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1. 发明专利

TW498705B 電漿處理用裝置失效
简体标题：等离子处理用设备
公开(公告)号：TW498705B
公开(公告)日：2002-08-11
申请号：TW089103797
申请日：2000-03-03
申请人：大見忠弘 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01L21/67109 , H01J2237/2001 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/67069
摘要：一種電漿處理用裝置，其構成乃具有能提供必要之原料氣體以激發電漿之氣體供給系統，及將其排除以降低容器內壓力之排氣系統，此容器中能使電漿產生，並於前述電漿中處理被處理物。此裝置中：於前述容器之內部設有承載被處理物之導電性載物台，前述載物台之構造可施加直流電壓或高頻，前述載物台其內部設有冷卻媒體流路，以冷卻被處理物，為使前述載物合內之熱量能傳遞至前述之冷卻媒體，前述冷卻媒體流路其導熱度高，而為了不使施加於前述載物台處之直流電或高頻傳遞至前述冷卻媒體處，此裝置採用了電絕緣性高之材料。
简体摘要：一种等离子处理用设备，其构成乃具有能提供必要之原料气体以激发等离子之气体供给系统，及将其排除以降低容器内压力之排气系统，此容器中能使等离子产生，并于前述等离子中处理被处理物。此设备中：于前述容器之内部设有承载被处理物之导电性载物台，前述载物台之构造可施加直流电压或高频，前述载物台其内部设有冷却媒体流路，以冷却被处理物，为使前述载物合内之热量能传递至前述之冷却媒体，前述冷却媒体流路其导热度高，而为了不使施加于前述载物台处之直流电或高频传递至前述冷却媒体处，此设备采用了电绝缘性高之材料。

2. 发明专利

TW481826B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW481826B
公开(公告)日：2002-04-01
申请号：TW089124771
申请日：2000-11-22
申请人：大見忠弘 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 海原龍
IPC分类号： H01L , H01J , H05H
摘要：本發明係於第一電極(102)載置被施以電漿處理之基體(101)。對於基體(101)之被施以電漿處理之面，以磁場施加機構(103)施加磁場。於第一電極(102)之外周圍配置輔助電極(104)，於其裏面(105)激勵電漿。使電漿中之電子自輔助電極(104)之表面(106)向裏面(105)、且自輔助電極(104)之裏面(105)向表面(106)漂移。
简体摘要：本发明系于第一电极(102)载置被施以等离子处理之基体(101)。对于基体(101)之被施以等离子处理之面，以磁场施加机构(103)施加磁场。于第一电极(102)之外周围配置辅助电极(104)，于其里面(105)激励等离子。使等离子中之电子自辅助电极(104)之表面(106)向里面(105)、且自辅助电极(104)之里面(105)向表面(106)漂移。

3. 发明专利

TW482871B 真空裝置失效
简体标题：真空设备
公开(公告)号：TW482871B
公开(公告)日：2002-04-11
申请号：TW089103815
申请日：2000-03-03
申请人：大見忠弘 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹
IPC分类号： F04B
CPC分类号： F04D19/04 , F04D25/00
摘要：一種真空裝置，其係具備設有氣體導入口及排氣口之複數真空容器，供自該氣體導入口將所需氣體導入該真空容器內之氣體供給系統，以及用來保持該真空容器內部減壓之排氣系統者，該排氣系統具有成行多段連接之複數真空泵，最終段真空泵之排氣口壓力大致為大氣壓力，該最終段真空泵配置成將來自複數首段真空泵每一台之氣體排出。
简体摘要：一种真空设备，其系具备设有气体导入口及排气口之复数真空容器，供自该气体导入口将所需气体导入该真空容器内之气体供给系统，以及用来保持该真空容器内部减压之排气系统者，该排气系统具有成行多段连接之复数真空泵，最终段真空泵之排气口压力大致为大气压力，该最终段真空泵配置成将来自复数首段真空泵每一台之气体排出。

