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1. 发明专利

TWI556014B 用於極紫外線波長範圍的反射鏡、此反射鏡的基底、包含此反射鏡或基底的微影投影物鏡以及包含此投影物鏡的微影投影曝光裝置有权
简体标题：用于极紫外线波长范围的反射镜、此反射镜的基底、包含此反射镜或基底的微影投影物镜以及包含此投影物镜的微影投影曝光设备
公开(公告)号：TWI556014B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW099143808
申请日：2010-12-14
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：穆藍德史蒂芬 , 韋柏喬恩 , 克勞斯威爾福德 , CLAUSS, WILFRIED , 保羅漢斯喬成 , PAUL, HANS-JOCHEN , 布勞恩葛哈德 , BRAUN, GERHARD , 米古拉莎夏 , MIGURA, SASCHA , 度度克奧艾倫 , DODOC, AURELIAN , 查塞克克里斯多夫 , ZACZEK, CHRISTOPH , 范柏藍肯哈根吉賽拉 , VON BLANCKENHAGEN, GISELA , 羅切羅蘭
IPC分类号： G02B5/08 , G03F7/20
CPC分类号： G02B5/0891 , B82Y30/00 , G02B1/10 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/0816 , G03F7/70233 , G03F7/70316 , G03F7/70958

2. 发明专利

TW201447918A ＥＵＶ反射鏡與包含ＥＵＶ反射鏡之光學系統审中-公开
简体标题：ＥＵＶ反射镜与包含ＥＵＶ反射镜之光学系统
公开(公告)号：TW201447918A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103100930
申请日：2014-01-10
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：斯奇凱坦茲湯瑪士 , SCHICKETANZ, THOMAS , 保羅漢斯喬成 , PAUL, HANS-JOCHEN , 查塞克克里斯多夫 , ZACZEK, CHRISTOPH
IPC分类号： G21K1/06
CPC分类号： G03F7/70316 , B82Y10/00 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G03F7/702 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
摘要：本發明揭示一種EUV反射鏡，其包含一基板及塗覆於該基板上的一多層配置，該多層配置對於來自極紫外光範圍(EUV)之波長λ的輻射具有反射效應且包含具有交替層的多個層對，該等交替層包含一高折射率層材料及一低折射率層材料。該多層配置包含：一週期性第一層群組(LG1)，其具有第一數目N1＞1之第一層對，該等第一層對是配置在該多層配置之輻射入射側附近且具有第一週期厚度P1；一週期性第二層群組(LG2)，其具有第二數目N2＞1之第二層對，該等第二層對是配置在該第一層群組及該基板之間且具有第二週期厚度P2；及一第三層群組(LG3)，其具有第三數目N3之第三層對，該等第三層對是配置在該第一層群組及該第二層群組之間。第一數目N1大於第二數目N2。該第三層群組具有平均第三週期厚度P3，其與平均週期厚度PM=(P1+P2)/2相差週期厚度差ΔP，其中週期厚度差ΔP實質上對應於四分之一波層之光學層厚度λ/4及第三數目N3與cos(AOIM)之乘積的商數，其中AOIM是該多層配置所設計的平均入射角。
简体摘要：本发明揭示一种EUV反射镜，其包含一基板及涂覆于该基板上的一多层配置，该多层配置对于来自极紫外光范围(EUV)之波长λ的辐射具有反射效应且包含具有交替层的多个层对，该等交替层包含一高折射率层材料及一低折射率层材料。该多层配置包含：一周期性第一层群组(LG1)，其具有第一数目N1＞1之第一层对，该等第一层对是配置在该多层配置之辐射入射侧附近且具有第一周期厚度P1；一周期性第二层群组(LG2)，其具有第二数目N2＞1之第二层对，该等第二层对是配置在该第一层群组及该基板之间且具有第二周期厚度P2；及一第三层群组(LG3)，其具有第三数目N3之第三层对，该等第三层对是配置在该第一层群组及该第二层群组之间。第一数目N1大于第二数目N2。该第三层群组具有平均第三周期厚度P3，其与平均周期厚度PM=(P1+P2)/2相差周期厚度差ΔP，其中周期厚度差ΔP实质上对应于四分之一波层之光学层厚度λ/4及第三数目N3与cos(AOIM)之乘积的商数，其中AOIM是该多层配置所设计的平均入射角。

