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1. 发明专利

TW201235800A 微影製程之投影曝光工具的操作方法 METHOD OF OPERATING A PROJECTION EXPOSURE TOOL FOR MICROLITHOGRAPHY 审中-公开
简体标题：微影制程之投影曝光工具的操作方法 METHOD OF OPERATING A PROJECTION EXPOSURE TOOL FOR MICROLITHOGRAPHY
公开(公告)号：TW201235800A
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW101102171
申请日：2012-01-19
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司
发明人：康拉帝歐拉夫 , 托查克邁可 , 羅瑞尤瑞奇 , 俊傑德克 , 穆勒勞夫 , 沃德克里斯汀
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/70891 , G03F7/70141 , G03F7/70483 , G03F7/70516 , G03F7/708
摘要：本發明揭示一種操作微影製程之投影曝光工具(10)的方法。投影曝光工具(10)具有使用電磁輻射(13、13a、13b)將遮罩(20)上的物體結構成像於影像平面(28)中的投影物鏡(26)，在此期間，成像該電磁輻射(13b)造成投影物鏡(26)的光學性質變更。該方法包含以下步驟：提供遮罩(20)上要成像之物體結構的布局及根據物體結構之結構類型對該等物體結構進行分類；基於該等物體結構之分類，計算投影物鏡(26)在成像製程期間產生的光學性質變更；及使用投影曝光工具(10)將物體結構成像於影像平面(28)中，其中基於所計算光學性質變更，調整投影曝光工具(10)的成像行為，以至少部分補償投影物鏡(26)在成像製程期間因電磁輻射(13、13a、13b)所造成的光學性質變更。
简体摘要：本发明揭示一种操作微影制程之投影曝光工具(10)的方法。投影曝光工具(10)具有使用电磁辐射(13、13a、13b)将遮罩(20)上的物体结构成像于影像平面(28)中的投影物镜(26)，在此期间，成像该电磁辐射(13b)造成投影物镜(26)的光学性质变更。该方法包含以下步骤：提供遮罩(20)上要成像之物体结构的布局及根据物体结构之结构类型对该等物体结构进行分类；基于该等物体结构之分类，计算投影物镜(26)在成像制程期间产生的光学性质变更；及使用投影曝光工具(10)将物体结构成像于影像平面(28)中，其中基于所计算光学性质变更，调整投影曝光工具(10)的成像行为，以至少部分补偿投影物镜(26)在成像制程期间因电磁辐射(13、13a、13b)所造成的光学性质变更。

2. 发明专利

TW201642048A 微影製程之投影曝光工具的操作方法审中-公开
简体标题：微影制程之投影曝光工具的操作方法
公开(公告)号：TW201642048A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105124960
申请日：2012-01-19
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：康拉帝歐拉夫 , CONRADI, OLAF , 托查克邁可 , TOTZECK, MICHAEL , 羅瑞尤瑞奇 , LOERING, ULRICH , 俊傑德克 , JUERGENS, DIRK , 穆勒勞夫 , MUELLER, RALF , 沃德克里斯汀 , WALD, CHRISTIAN
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70891 , G03F7/70141 , G03F7/70483 , G03F7/70516 , G03F7/708
摘要：本發明揭示一種操作微影製程之投影曝光工具(10)的方法。投影曝光工具(10)具有使用電磁輻射(13、13a、13b)將遮罩(20)上的物體結構成像於影像平面(28)中的投影物鏡(26)，在此期間，成像該電磁輻射(13b)造成投影物鏡(26)的光學性質變更。該方法包含以下步驟：提供遮罩(20)上要成像之物體結構的布局及根據物體結構之結構類型對該等物體結構進行分類；基於該等物體結構之分類，計算投影物鏡(26)在成像製程期間產生的光學性質變更；及使用投影曝光工具(10)將物體結構成像於影像平面(28)中，其中基於所計算光學性質變更，調整投影曝光工具(10)的成像行為，以至少部分補償投影物鏡(26)在成像製程期間因電磁輻射(13、13a、13b)所造成的光學性質變更。
简体摘要：本发明揭示一种操作微影制程之投影曝光工具(10)的方法。投影曝光工具(10)具有使用电磁辐射(13、13a、13b)将遮罩(20)上的物体结构成像于影像平面(28)中的投影物镜(26)，在此期间，成像该电磁辐射(13b)造成投影物镜(26)的光学性质变更。该方法包含以下步骤：提供遮罩(20)上要成像之物体结构的布局及根据物体结构之结构类型对该等物体结构进行分类；基于该等物体结构之分类，计算投影物镜(26)在成像制程期间产生的光学性质变更；及使用投影曝光工具(10)将物体结构成像于影像平面(28)中，其中基于所计算光学性质变更，调整投影曝光工具(10)的成像行为，以至少部分补偿投影物镜(26)在成像制程期间因电磁辐射(13、13a、13b)所造成的光学性质变更。