4. 发明专利

TW477009B 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW477009B
公开(公告)日：2002-02-21
申请号：TW089110159
申请日：2000-05-25
申请人：大見忠弘 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/24 , C23C16/345 , C23C16/45578 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3244
摘要：本發明之微波電漿處理裝置係在介電質淋浴板(dielectric shower plate)103與基板114之間設置金屬製之柵狀淋浴板111，且從不同場所釋出以稀釋氣體為主體的電漿激發用氣體與處理用氣體。藉由將柵狀淋浴板予以接地，即可對基板114之表面入射較高能量的離子。使微波導入部中之介電質隔壁102與介電質之厚度設在最佳化且使電漿之激發效率設在最大化，同時使槽孔天線(slot antenna)110與介電質隔壁102之間隔及介電質淋浴板103之厚度設在最佳化俾可投入大功率的微波。
简体摘要：本发明之微波等离子处理设备系在介电质淋浴板(dielectric shower plate)103与基板114之间设置金属制之栅状淋浴板111，且从不同场所发佈以稀释气体为主体的等离子激发用气体与处理用气体。借由将栅状淋浴板予以接地，即可对基板114之表面入射较高能量的离子。使微波导入部中之介电质隔壁102与介电质之厚度设在最优化且使等离子之激发效率设在最大化，同时使槽孔天线(slot antenna)110与介电质隔壁102之间隔及介电质淋浴板103之厚度设在最优化俾可投入大功率的微波。

5. 发明专利

TW550703B 微波電漿處理裝置,電漿處理方法及微波放射構件有权
简体标题：微波等离子处理设备,等离子处理方法及微波放射构件
公开(公告)号：TW550703B
公开(公告)日：2003-09-01
申请号：TW091113495
申请日：2002-06-20
申请人：大見忠弘 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01J37/3222 , H01J37/32192
摘要：本發明係於處理容器22內部，設有載直半導體晶圓W之載置台24。以微波產生器76產生微波，藉由平面天線構件66將微波導入處理容器22。平面天線構件66，具有沿複數個圓周排列之複數個狹縫84，複數個圓周相互為非同心圓。平面天線構件66之徑方向之電漿密度分布成均一。
简体摘要：本发明系于处理容器22内部，设有载直半导体晶圆W之载置台24。以微波产生器76产生微波，借由平面天线构件66将微波导入处理容器22。平面天线构件66，具有沿复数个圆周排列之复数个狭缝84，复数个圆周相互为非同心圆。平面天线构件66之径方向之等离子密度分布成均一。

6. 发明专利

TW563183B 電漿製程裝置失效
简体标题：等离子制程设备
公开(公告)号：TW563183B
公开(公告)日：2003-11-21
申请号：TW090106495
申请日：2001-03-20
申请人：夏普股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：鐘築律夫 , 田寺孝光 , 山本達志 , 平山昌樹 , 大見忠弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/4401 , C23C16/511
摘要：一種能夠在不需要的位置防止電漿產生的電漿製程裝置，其可達到穩定地執行均勻電漿製程。該電漿製程裝置包含一處理室(1,2)，其具有一內壁面；一微波輻射構件(5)，其具有一壁面及面對該處理室之內壁面的其它壁面，並可配置成在該其它壁面與一部份該內壁面之間形成一空間，並在該處理室當中傳遞及輻射微波；以及一反應氣體供應構件(14,15,21,22)，其包含一反應氣體通道(15)，其具有形成在該微波輻射構件的其它壁面及該內壁面之間的一空間；及配置在一區域上的一微波傳送防止構件(16)，其面對著該微波輻射構件的其它壁面之反應氣體供應通道。
简体摘要：一种能够在不需要的位置防止等离子产生的等离子制程设备，其可达到稳定地运行均匀等离子制程。该等离子制程设备包含一处理室(1,2)，其具有一内壁面；一微波辐射构件(5)，其具有一壁面及面对该处理室之内壁面的其它壁面，并可配置成在该其它壁面与一部份该内壁面之间形成一空间，并在该处理室当中传递及辐射微波；以及一反应气体供应构件(14,15,21,22)，其包含一反应气体信道(15)，其具有形成在该微波辐射构件的其它壁面及该内壁面之间的一空间；及配置在一区域上的一微波发送防止构件(16)，其面对着该微波辐射构件的其它壁面之反应气体供应信道。

