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1. 发明专利

TW201533539A 圖案形成方法、蝕刻方法、電子元件的製造方法及電子元件审中-公开
简体标题：图案形成方法、蚀刻方法、电子组件的制造方法及电子组件
公开(公告)号：TW201533539A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW104104488
申请日：2015-02-11
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：上羽亮介 , UEBA, RYOSUKE , 井口直也 , IGUCHI, NAOYA , 山中司 , YAMANAKA, TSUKASA , 丹呉直紘 , TANGO, NAOHIRO , 白川三千紘 , SHIRAKAWA, MICHIHIRO , 加藤啓太 , KATO, KEITA
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F1/20 , G03F1/22 , G03F7/40 , H01L21/306 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0035 , G03F7/0397 , G03F7/2053 , G03F7/325 , G03F7/40 , H01L21/0271 , H01L21/31144
摘要：一種圖案形成方法，其包括：(i-1)於基板上，使用感光化射線性或感放射線性樹脂組成物(1)來形成第1膜的步驟、(i-2)對第1膜進行曝光的步驟、(i-3)使用包含有機溶劑的顯影液對經曝光的第1膜進行顯影，而形成第1負型圖案的步驟；(iii)至少於第1負型圖案上，使用感光化射線性或感放射線性樹脂組成物(2)來形成第2膜的步驟；(v)對第2膜進行曝光的步驟；以及(vi)使用包含有機溶劑的顯影液對經曝光的第2膜進行顯影，至少於第1負型圖案上形成第2負型圖案的步驟。
简体摘要：一种图案形成方法，其包括：(i-1)于基板上，使用感光化射线性或感放射线性树脂组成物(1)来形成第1膜的步骤、(i-2)对第1膜进行曝光的步骤、(i-3)使用包含有机溶剂的显影液对经曝光的第1膜进行显影，而形成第1负型图案的步骤；(iii)至少于第1负型图案上，使用感光化射线性或感放射线性树脂组成物(2)来形成第2膜的步骤；(v)对第2膜进行曝光的步骤；以及(vi)使用包含有机溶剂的显影液对经曝光的第2膜进行显影，至少于第1负型图案上形成第2负型图案的步骤。

2. 发明专利

TW201445255A 圖案剝離方法、電子元件及其製造方法审中-公开
简体标题：图案剥离方法、电子组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201445255A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW103115564
申请日：2014-04-30
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：山中司 , YAMANAKA, TSUKASA , 藤森亨 , FUJIMORI, TORU
IPC分类号： G03F7/038
CPC分类号： G03F7/426 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/423 , G03F7/425
摘要：本發明的課題在於提供剝離性優異、且對基板的損傷少的圖案剝離方法、包含所述圖案剝離方法的電子元件的製造方法、及藉由所述製造方法而製造的電子元件。本發明包含：抗蝕劑膜形成步驟，於基板上塗佈感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，而形成抗蝕劑膜；曝光步驟，對所述抗蝕劑膜進行曝光；顯影步驟，使用含有有機溶劑的顯影液對經曝光的所述抗蝕劑膜進行顯影，而形成負型圖案；剝離步驟，使用下述A或B的液體將所述負型圖案剝離：A：含有亞碸化合物及/或醯胺化合物的液體、B：含有硫酸與過氧化氫的液體。
简体摘要：本发明的课题在于提供剥离性优异、且对基板的损伤少的图案剥离方法、包含所述图案剥离方法的电子组件的制造方法、及借由所述制造方法而制造的电子组件。本发明包含：抗蚀剂膜形成步骤，于基板上涂布感光化射线性或感放射线性树脂组成物，而形成抗蚀剂膜；曝光步骤，对所述抗蚀剂膜进行曝光；显影步骤，使用含有有机溶剂的显影液对经曝光的所述抗蚀剂膜进行显影，而形成负型图案；剥离步骤，使用下述A或B的液体将所述负型图案剥离：A：含有亚砜化合物及/或酰胺化合物的液体、B：含有硫酸与过氧化氢的液体。