3. 发明专利

TWI674588B ＥＵＶ反射鏡與包含ＥＵＶ反射鏡之光學系統有权
简体标题：ＥＵＶ反射镜与包含ＥＵＶ反射镜之光学系统
公开(公告)号：TWI674588B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW103100930
申请日：2014-01-10
申请人：德商卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：斯奇凱坦茲湯瑪士 , SCHICKETANZ, THOMAS , 保羅漢斯喬成 , PAUL, HANS-JOCHEN , 查塞克克里斯多夫 , ZACZEK, CHRISTOPH
IPC分类号： G21K1/06

4. 发明专利

TWI509295B 用於極紫外光波長範圍之鏡、包含此鏡之用於微影的投影物鏡、以及包含此投影物鏡之用於微影的投影曝光裝置有权
简体标题：用于极紫外光波长范围之镜、包含此镜之用于微影的投影物镜、以及包含此投影物镜之用于微影的投影曝光设备
公开(公告)号：TWI509295B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW099111584
申请日：2010-04-14
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：保羅漢斯喬成 , PAUL, HANS-JOCHEN , 布勞恩葛哈德 , BRAUN, GERHARD , 米古拉莎夏 , MIGURA, SASCHA , 度度克奧艾倫 , DODOC, AURELIAN , 查塞克克里斯多夫 , ZACZEK, CHRISTOPH
IPC分类号： G02B5/08 , G03F7/20
CPC分类号： G02B5/0875 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70958 , G21K1/062

5. 发明专利

TWI474056B ＥＵＶ波長範圍之反射鏡、包含有此反射鏡之微影投射物鏡、包含有此投射物鏡之微影投射曝光裝置有权
简体标题：ＥＵＶ波长范围之反射镜、包含有此反射镜之微影投射物镜、包含有此投射物镜之微影投射曝光设备
公开(公告)号：TWI474056B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW099119649
申请日：2010-06-17
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：保羅漢斯喬成 , PAUL, HANS-JOCHEN , 布勞恩葛哈德 , BRAUN, GERHARD , 米古拉莎夏 , MIGURA, SASCHA , 度度克奧艾倫 , DODOC, AURELIAN , 查塞克克里斯多夫 , ZACZEK, CHRISTOPH
IPC分类号： G02B5/08 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70958 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70941 , G21K1/062 , G21K2201/064 , G21K2201/067

6. 发明专利

TWI451208B 投射曝光系統與投射曝光方法有权
简体标题：投射曝光系统与投射曝光方法
公开(公告)号：TWI451208B
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW100134770
申请日：2011-09-27
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：葛勞普納保羅 , GRAEUPNER, PAUL , 康拉帝歐拉夫 , CONRADI, OLAF , 查塞克克里斯多夫 , ZACZEK, CHRISTOPH , 優里奇威爾漢 , ULRICH, WILHELM , 畢爾漢穆特 , BEIERL, HELMUT , 葛納托拉夫 , GRUNER, TORALF , 葛艾舒滋渥克 , GRAESCHUS, VOLKER
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70191 , G03F7/70308

