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1. 发明专利

TW201813055A 三維半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：三维半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201813055A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106124085
申请日：2017-07-19
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：史密斯傑佛瑞 , SMITH, JEFFREY , 德維利耶安東 , DEVILLIERS, ANTON
IPC分类号： H01L27/11 , H01L27/10 , H01L27/088 , H01L27/105 , G11C17/14 , G11C11/34
CPC分类号： H01L27/1104 , H01L21/823807 , H01L27/0688 , H01L27/092 , H01L27/11 , H01L27/1108
摘要：三維(3-D)積體電路(IC)包含具有基板表面的基板。第一半導體元件具有第一電接觸部且係在第一平面上形成於表面的第一區域中，該第一平面係實質上平行於基板表面半導體元件。包含第二電接觸部的第二半導體元件係在第二平面上形成於表面的第二區域，該第二平面係實質上平行於表面且在實質上垂直於基板表面的方向上與第一平面垂直隔開。第一電極結構包含：實質上平行於基板表面之相對的頂部及底部表面、連接頂部及底部表面使得該電極結構形成三維電極空間的側壁。導電填充材料係設置於電極空間中，且介電層將該導電填充材料電性分隔成：電性連接至第一半導體元件之第一接觸部的第一電極、及電性連接至第二半導體元件且與第一電極電性絕緣的第二電極。第一電路終端從電極結構的頂部或底部表面垂直延伸，且係電性連接至第一電極。
简体摘要：三维(3-D)集成电路(IC)包含具有基板表面的基板。第一半导体组件具有第一电接触部且系在第一平面上形成于表面的第一区域中，该第一平面系实质上平行于基板表面半导体组件。包含第二电接触部的第二半导体组件系在第二平面上形成于表面的第二区域，该第二平面系实质上平行于表面且在实质上垂直于基板表面的方向上与第一平面垂直隔开。第一电极结构包含：实质上平行于基板表面之相对的顶部及底部表面、连接顶部及底部表面使得该电极结构形成三维电极空间的侧壁。导电填充材料系设置于电极空间中，且介电层将该导电填充材料电性分隔成：电性连接至第一半导体组件之第一接触部的第一电极、及电性连接至第二半导体组件且与第一电极电性绝缘的第二电极。第一电路终端从电极结构的顶部或底部表面垂直延伸，且系电性连接至第一电极。

2. 发明专利

TWI618196B 積體電路結構有权
简体标题：集成电路结构
公开(公告)号：TWI618196B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW105125124
申请日：2016-08-08
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：廖忠志 , LIAW, JHON JHY
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L27/11
CPC分类号： G11C11/412 , H01L27/0207 , H01L27/1104

3. 发明专利

TWI614866B 積體電路結構及其電性連接方法有权
简体标题：集成电路结构及其电性连接方法
公开(公告)号：TWI614866B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW105111983
申请日：2016-04-18
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：安德森布蘭特A , ANDERSON, BRENT A. , 諾瓦克愛德華J , NOWAK, EDWARD J.
IPC分类号： H01L23/52
CPC分类号： H01L27/1104 , H01L21/28008 , H01L27/1211 , H01L29/41791 , H01L29/45

4. 发明专利

TW201803028A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201803028A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106104001
申请日：2017-02-08
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：坎托羅蜜克 , CANTORO, MIRCO , 許然喆 , HEO, YEONCHEOL
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L29/772 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0924 , H01L21/02532 , H01L21/02538 , H01L21/30604 , H01L21/76224 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L21/823878 , H01L21/8258 , H01L27/0207 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L29/0649 , H01L29/267 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/7848
摘要：本發明提供一種半導體裝置，包含：具有NMOSFET區及PMOSFET區的基板；NMOSFET區上的第一主動圖案；PMOSFET區上的第二主動圖案；NMOSFET區與PMOSFET區之間的虛設圖案；以及基板上填充第一主動圖案、第二主動圖案以及虛設圖案之間的溝渠的裝置隔離圖案。第一主動圖案以及第二主動圖案的上部部分具有突起於裝置隔離圖案之間的鰭形結構。第一主動圖案以及第二主動圖案的上部部分分別含有彼此不同的半導體材料，且虛設圖案的上部部分含有絕緣材料。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备，包含：具有NMOSFET区及PMOSFET区的基板；NMOSFET区上的第一主动图案；PMOSFET区上的第二主动图案；NMOSFET区与PMOSFET区之间的虚设图案；以及基板上填充第一主动图案、第二主动图案以及虚设图案之间的沟渠的设备隔离图案。第一主动图案以及第二主动图案的上部部分具有突起于设备隔离图案之间的鳍形结构。第一主动图案以及第二主动图案的上部部分分别含有彼此不同的半导体材料，且虚设图案的上部部分含有绝缘材料。