3. 发明专利

TW201407662A 圖案形成方法以及使用其的電子元件的製造方法、以及電子元件审中-公开
简体标题：图案形成方法以及使用其的电子组件的制造方法、以及电子组件
公开(公告)号：TW201407662A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102127906
申请日：2013-08-05
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：杉山真一 , SUGIYAMA, SHINICHI , 山中司 , YAMANAKA, TSUKASA , 上羽亮介 , UEBA, RYOSUKE , 百田淳 , MOMOTA, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/038 , C08L33/08
CPC分类号： G03F7/167 , G03F7/0035 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/2041 , G03F7/30 , G03F7/325 , G03F7/38 , G03F7/40
摘要：本發明提供一種圖案形成方法以及使用其的電子元件的製造方法、以及電子元件。本發明的圖案形成方法包括：(I)使用感光化射線性或感放射線性樹脂組成物於基板上形成第1膜的步驟，上述感光化射線性或感放射線性樹脂組成物含有(A)藉由酸的作用而極性增大而對包含有機溶劑的顯影液的溶解性減小的樹脂；(II)對上述第1膜進行曝光的步驟；(III)使用包含有機溶劑的顯影液對上述經曝光的第1膜進行顯影，形成負型圖案的步驟；以及(IV)以覆蓋上述負型圖案的周圍的方式，於上述基板上形成第2膜的步驟。
简体摘要：本发明提供一种图案形成方法以及使用其的电子组件的制造方法、以及电子组件。本发明的图案形成方法包括：(I)使用感光化射线性或感放射线性树脂组成物于基板上形成第1膜的步骤，上述感光化射线性或感放射线性树脂组成物含有(A)借由酸的作用而极性增大而对包含有机溶剂的显影液的溶解性减小的树脂；(II)对上述第1膜进行曝光的步骤；(III)使用包含有机溶剂的显影液对上述经曝光的第1膜进行显影，形成负型图案的步骤；以及(IV)以覆盖上述负型图案的周围的方式，于上述基板上形成第2膜的步骤。

4. 发明专利

TWI608310B 化學增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機系處理液的製造方法、化學增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機系處理液、圖案形成方法、電子元件的製造方法及電子元件有权
简体标题：化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的制造方法、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、图案形成方法、电子组件的制造方法及电子组件
公开(公告)号：TWI608310B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW103112155
申请日：2014-04-01
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：山中司 , YAMANAKA, TSUKASA , 川本崇司 , KAWAMOTO, TAKASHI , 井口直也 , IGUCHI, NAOYA
IPC分类号： G03F7/30 , G03F7/32 , G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/32 , C07C29/76 , C07C45/786 , C07C67/48 , C07C67/56 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/325 , C07C69/24 , C07C31/125 , C07C49/04

5. 发明专利

TW201708266A 化學增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機系處理液的收容容器及其用途审中-公开
简体标题：化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器及其用途
公开(公告)号：TW201708266A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105139159
申请日：2013-10-30
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：山中司 , YAMANAKA,TSUKASA , 川本崇司 , KAWAMOTO,TAKASHI
IPC分类号： C08F14/18 , C08F16/24 , B65D85/00 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/32 , B65D25/14 , B65D85/70 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/325 , G03F7/70
摘要：本發明提供一種化學增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機系處理液、化學增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機系處理液的收容容器、以及使用其的圖案形成方法、電子元件的製造方法及電子元件，上述處理液尤其於使用有機系顯影液來形成微細化（例如30 nm節點以下）圖案的負型圖案形成方法中，可減少微粒的產生。一種化學增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機系處理液、以及使用其的圖案形成方法、電子元件的製造方法及電子元件，上述處理液的碳數22以下的烷基烯烴含量為1 ppm以下，且Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni及Zn的金屬元素濃度均為5 ppm以下。
简体摘要：本发明提供一种化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器、以及使用其的图案形成方法、电子组件的制造方法及电子组件，上述处理液尤其于使用有机系显影液来形成微细化（例如30 nm节点以下）图案的负型图案形成方法中，可减少微粒的产生。一种化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、以及使用其的图案形成方法、电子组件的制造方法及电子组件，上述处理液的碳数22以下的烷基烯烃含量为1 ppm以下，且Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni及Zn的金属元素浓度均为5 ppm以下。

6. 发明专利

TW201523699A 圖案形成方法、電子元件的製造方法审中-公开
简体标题：图案形成方法、电子组件的制造方法
公开(公告)号：TW201523699A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103141869
申请日：2014-12-03
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：吉留正洋 , YOSHIDOME, MASAHIRO , 山中司 , YAMANAKA, TSUKASA , 上羽亮介 , UEBA, RYOSUKE , 中村貴之 , NAKAMURA, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/31138 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , H01L21/0271 , H01L21/0273 , H01L21/31133
摘要：本發明的圖案形成方法包含：步驟A，於基板上形成含有有機物的圖案1；步驟B，形成覆蓋圖案1的膜2；以及步驟C，藉由簇離子蝕刻膜2而將膜2的一部分去除，從而使圖案1的至少一部分表露出。
简体摘要：本发明的图案形成方法包含：步骤A，于基板上形成含有有机物的图案1；步骤B，形成覆盖图案1的膜2；以及步骤C，借由簇离子蚀刻膜2而将膜2的一部分去除，从而使图案1的至少一部分表露出。

