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1. 发明专利

TW201735154A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201735154A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105143418
申请日：2016-12-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：李宜靜 , LEE, YI JING , 周立維 , CHOU, LI WEI , 游明華 , YU, MING HUA
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/161 , H01L29/36 , H01L29/417
CPC分类号： H01L27/0924 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/30625 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823871 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/36 , H01L29/41783 , H01L29/41791
摘要：一種半導體裝置及其製造方法被揭露。半導體裝置包括一基板、於基板之上的一隔離結構、於基板之上且突出於隔離結構的二鰭片以及於二鰭片上的一磊晶特徵。磊晶特徵包括二下部與一上部。二下部分別位於二鰭片上。上部位於二下部上，且連接二下部。上部具有與二下部不同的摻雜濃度。上部的一頂表面實質上平坦。
简体摘要：一种半导体设备及其制造方法被揭露。半导体设备包括一基板、于基板之上的一隔离结构、于基板之上且突出于隔离结构的二鳍片以及于二鳍片上的一磊晶特征。磊晶特征包括二下部与一上部。二下部分别位于二鳍片上。上部位于二下部上，且连接二下部。上部具有与二下部不同的掺杂浓度。上部的一顶表面实质上平坦。

2. 发明专利

TW201727788A 度量衡系統及應用其之測量方法审中-公开
简体标题：度量衡系统及应用其之测量方法
公开(公告)号：TW201727788A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105125951
申请日：2016-08-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：洪英傑 , HUNG, YING CHIEH , 游明華 , YU, MING HUA , 林逸宏 , LIN, YI HUNG , 張哲榮 , CHANG, JET RUNG
IPC分类号： H01L21/66 , G01B11/06
CPC分类号： H01L21/67253 , G01B11/0625 , G01B2210/56 , H01L21/02694 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L22/12
摘要：用於厚度測量的方法，包含在半導體基板內形成植入區。形成半導體層在半導體基板的植入區上。受調控之自由載子產生在半導體基板的植入區內。提供探針光束至半導體層及具有受調控之自由載子的半導體基板之植入區上。探測從半導體層及植入區反射的探針光束以決定半導體層的厚度。
简体摘要：用于厚度测量的方法，包含在半导体基板内形成植入区。形成半导体层在半导体基板的植入区上。受调控之自由载子产生在半导体基板的植入区内。提供探针光束至半导体层及具有受调控之自由载子的半导体基板之植入区上。探测从半导体层及植入区反射的探针光束以决定半导体层的厚度。

3. 发明专利

TWI588977B 積體電路及其製造方法有权
简体标题：集成电路及其制造方法
公开(公告)号：TWI588977B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW105100079
申请日：2016-01-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：李宜靜 , LEE, YI JING , 李昆穆 , LI, KUN MU , 游明華 , YU, MING HUA , 郭紫微 , KWOK, TSZ-MEI
IPC分类号： H01L27/118 , H01L21/77
CPC分类号： H01L27/0886 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L29/0649

4. 发明专利

TWI696289B 半導體裝置及其形成方法有权
简体标题：半导体设备及其形成方法
公开(公告)号：TWI696289B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW108108639
申请日：2019-03-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：李宜靜 , LEE, YI JING , 楊宗熺 , YANG, TSUNG HSI , 游明華 , YU, MING HUA
IPC分类号： H01L29/43 , H01L29/66 , H01L21/283 , H01L21/28

5. 发明专利

TW201719731A 半導體元件之鰭片結構及製造方法與其主動區域之製造方法审中-公开
简体标题：半导体组件之鳍片结构及制造方法与其主动区域之制造方法
公开(公告)号：TW201719731A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105120016
申请日：2016-06-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林哲宇 , LIN, CHE YU , 游明華 , YU, MING HUA , 李資良 , LEE, TZE LIANG , 楊建倫 , YANG, CHAN-LON
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/43 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L21/02057 , H01L21/26513 , H01L21/324 , H01L21/76224 , H01L23/544 , H01L29/0649 , H01L29/1033 , H01L29/167 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453
摘要：一種用於製造半導體元件之主動區域的方法，包含於基材中形成佈植區域。佈植區域係鄰近於基材之頂表面。於基材之頂表面執行清潔處理。烘烤基材之頂表面。於基材之頂表面上形成磊晶層。
简体摘要：一种用于制造半导体组件之主动区域的方法，包含于基材中形成布植区域。布植区域系邻近于基材之顶表面。于基材之顶表面运行清洁处理。烘烤基材之顶表面。于基材之顶表面上形成磊晶层。

