的外表面，且陶瓷材料可为SiC或氧化铝，而掺杂物为BN、或为一金属氧化物包括SiO或TiO2。源部可包含一可移式电极总成安装座且可操作以将电极总成安装座从一更换位置移至一操作位置，其中可移式安装座系位于一伸缩节上。源部可具有一温度控制机构，其可操作性连接至收集器且可操作用以调节各别壳套构件的温度以维持一与温度有关的几何结构而使得来自各别壳套构件之入射反射的掠射角达到最优化，或具有一用以定位壳套构件之机械定位器。可以一电压使壳套偏压。可利用偏离焦点的激光辐射来制造杂屑屏蔽器。可借由一界定有两个冷却剂信道之中空内部或界定有信道之多孔金属来冷却阳极。可利用提供均匀分离与加强且不会阻绝显着光量之互锁签片，借由附接至一安装环或毂或附接至彼此之复数个大、中及小型鳍片来形成杂屑屏蔽器。

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