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    • 9. 发明专利
    • 半導體裝置及其形成方法
    • 半导体设备及其形成方法
    • TW202005088A
    • 2020-01-16
    • TW108108639
    • 2019-03-14
    • 台灣積體電路製造股份有限公司TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
    • 李宜靜LEE, YI JING楊宗熺YANG, TSUNG HSI游明華YU, MING HUA
    • H01L29/43H01L29/66H01L21/283H01L21/28
    • 一實施例是半導體裝置,包括自基板延伸的第一鰭片、位於第一鰭片之側壁之上且沿著第一鰭片之側壁的第一閘極堆疊、沿著第一閘極堆疊之側壁設置的第一閘極間隔物、以及位於第一鰭片中且鄰近第一閘極間隔物的第一磊晶源極/汲極區。上述第一磊晶源極/汲極區包括位於第一鰭片上的第一磊晶層,第一磊晶層包括矽及碳、位於第一磊晶層上的第二磊晶層,第二磊晶層具有不同於第一磊晶層的材料組成,第一磊晶層將第二磊晶層與第一鰭片分開、以及位於第二磊晶層上的第三磊晶層,第三磊晶層具有不同於第一磊晶層的材料組成。
    • 一实施例是半导体设备,包括自基板延伸的第一鳍片、位于第一鳍片之侧壁之上且沿着第一鳍片之侧壁的第一闸极堆栈、沿着第一闸极堆栈之侧壁设置的第一闸极间隔物、以及位于第一鳍片中且邻近第一闸极间隔物的第一磊晶源极/汲极区。上述第一磊晶源极/汲极区包括位于第一鳍片上的第一磊晶层,第一磊晶层包括硅及碳、位于第一磊晶层上的第二磊晶层,第二磊晶层具有不同于第一磊晶层的材料组成,第一磊晶层将第二磊晶层与第一鳍片分开、以及位于第二磊晶层上的第三磊晶层,第三磊晶层具有不同于第一磊晶层的材料组成。