7. 发明专利

TW201137413A 用於極紫外線波長範圍的鏡子、此鏡子的基底、包含此鏡子或基底的微影投影物鏡以及包含此投影物鏡的微影投影曝光裝置 MIRROR FOR THE EUV WAVELENGTH RANGE, SUBSTRATE FOR SUCH A MIRROR, PROJECTION OBJECTIVE FOR MICROLITHOGRAPHY COMPRISING SUCH A MIRROR OR SUCH A SUBSTRATE, AND PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR MICROLITHOGRAPHY COMPRISING SUCH A PROJECTION OBJECTIVE 审中-公开
简体标题：用于极紫外线波长范围的镜子、此镜子的基底、包含此镜子或基底的微影投影物镜以及包含此投影物镜的微影投影曝光设备 MIRROR FOR THE EUV WAVELENGTH RANGE, SUBSTRATE FOR SUCH A MIRROR, PROJECTION OBJECTIVE FOR MICROLITHOGRAPHY COMPRISING SUCH A MIRROR OR SUCH A SUBSTRATE, AND PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR MICROLITHOGRAPHY COMPRISING SUCH A PROJECTION OBJECTIVE
公开(公告)号：TW201137413A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099143808
申请日：2010-12-14
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司
发明人：穆藍德史蒂芬 , 韋柏喬恩 , 克勞斯威爾福德 , 保羅漢斯喬成 , 布勞恩葛哈德 , 米古拉莎夏 , 度度克奧艾倫 , 查塞克克里斯多夫 , 范柏藍肯哈根吉賽拉 , 羅切羅蘭
IPC分类号： G02B , G03F
CPC分类号： G02B5/0891 , B82Y30/00 , G02B1/10 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/0816 , G03F7/70233 , G03F7/70316 , G03F7/70958
摘要：本發明關於用於極紫外線波長範圍的反射鏡(1a、1a’、1b、1b’、1c、1c’)，包含基板(S)及層配置，其中層配置包含至少一表面層系統(P''')，係由個別層的至少兩週期(P3)之週期序列所構成，其中週期(P3)包含由針對高反射率層(H''')及低反射率層(L''')之不同材料構成的兩個別層，其中層配置包含至少一表面保護層(SPL,Lp)或至少一表面保護層系統(SPLS)，係具有厚度大於20nm，尤其大於50nm。
简体摘要：本发明关于用于极紫外线波长范围的反射镜(1a、1a’、1b、1b’、1c、1c’)，包含基板(S)及层配置，其中层配置包含至少一表面层系统(P''')，系由个别层的至少两周期(P3)之周期串行所构成，其中周期(P3)包含由针对高反射率层(H''')及低反射率层(L''')之不同材料构成的两个别层，其中层配置包含至少一表面保护层(SPL,Lp)或至少一表面保护层系统(SPLS)，系具有厚度大于20nm，尤其大于50nm。

8. 发明专利

TW201142369A ＥＵＶ波長範圍之反射鏡、包含有此反射鏡之微影投射物鏡、包含有此投射物鏡之微影投射曝光裝置 MIRROR FOR THE EUV WAVELENGTH RANGE, PROJECTION OBJECTIVE FOR MICROLITHOGRAPHY COMPRISING SUCH A MIRROR, AND PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR MICROLITHOGRAPHY COMPRISING SUCH A PROJECTION OBJECTIVE 审中-公开
简体标题：ＥＵＶ波长范围之反射镜、包含有此反射镜之微影投射物镜、包含有此投射物镜之微影投射曝光设备 MIRROR FOR THE EUV WAVELENGTH RANGE, PROJECTION OBJECTIVE FOR MICROLITHOGRAPHY COMPRISING SUCH A MIRROR, AND PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR MICROLITHOGRAPHY COMPRISING SUCH A PROJECTION OBJECTIVE
公开(公告)号：TW201142369A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW099119649
申请日：2010-06-17
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司
发明人：保羅漢斯喬成 , 布勞恩葛哈德 , 米古拉莎夏 , 度度克奧艾倫 , 查塞克克里斯多夫
IPC分类号： G02B , G03F
CPC分类号： G03F7/70958 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70941 , G21K1/062 , G21K2201/064 , G21K2201/067
摘要：本發明關於用於EUV波長範圍之反射鏡(1a,1b,1c)，包含基板(S)及層配置，其中層配置包含複數層子系統(P”,P''')，各層子系統由個別層的至少兩個週期(P2,P3)之週期序列所組成，其中週期(P2,P3)包含由針對高折射率層(H”,H''')與針對低折射率層(L”,L''')之不同材料所組成的兩個個別層，並在各層子系統(P”,P''')內具有固定厚度(d2,d3)，係不同於相鄰層子系統的週期的厚度。反射鏡的特徵在於離基板(S)第二遠的層子系統(P”)具有週期(P2)的順序，使離基板(S)最遠的層子系統(P''')的第一高折射率層(H''')直接接續於離基板(S)第二遠的層子系統(P”)的最後高折射率層(H”)，及/或離基板(S)最遠的層子系統(P''')具有的週期(P3)數量(N3)比離基板(S)第二遠的層子系統(P”)具有的週期(P2)數量(N2)還大。本發明更關於包含此類反射鏡(1a;1b;1c)之微影投射物鏡以及包含此類投射物鏡之投射曝光裝置。
简体摘要：本发明关于用于EUV波长范围之反射镜(1a,1b,1c)，包含基板(S)及层配置，其中层配置包含复数层子系统(P”,P''')，各层子系统由个别层的至少两个周期(P2,P3)之周期串行所组成，其中周期(P2,P3)包含由针对高折射率层(H”,H''')与针对低折射率层(L”,L''')之不同材料所组成的两个个别层，并在各层子系统(P”,P''')内具有固定厚度(d2,d3)，系不同于相邻层子系统的周期的厚度。反射镜的特征在于离基板(S)第二远的层子系统(P”)具有周期(P2)的顺序，使离基板(S)最远的层子系统(P''')的第一高折射率层(H''')直接接续于离基板(S)第二远的层子系统(P”)的最后高折射率层(H”)，及/或离基板(S)最远的层子系统(P''')具有的周期(P3)数量(N3)比离基板(S)第二远的层子系统(P”)具有的周期(P2)数量(N2)还大。本发明更关于包含此类反射镜(1a;1b;1c)之微影投射物镜以及包含此类投射物镜之投射曝光设备。