5. 发明专利

TW201802891A 製造用於半導體裝置之鰭狀結構之方法审中-公开
简体标题：制造用于半导体设备之鳍状结构之方法
公开(公告)号：TW201802891A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106109383
申请日：2017-03-21
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳志良 , CHEN, CHIH LIANG , 賴志明 , LAI, CHIH MING , 楊超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 曾晉沅 , TSENG, CHIN YUAN , 曾健庭 , TZENG, JIANN TYNG , 蕭錦濤 , SIO, KAM TOU , 劉如淦 , LIU, RU GUN , 林緯良 , LIN, WEI LIANG , 周雷峻 , CHOU, LEI CHUN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8244
CPC分类号： H01L27/1104 , H01L21/3083 , H01L21/3086 , H01L21/31144 , H01L21/823431 , H01L27/0886
摘要：一種製造用於包含鰭式場效電晶體之半導體裝置之鰭狀結構的方法，此方法包含：形成包含半導體基材和覆蓋半導體鰭狀結構的結構，此覆蓋半導體鰭狀結構經組織為至少第一組覆蓋半導體鰭狀結構和第二組覆蓋半導體鰭狀結構，其中第一組覆蓋半導體鰭狀結構的每一構件具有第一頂蓋，其具有第一蝕刻敏感度，且第二組覆蓋半導體鰭狀結構的每一構件具有第二頂蓋，其具有不同於第一蝕刻敏感度的第二蝕刻敏感度；以及從此結構移除第一組覆蓋半導體鰭狀結構的經選擇構件和第二組覆蓋半導體鰭狀結構的經選擇構件。
简体摘要：一种制造用于包含鳍式场效应管之半导体设备之鳍状结构的方法，此方法包含：形成包含半导体基材和覆盖半导体鳍状结构的结构，此覆盖半导体鳍状结构经组织为至少第一组覆盖半导体鳍状结构和第二组覆盖半导体鳍状结构，其中第一组覆盖半导体鳍状结构的每一构件具有第一顶盖，其具有第一蚀刻敏感度，且第二组覆盖半导体鳍状结构的每一构件具有第二顶盖，其具有不同于第一蚀刻敏感度的第二蚀刻敏感度；以及从此结构移除第一组覆盖半导体鳍状结构的经选择构件和第二组覆盖半导体鳍状结构的经选择构件。

6. 发明专利

TWI600142B 具有使用不同互連層連接之未對準金屬線之互連結構、半導體晶片及布局有权
简体标题：具有使用不同互连层连接之未对准金属线之互链接构、半导体芯片及布局
公开(公告)号：TWI600142B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW104143512
申请日：2015-12-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：廖忠志 , LIAW, JHON JHY , 陳炎輝 , CHEN, YEN HUEI
IPC分类号： H01L27/11 , H01L23/528 , H01L23/522 , H01L23/532
CPC分类号： H01L23/5283 , H01L21/3212 , H01L21/76802 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L21/823475 , H01L23/5226 , H01L23/5286 , H01L23/53238 , H01L27/0207 , H01L27/1104 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

7. 发明专利

TW201733082A 靜態隨機存取記憶體單元审中-公开
简体标题：静态随机存取内存单元
公开(公告)号：TW201733082A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105125249
申请日：2016-08-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：廖忠志 , LIAW, JHON JHY
IPC分类号： H01L27/11 , H01L29/08 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/1104 , G11C11/412 , H01L27/0207 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/7827
摘要：一種靜態隨機存取記憶體單元，包括第一反相器、第二反相器、第一以及第二通道閘電晶體。第一反相器包括第一P型上拉電晶體以及第一N型下拉電晶體。第二反相器包括第二P型上拉電晶體以及第二N型下拉電晶體，並與第一反相器交叉耦合。第一以及第二通道閘電晶體連接至交叉耦合之第一反相器以及第二反相器。第一以及第二P型上拉電晶體之源極區係由連續延伸於第一邊界以及第二邊界之間之主源極主動區所構成。第一以及第二通道閘電晶體之源極區與第一以及第二N型下拉電晶體之源極區係由彼此間隔開之不同源極主動區所構成。
简体摘要：一种静态随机存取内存单元，包括第一反相器、第二反相器、第一以及第二信道闸晶体管。第一反相器包括第一P型上拉晶体管以及第一N型下拉晶体管。第二反相器包括第二P型上拉晶体管以及第二N型下拉晶体管，并与第一反相器交叉耦合。第一以及第二信道闸晶体管连接至交叉耦合之第一反相器以及第二反相器。第一以及第二P型上拉晶体管之源极区系由连续延伸于第一边界以及第二边界之间之主源极主动区所构成。第一以及第二信道闸晶体管之源极区与第一以及第二N型下拉晶体管之源极区系由彼此间隔开之不同源极主动区所构成。