7. 发明专利

TW418461B 電漿蝕刻裝置失效
简体标题：等离子蚀刻设备
公开(公告)号：TW418461B
公开(公告)日：2001-01-11
申请号：TW087103160
申请日：1998-03-04
申请人：東京電子股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 高野晴之 , 平山祐介
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32623 , H01J37/32082 , H01J37/3266
摘要：本發明係提供電漿蝕刻裝置，其具有可謀求對於基體表面之產生電漿之密度之均一化的輔助電極，且不依據壓力，而不轉動磁場的施加裝置，進而對於基體可均一地蝕刻。
本發明的電漿蝕刻裝置係具備有平行平板型的二電極Ⅰ和電極Ⅱ以及連接於該電極Ⅰ或/且電極Ⅱ之高頻電力的施加裝置；且於上述電極Ⅰ之與上述電極Ⅱ相對的面上載設使用電漿來施行蝕刻處理的基體；又設置具有相對於上述基體之施行電漿蝕刻的面水平且一方向的磁場施加裝置；其特徵在於：對於上述基體，於由上述磁場施加裝置所產生之電子流之流動的至少上游側設有輔助電極；該輔助電極包括配置於與上述電極Ⅱ相對側的局部電極以及設於與該局部電極之上述電極I作電性耦合之部分的調整阻抗的裝置。
简体摘要：本发明系提供等离子蚀刻设备，其具有可谋求对于基体表面之产生等离子之密度之均一化的辅助电极，且不依据压力，而不转动磁场的施加设备，进而对于基体可均一地蚀刻。本发明的等离子蚀刻设备系具备有平行平板型的二电极Ⅰ和电极Ⅱ以及连接于该电极Ⅰ或/且电极Ⅱ之高频电力的施加设备；且于上述电极Ⅰ之与上述电极Ⅱ相对的面上载设使用等离子来施行蚀刻处理的基体；又设置具有相对于上述基体之施行等离子蚀刻的面水平且一方向的磁场施加设备；其特征在于：对于上述基体，于由上述磁场施加设备所产生之电子流之流动的至少上游侧设有辅助电极；该辅助电极包括配置于与上述电极Ⅱ相对侧的局部电极以及设于与该局部电极之上述电极I作电性耦合之部分的调整阻抗的设备。

8. 发明专利

TW462091B 電漿製程用裝置有权
简体标题：等离子制程用设备
公开(公告)号：TW462091B
公开(公告)日：2001-11-01
申请号：TW089107988
申请日：2000-04-27
申请人：大見忠弘 , 日本真空技術股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 中川雅嗣
IPC分类号： H01L , C23F
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J2237/2001 , H01L21/67109
摘要： [課題]
提供一種電漿製程用裝置，該裝置可減少消耗電力之損失，並可縮短製程時間以及提昇產率。[解決手段]
該電漿製程用裝置包括:一絕緣隔熱裝置(絕緣隔熱用板7C)，設立在容器(容器本體l)內之底部，係使用可用來隔絕高頻率之介電常數低且可用來隔熱之導熱係數小的材料所作成;一載置裝置(平臺7A、冷卻板7B)，用來裝載被處理物，係疊在絕緣隔熱裝置上而設立，具有施加高頻率以產生偏壓之電極;以及一溫度調整裝置(配管5A,5B、冷卻裝置5C、通路701)，設立在載置裝置上，係用來控制該載置裝置之溫度。
简体摘要： [课题] 提供一种等离子制程用设备，该设备可减少消耗电力之损失，并可缩短制程时间以及提升产率。[解决手段] 该等离子制程用设备包括:一绝缘隔热设备(绝缘隔热用板7C)，设立在容器(容器本体l)内之底部，系使用可用来隔绝高频率之介电常数低且可用来隔热之导热系数小的材料所作成;一载置设备(平台7A、冷却板7B)，用来装载被处理物，系叠在绝缘隔热设备上而设立，具有施加高频率以产生偏压之电极;以及一温度调整设备(配管5A,5B、冷却设备5C、通路701)，设立在载置设备上，系用来控制该载置设备之温度。