6. 发明专利

TW202005088A 半導體裝置及其形成方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其形成方法
公开(公告)号：TW202005088A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108108639
申请日：2019-03-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：李宜靜 , LEE, YI JING , 楊宗熺 , YANG, TSUNG HSI , 游明華 , YU, MING HUA
IPC分类号： H01L29/43 , H01L29/66 , H01L21/283 , H01L21/28
摘要：一實施例是半導體裝置，包括自基板延伸的第一鰭片、位於第一鰭片之側壁之上且沿著第一鰭片之側壁的第一閘極堆疊、沿著第一閘極堆疊之側壁設置的第一閘極間隔物、以及位於第一鰭片中且鄰近第一閘極間隔物的第一磊晶源極/汲極區。上述第一磊晶源極/汲極區包括位於第一鰭片上的第一磊晶層，第一磊晶層包括矽及碳、位於第一磊晶層上的第二磊晶層，第二磊晶層具有不同於第一磊晶層的材料組成，第一磊晶層將第二磊晶層與第一鰭片分開、以及位於第二磊晶層上的第三磊晶層，第三磊晶層具有不同於第一磊晶層的材料組成。
简体摘要：一实施例是半导体设备，包括自基板延伸的第一鳍片、位于第一鳍片之侧壁之上且沿着第一鳍片之侧壁的第一闸极堆栈、沿着第一闸极堆栈之侧壁设置的第一闸极间隔物、以及位于第一鳍片中且邻近第一闸极间隔物的第一磊晶源极/汲极区。上述第一磊晶源极/汲极区包括位于第一鳍片上的第一磊晶层，第一磊晶层包括硅及碳、位于第一磊晶层上的第二磊晶层，第二磊晶层具有不同于第一磊晶层的材料组成，第一磊晶层将第二磊晶层与第一鳍片分开、以及位于第二磊晶层上的第三磊晶层，第三磊晶层具有不同于第一磊晶层的材料组成。

7. 发明专利

TWI590314B 半導體元件之鰭片結構及製造方法與其主動區域之製造方法有权
简体标题：半导体组件之鳍片结构及制造方法与其主动区域之制造方法
公开(公告)号：TWI590314B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105120016
申请日：2016-06-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林哲宇 , LIN, CHE YU , 游明華 , YU, MING HUA , 李資良 , LEE, TZE LIANG , 楊建倫 , YANG, CHAN-LON
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/43 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L21/02057 , H01L21/26513 , H01L21/324 , H01L21/76224 , H01L23/544 , H01L29/0649 , H01L29/1033 , H01L29/167 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453

8. 发明专利

TWI587486B 半導體裝置與其製造方法以及靜態隨機存取記憶體有权
简体标题：半导体设备与其制造方法以及静态随机存取内存
公开(公告)号：TWI587486B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW105103805
申请日：2016-02-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：李宜靜 , LEE, YI JING , 郭紫微 , KWOK, TSZ-MEI , 游明華 , YU, MING HUA , 李昆穆 , LI, KUN MU
IPC分类号： H01L27/11 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/1104 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L27/0207 , H01L27/0924 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/7853

9. 发明专利

TWI578423B 度量衡系統及應用其之測量方法有权
简体标题：度量衡系统及应用其之测量方法
公开(公告)号：TWI578423B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW105125951
申请日：2016-08-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：洪英傑 , HUNG, YING CHIEH , 游明華 , YU, MING HUA , 林逸宏 , LIN, YI HUNG , 張哲榮 , CHANG, JET RUNG
IPC分类号： H01L21/66 , G01B11/06
CPC分类号： H01L21/67253 , G01B11/0625 , G01B2210/56 , H01L21/02694 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L22/12

10. 发明专利

TW201919114A 鰭式場效電晶體裝置及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：鳍式场效应管设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201919114A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107121305
申请日：2018-06-21
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：李宜靜 , LEE, YI JING , 游明華 , YU, MING HUA
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/40 , H01L29/41 , H01L29/78
摘要：一種鰭式場效電晶體裝置之製造方法包括形成第一間隙壁於第一鰭部的相對兩側，其中第一鰭部突出於一基底上方；回蝕第一鰭部，以形成第一凹口於第一間隙壁之間；以及利用一烘烤製程對第一間隙壁進行處理，其中對第一間隙壁進行處理改變了第一間隙壁的剖面輪廓。上述方法更包括在對第一間隙壁進行處理之後，磊晶成長第一半導體材料於第一鰭部的上表面上。
简体摘要：一种鳍式场效应管设备之制造方法包括形成第一间隙壁于第一鳍部的相对两侧，其中第一鳍部突出于一基底上方；回蚀第一鳍部，以形成第一凹口于第一间隙壁之间；以及利用一烘烤制程对第一间隙壁进行处理，其中对第一间隙壁进行处理改变了第一间隙壁的剖面轮廓。上述方法更包括在对第一间隙壁进行处理之后，磊晶成长第一半导体材料于第一鳍部的上表面上。

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