8. 发明专利

TW201730794A 靜態隨機存取記憶體的佈局圖案及其製作方法审中-公开
简体标题：静态随机存取内存的布局图案及其制作方法
公开(公告)号：TW201730794A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105105522
申请日：2016-02-24
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：王俊傑 , WANG, JUN-JIE , 王鈺林 , WANG, YU-LIN , 張子豐 , CHANG, TZU-FENG , 李偉齊 , LEE, WEI-CHI
IPC分类号： G06F17/50 , H01L27/11 , H01L21/8244
CPC分类号： H01L27/0207 , G03F1/36 , G06F17/5068 , G11C11/412 , G11C11/419 , H01L27/1104
摘要：一種靜態隨機存取記憶體的佈局圖案，至少包含:一第一反向器與一第二反向器交互耦合並構成一栓鎖電路(latch)，一第一內側存取電晶體(PG2A)、一第二內側存取電晶體(PG2B)、一第一外側存取電晶體(PG1A)以及一第二外側存取電晶體(PG1B)分別與該栓鎖電路連接，其中該第一外側存取電晶體具有一第一閘極長度，該第一內側存取電晶體具有一第二閘極長度，且該第一閘極長度與該第二閘極長度不同。
简体摘要：一种静态随机存取内存的布局图案，至少包含:一第一反向器与一第二反向器交互耦合并构成一栓锁电路(latch)，一第一内侧存取晶体管(PG2A)、一第二内侧存取晶体管(PG2B)、一第一外侧存取晶体管(PG1A)以及一第二外侧存取晶体管(PG1B)分别与该栓锁电路连接，其中该第一外侧存取晶体管具有一第一闸极长度，该第一内侧存取晶体管具有一第二闸极长度，且该第一闸极长度与该第二闸极长度不同。

9. 发明专利

TW201727873A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201727873A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW106110846
申请日：2012-07-24
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：森本薰夫 , MORIMOTO, MASAO , 前田德章 , MAEDA, NORIAKI , 島崎靖久 , SHIMAZAKI, YASUHISA
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/1116 , G06F17/5072 , G11C11/412 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/0928 , H01L27/1104
摘要：本發明的課題是在於提供可謀求其特性的提升之SRAM的單元佈局。其解決手段係以具有下列構成的方式構成SRAM，一體的第1活性區域(AcP1)，其係配置有第1電晶體(TND1)及第5電晶體(TNA1)；第2活性區域(AcP2)，其係與第1活性區域(AcP1)分離，配置有第2電晶體(TND2)；一體的第3活性區域(AcP3)，其係配置有第3電晶體(TND3)及第6電晶體(TNA2)；及第4活性區域(AcP4)，其係與第3活性區域(AcP3)分離，配置有第4電晶體(TND4)，且，將驅動器電晶體分割(TND1及TND2，TND3及TND4)，配置於不同的活性區域(AcP2及AcP1，AcP4及AcP3)上。
简体摘要：本发明的课题是在于提供可谋求其特性的提升之SRAM的单元布局。其解决手段系以具有下列构成的方式构成SRAM，一体的第1活性区域(AcP1)，其系配置有第1晶体管(TND1)及第5晶体管(TNA1)；第2活性区域(AcP2)，其系与第1活性区域(AcP1)分离，配置有第2晶体管(TND2)；一体的第3活性区域(AcP3)，其系配置有第3晶体管(TND3)及第6晶体管(TNA2)；及第4活性区域(AcP4)，其系与第3活性区域(AcP3)分离，配置有第4晶体管(TND4)，且，将驱动器晶体管分割(TND1及TND2，TND3及TND4)，配置于不同的活性区域(AcP2及AcP1，AcP4及AcP3)上。

10. 发明专利

TW201725725A 半導體元件及其形成方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其形成方法
公开(公告)号：TW201725725A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105100108
申请日：2016-01-05
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：洪裕祥 , HUNG, YU-HSIANG , 傅思逸 , FU, SSU-I , 林昭宏 , LIN, CHAO-HUNG , 許智凱 , HSU, CHIH-KAI , 鄭志祥 , JENQ, JYH-SHYANG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L27/088 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/76897 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/76816 , H01L21/76895 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L23/535 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L28/00 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/66545 , H01L29/7851
摘要：一種半導體元件及其形成方法，該半導體元件包含第一及第二鰭狀結構、第一及第二閘極結構、一介電層以及第一及第二插塞。該第一及第二鰭狀結構分別設置在基底的第一區域及第二區域內。該第一及第二閘極結構分別橫跨該第一及第二鰭狀結構。該介電層設置在該基底上，覆蓋該第一及該第二閘極結構。該第一插塞及第二插塞設置在該介電層中，該第一插塞電連接位在該第一閘極結構兩側的第一源極/汲極區，並且接觸該第一閘極結構的一側壁，該第二插塞則電連接位在該第二閘極結構兩側的第二源極/汲極區，並且不接觸該第二閘極結構的一側壁。
简体摘要：一种半导体组件及其形成方法，该半导体组件包含第一及第二鳍状结构、第一及第二闸极结构、一介电层以及第一及第二插塞。该第一及第二鳍状结构分别设置在基底的第一区域及第二区域内。该第一及第二闸极结构分别横跨该第一及第二鳍状结构。该介电层设置在该基底上，覆盖该第一及该第二闸极结构。该第一插塞及第二插塞设置在该介电层中，该第一插塞电连接位在该第一闸极结构两侧的第一源极/汲极区，并且接触该第一闸极结构的一侧壁，该第二插塞则电连接位在该第二闸极结构两侧的第二源极/汲极区，并且不接触该第二闸极结构的一侧壁。

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