7. 发明专利

TW201423289A 化學增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機系處理液、化學增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機系處理液的收容容器、以及使用其的圖案形成方法、電子元件的製造方法及電子元件审中-公开
简体标题：化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器、以及使用其的图案形成方法、电子组件的制造方法及电子组件
公开(公告)号：TW201423289A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102139209
申请日：2013-10-30
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：山中司 , YAMANAKA, TSUKASA , 川本崇司 , KAWAMOTO, TAKASHI
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/32 , B65D25/14 , B65D85/70 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/325 , G03F7/70
摘要：本發明提供一種化學增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機系處理液、化學增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機系處理液的收容容器、以及使用其的圖案形成方法、電子元件的製造方法及電子元件，上述處理液尤其於使用有機系顯影液來形成微細化(例如30 nm節點以下)圖案的負型圖案形成方法中，可減少微粒的產生。一種化學增幅型抗蝕劑膜的圖案化用有機系處理液、以及使用其的圖案形成方法、電子元件的製造方法及電子元件，上述處理液的碳數22以下的烷基烯烴含量為1 ppm以下，且Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni及Zn的金屬元素濃度均為5 ppm以下。
简体摘要：本发明提供一种化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器、以及使用其的图案形成方法、电子组件的制造方法及电子组件，上述处理液尤其于使用有机系显影液来形成微细化(例如30 nm节点以下)图案的负型图案形成方法中，可减少微粒的产生。一种化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、以及使用其的图案形成方法、电子组件的制造方法及电子组件，上述处理液的碳数22以下的烷基烯烃含量为1 ppm以下，且Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni及Zn的金属元素浓度均为5 ppm以下。

8. 发明专利

TWI563536B 圖案形成方法以及使用其的電子元件的製造方法、以及電子元件有权
简体标题：图案形成方法以及使用其的电子组件的制造方法、以及电子组件
公开(公告)号：TWI563536B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW102127906
申请日：2013-08-05
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：杉山真一 , SUGIYAMA, SHINICHI , 山中司 , YAMANAKA, TSUKASA , 上羽亮介 , UEBA, RYOSUKE , 百田淳 , MOMOTA, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/038 , C08L33/08
CPC分类号： G03F7/167 , G03F7/0035 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/2041 , G03F7/30 , G03F7/325 , G03F7/38 , G03F7/40

9. 发明专利

TWI541617B 圖案形成方法有权
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TWI541617B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW100133211
申请日：2011-09-15
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：上村聰 , KAMIMURA, SOU , 山中司 , YAMANAKA, TSUKASA , 榎本雄一郎 , ENOMOTO, YUICHIRO , 加藤啟太 , KATO, KEITA
IPC分类号： G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/32 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/405 , Y10T428/24802

10. 发明专利

TW201619118A 抗蝕劑膜的圖案化用有機系處理液、有機系處理液的製造方法、有機系處理液的收容容器、圖案形成方法、以及電子元件的製造方法审中-公开
简体标题：抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、有机系处理液的制造方法、有机系处理液的收容容器、图案形成方法、以及电子组件的制造方法
公开(公告)号：TW201619118A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104132011
申请日：2015-09-30
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：山中司 , YAMANAKA, TSUKASA
IPC分类号： C07C69/14 , C11D7/26 , G03F7/038 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/325 , B65D25/34 , B65D85/70 , C07C67/54 , C07C69/14 , G03F7/0012 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0275 , H01L21/0276
摘要：本發明可提供一種抗蝕劑膜的圖案化用有機系處理液、抗蝕劑膜的圖案化用有機系處理液的製造方法、及抗蝕劑膜的圖案化用有機系處理液的收容容器、以及使用這些的圖案形成方法、及電子元件的製造方法，所述抗蝕劑膜的圖案化用有機系處理液的Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、及Zn的金屬元素濃度均為3 ppm以下，藉由抗蝕劑膜的圖案化用有機系處理液，尤其於使用有機系顯影液形成微細化（例如，30 nm節點以下）圖案的負型圖案形成方法中，可減少顆粒的產生。
简体摘要：本发明可提供一种抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的制造方法、及抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器、以及使用这些的图案形成方法、及电子组件的制造方法，所述抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、及Zn的金属元素浓度均为3 ppm以下，借由抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液，尤其于使用有机系显影液形成微细化（例如，30 nm节点以下）图案的负型图案形成方法中，可减少颗粒的产生。

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