3. 发明专利

TWI494706B 包含光學校正結構的半導體微影投射曝光裝置有权
简体标题：包含光学校正结构的半导体微影投射曝光设备
公开(公告)号：TWI494706B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW099110702
申请日：2010-04-07
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：布雷帝泰爾莎夏 , BLEIDISTEL, SASCHA , 康拉帝歐拉夫 , CONRADI, OLAF , 卡希阿利夫 , KAZI, ARIF
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70891 , G02B7/008 , G02B27/0068 , G03F7/70308

4. 发明专利

TWI550358B 微影製程之投影曝光工具的操作方法有权
简体标题：微影制程之投影曝光工具的操作方法
公开(公告)号：TWI550358B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW101102171
申请日：2012-01-19
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：康拉帝歐拉夫 , CONRADI, OLAF , 托查克邁可 , TOTZECK, MICHAEL , 羅瑞尤瑞奇 , 俊傑德克 , 穆勒勞夫 , 沃德克里斯汀 , WALD, CHRISTIAN
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70891 , G03F7/70141 , G03F7/70483 , G03F7/70516 , G03F7/708

5. 发明专利

TWI451208B 投射曝光系統與投射曝光方法有权
简体标题：投射曝光系统与投射曝光方法
公开(公告)号：TWI451208B
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW100134770
申请日：2011-09-27
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：葛勞普納保羅 , GRAEUPNER, PAUL , 康拉帝歐拉夫 , CONRADI, OLAF , 查塞克克里斯多夫 , ZACZEK, CHRISTOPH , 優里奇威爾漢 , ULRICH, WILHELM , 畢爾漢穆特 , BEIERL, HELMUT , 葛納托拉夫 , GRUNER, TORALF , 葛艾舒滋渥克 , GRAESCHUS, VOLKER
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70191 , G03F7/70308

6. 发明专利

TW201234125A 投射曝光系統與投射曝光方法 PROJECTION EXPOSURE SYSTEM AND PROJECTION EXPOSURE METHOD 审中-公开
简体标题：投射曝光系统与投射曝光方法 PROJECTION EXPOSURE SYSTEM AND PROJECTION EXPOSURE METHOD
公开(公告)号：TW201234125A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100134770
申请日：2011-09-27
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司
发明人：葛勞普納保羅 , 康拉帝歐拉夫 , 查塞克克里斯多夫 , 優里奇威爾漢 , 畢爾漢穆特 , 葛納托拉夫 , 葛艾舒滋渥克
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/70191 , G03F7/70308
摘要：投射曝光系統包含照射系統(ILL)及投射物鏡(PO)，照射系統(ILL)用於接收由主要輻射源(S)產生具有操作波長λ的主要輻射，以及用於形成主要輻射以產生照射輻射，其入射到提供預設圖案(PAT)之光罩(M)，投射物鏡(PO)用於在影像側數值孔徑NA，將設置在投射物鏡之物件表面(OS)中的圖案之影像投射到設置在投射物鏡之影像表面(IS)中的輻射敏感基板(W)。角度選擇過濾配置(FA)設置在一過濾平面中，其位於投射物鏡之物件表面光學下游之投射光束路徑中的場表面上或接近於該場表面。角度選擇過濾配置作用於根據角度選擇過濾函數過濾入射到過濾配置之輻射。過濾函數包含針對入射角小於截止入射角AOICUT而有入射輻射強度之相對高透射率之通帶(PB)，以及針對入射角大於截止入射角AOICUT而有入射輻射強度之相對低透射率之止帶(SB)。AOICUT=arcsin(NA*|β|)的條件成立，β為在過濾平面上或接近於該過濾平面之場表面與投射物鏡之影像表面間之影像形成的放大率。
简体摘要：投射曝光系统包含照射系统(ILL)及投射物镜(PO)，照射系统(ILL)用于接收由主要辐射源(S)产生具有操作波长λ的主要辐射，以及用于形成主要辐射以产生照射辐射，其入射到提供默认图案(PAT)之光罩(M)，投射物镜(PO)用于在影像侧数值孔径NA，将设置在投射物镜之对象表面(OS)中的图案之影像投射到设置在投射物镜之影像表面(IS)中的辐射敏感基板(W)。角度选择过滤配置(FA)设置在一过滤平面中，其位于投射物镜之对象表面光学下游之投射光束路径中的场表面上或接近于该场表面。角度选择过滤配置作用于根据角度选择过滤函数过滤入射到过滤配置之辐射。过滤函数包含针对入射角小于截止入射角AOICUT而有入射辐射强度之相对高透射率之通带(PB)，以及针对入射角大于截止入射角AOICUT而有入射辐射强度之相对低透射率之止带(SB)。AOICUT=arcsin(NA*|β|)的条件成立，β为在过滤平面上或接近于该过滤平面之场表面与投射物镜之影像表面间之影像形成的放大率。

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