9. 发明专利

TW201234125A 投射曝光系統與投射曝光方法 PROJECTION EXPOSURE SYSTEM AND PROJECTION EXPOSURE METHOD 审中-公开
简体标题：投射曝光系统与投射曝光方法 PROJECTION EXPOSURE SYSTEM AND PROJECTION EXPOSURE METHOD
公开(公告)号：TW201234125A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100134770
申请日：2011-09-27
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司
发明人：葛勞普納保羅 , 康拉帝歐拉夫 , 查塞克克里斯多夫 , 優里奇威爾漢 , 畢爾漢穆特 , 葛納托拉夫 , 葛艾舒滋渥克
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/70191 , G03F7/70308
摘要：投射曝光系統包含照射系統(ILL)及投射物鏡(PO)，照射系統(ILL)用於接收由主要輻射源(S)產生具有操作波長λ的主要輻射，以及用於形成主要輻射以產生照射輻射，其入射到提供預設圖案(PAT)之光罩(M)，投射物鏡(PO)用於在影像側數值孔徑NA，將設置在投射物鏡之物件表面(OS)中的圖案之影像投射到設置在投射物鏡之影像表面(IS)中的輻射敏感基板(W)。角度選擇過濾配置(FA)設置在一過濾平面中，其位於投射物鏡之物件表面光學下游之投射光束路徑中的場表面上或接近於該場表面。角度選擇過濾配置作用於根據角度選擇過濾函數過濾入射到過濾配置之輻射。過濾函數包含針對入射角小於截止入射角AOICUT而有入射輻射強度之相對高透射率之通帶(PB)，以及針對入射角大於截止入射角AOICUT而有入射輻射強度之相對低透射率之止帶(SB)。AOICUT=arcsin(NA*|β|)的條件成立，β為在過濾平面上或接近於該過濾平面之場表面與投射物鏡之影像表面間之影像形成的放大率。
简体摘要：投射曝光系统包含照射系统(ILL)及投射物镜(PO)，照射系统(ILL)用于接收由主要辐射源(S)产生具有操作波长λ的主要辐射，以及用于形成主要辐射以产生照射辐射，其入射到提供默认图案(PAT)之光罩(M)，投射物镜(PO)用于在影像侧数值孔径NA，将设置在投射物镜之对象表面(OS)中的图案之影像投射到设置在投射物镜之影像表面(IS)中的辐射敏感基板(W)。角度选择过滤配置(FA)设置在一过滤平面中，其位于投射物镜之对象表面光学下游之投射光束路径中的场表面上或接近于该场表面。角度选择过滤配置作用于根据角度选择过滤函数过滤入射到过滤配置之辐射。过滤函数包含针对入射角小于截止入射角AOICUT而有入射辐射强度之相对高透射率之通带(PB)，以及针对入射角大于截止入射角AOICUT而有入射辐射强度之相对低透射率之止带(SB)。AOICUT=arcsin(NA*|β|)的条件成立，β为在过滤平面上或接近于该过滤平面之场表面与投射物镜之影像表面间之影像形成的放大率。

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