9. 发明专利

TW555878B 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW555878B
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：TW090129064
申请日：2001-11-23
申请人：夏普股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：山本直子 , 山本達志 , 平山昌樹 , 大見忠弘
IPC分类号： H05H , H01L , H01J , C23F , C23C
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32211
摘要：槽天線板(7)放置於第二介電質板(5)上，用以輻射微波到室內部(13)之內，槽天線板(7)配置於面向室內部(13)之第二介電質板(5)之一側之上，槽天線板(7)係由導體所製成且包含槽(7a)以用於透過該處通過微波到室內部(13)。在此方式中，電漿處理裝置係配置藉微波來產生電漿，該電漿處理裝置能易於調整離子照射能量以用於欲處理之材料而獲得材料之均勻的電漿處理於材料平面之內。
简体摘要：槽天线板(7)放置于第二介电质板(5)上，用以辐射微波到室内部(13)之内，槽天线板(7)配置于面向室内部(13)之第二介电质板(5)之一侧之上，槽天线板(7)系由导体所制成且包含槽(7a)以用于透过该处通过微波到室内部(13)。在此方式中，等离子处理设备系配置藉微波来产生等离子，该等离子处理设备能易于调整离子照射能量以用于欲处理之材料而获得材料之均匀的等离子处理于材料平面之内。

10. 发明专利

TW452832B 半導體製造裝置失效
简体标题：半导体制造设备
公开(公告)号：TW452832B
公开(公告)日：2001-09-01
申请号：TW088118288
申请日：1999-10-22
申请人：大見忠弘 , 烏魯特拉克寧德諾羅濟開發研究所股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 新田雄久
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67213 , H01L21/67167 , H01L21/6719
摘要：【課題】提供一種可實現基體上之均一化處理，且裝置之設置場地面積較小，且維修性甚佳之半導體製造裝置。【解決手段】半導體製造裝置係以真空容器構成，於該真空容器底板上設有至少一個以上的基體載置台，並設置包圍前述基體載置台之筒體，藉由使前述筒體昇降令該筒體與前述真空容器頂板或底板之間之間隙為可變狀態，而針對一個前述筒體至少設置一個筒體昇降機構，使構成實行前述基體之表面處理之處理室的前述筒體之內側空間與構成移送前述基體用之搬送室的前述筒體之外側空間相分離，前述搬送室係具有基體移送機構以通過前述間隙實行前述處理室與前述搬送室間之前述基體之移送，前述處理室係具有處理室氣體導入口與處理室氣體排出口，而前述搬送室為具有搬送室氣體導入口與搬送室氣體排出口，為其特徵者。
简体摘要：【课题】提供一种可实现基体上之均一化处理，且设备之设置场地面积较小，且维修性甚佳之半导体制造设备。【解决手段】半导体制造设备系以真空容器构成，于该真空容器底板上设有至少一个以上的基体载置台，并设置包围前述基体载置台之筒体，借由使前述筒体升降令该筒体与前述真空容器顶板或底板之间之间隙为可变状态，而针对一个前述筒体至少设置一个筒体升降机构，使构成实行前述基体之表面处理之处理室的前述筒体之内侧空间与构成移送前述基体用之搬送室的前述筒体之外侧空间相分离，前述搬送室系具有基体移送机构以通过前述间隙实行前述处理室与前述搬送室间之前述基体之移送，前述处理室系具有处理室气体导入口与处理室气体排出口，而前述搬送室为具有搬送室气体导入口与搬送室气体排出口，为其特征者。

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