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1. 发明专利

TWI529499B 偏向鏡與包含此偏向鏡之用於微影之投射曝光裝置有权
简体标题：偏向镜与包含此偏向镜之用于微影之投射曝光设备
公开(公告)号：TWI529499B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW101109461
申请日：2012-03-20
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：恩基施哈姆特 , ENKISCH, HARTMUT , 穆藍德史蒂芬 , MUELLENDER, STEPHAN , 安德烈斯馬丁 , ENDRES, MARTIN
IPC分类号： G03F7/20 , G02B17/06 , G21K1/06
CPC分类号： G03F7/702 , B82Y10/00 , G02B17/06 , G02B17/0663 , G03F7/70191 , G03F7/70308 , G03F7/70316 , G21K1/062 , G21K2201/061 , G21K2201/067

2. 发明专利

TW201638001A 薄膜审中-公开
公开(公告)号：TW201638001A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105101056
申请日：2016-01-14
申请人： CNM技術有限公司 , CNM TECHNOLOGIES GMBH
发明人：許奈德斯亞伯特 , SCHNIEDERS, ALBERT
IPC分类号： C01B31/00 , G03F1/00 , G03F1/24 , G21K1/06 , G03F7/20 , G03F1/62
CPC分类号： G03F1/62 , G03F1/24
摘要：揭示一種用於微影裝置(100)之薄膜(400，1100)及其製造方法。該薄膜(400，1100)包含碳基膜(405，1120，1200)，該碳基膜具有0.1nm與10nm之間的厚度及至少一個交聯芳族分子、雜芳族分子或多炔基或多烯基兩親媒性分子層。該碳基膜(405，1120，1200)具有外圍(402)及中心部分(404)，且該中心部分(404)對於輻射束(130)為可透射的。支撐結構(410，1110，1240)至少耦接至該碳基膜(405，1120，1200)之該外圍(402)。
简体摘要：揭示一种用于微影设备(100)之薄膜(400，1100)及其制造方法。该薄膜(400，1100)包含碳基膜(405，1120，1200)，该碳基膜具有0.1nm与10nm之间的厚度及至少一个交联芳族分子、杂芳族分子或多炔基或多烯基两亲媒性分子层。该碳基膜(405，1120，1200)具有外围(402)及中心部分(404)，且该中心部分(404)对于辐射束(130)为可透射的。支撑结构(410，1110，1240)至少耦接至该碳基膜(405，1120，1200)之该外围(402)。

3. 发明专利

TWI472800B ＥＵＶ反射鏡配置、包含ＥＵＶ反射鏡配置之光學系統以及操作包含ＥＵＶ反射鏡配置之光學系統的方法有权
简体标题：ＥＵＶ反射镜配置、包含ＥＵＶ反射镜配置之光学系统以及操作包含ＥＵＶ反射镜配置之光学系统的方法
公开(公告)号：TWI472800B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW101109813
申请日：2012-03-22
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：丁傑烏杜 , DINGER, UDO , 畢可克佛德列克 , BIJKERK, FREDERIK , 貝拉塔慕哈雷 , BAYRAKTAR, MUHARREM , 迪爾奧立弗 , DIER, OLIVER
IPC分类号： G02B26/06 , G02B5/08 , G03F7/20 , G21K1/06
CPC分类号： G21K1/062 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70075 , G03F7/70166 , G03F7/702 , G21K2201/067

5. 发明专利

TWI666523B 光學元件及其光學配置有权
简体标题：光学组件及其光学配置
公开(公告)号：TWI666523B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104106971
申请日：2015-03-05
申请人：德商卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：保羅漢斯喬成 , PAUL, HANS-JOCHEN , 畢特納鮑瑞斯 , BITTNER, BORIS , 瓦伯拉諾伯特 , WABRA, NORBERT , 斯奇凱坦茲湯瑪士 , SCHICKETANZ, THOMAS
IPC分类号： G03F7/20 , G02B5/08 , G02B1/113 , G21K1/06

6. 发明专利

TW201516461A ＥＵＶ反射鏡、包含ＥＵＶ反射鏡之光學系統以及操作包含ＥＵＶ反射鏡之光學系統的方法审中-公开
简体标题：ＥＵＶ反射镜、包含ＥＵＶ反射镜之光学系统以及操作包含ＥＵＶ反射镜之光学系统的方法
公开(公告)号：TW201516461A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW104101922
申请日：2012-03-22
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：丁傑烏杜 , DINGER, UDO , 畢可克佛德列克 , BIJKERK, FREDERIK , 貝拉塔慕哈雷 , BAYRAKTAR, MUHARREM , 迪爾奧立弗 , DIER, OLIVER
IPC分类号： G02B26/06 , G02B5/08 , G03F7/20 , G21K1/06
CPC分类号： G21K1/062 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70075 , G03F7/70166 , G03F7/702 , G21K2201/067
摘要：本發明揭示一種EUV反射鏡配置(100)，其具有彼此並排配置及共同形成反射鏡配置之鏡面的多個反射鏡元件(110、111、112)。每個反射鏡元件具有一基板(120)及塗覆在該基板上且對極紫外線範圍(EUV)之輻射具有反射效應的一多層配置(130)，該多層配置包含多個層對(135)，該等層對具有由一高折射率層材料及一低折射率層材料構成的交替層。該多層配置具有一活性層(140)，其配置在輻射進入表面及基板之間且由一壓電活性層材料組成，可利用電場的作用更改該活性層的層厚度(z)。對於每個活性層，供應一電極配置以產生對該活性層起作用的電場。
简体摘要：本发明揭示一种EUV反射镜配置(100)，其具有彼此并排配置及共同形成反射镜配置之镜面的多个反射镜组件(110、111、112)。每个反射镜组件具有一基板(120)及涂覆在该基板上且对极紫外线范围(EUV)之辐射具有反射效应的一多层配置(130)，该多层配置包含多个层对(135)，该等层对具有由一高折射率层材料及一低折射率层材料构成的交替层。该多层配置具有一活性层(140)，其配置在辐射进入表面及基板之间且由一压电活性层材料组成，可利用电场的作用更改该活性层的层厚度(z)。对于每个活性层，供应一电极配置以产生对该活性层起作用的电场。

7. 发明专利

TW201447918A ＥＵＶ反射鏡與包含ＥＵＶ反射鏡之光學系統审中-公开
简体标题：ＥＵＶ反射镜与包含ＥＵＶ反射镜之光学系统
公开(公告)号：TW201447918A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103100930
申请日：2014-01-10
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：斯奇凱坦茲湯瑪士 , SCHICKETANZ, THOMAS , 保羅漢斯喬成 , PAUL, HANS-JOCHEN , 查塞克克里斯多夫 , ZACZEK, CHRISTOPH
IPC分类号： G21K1/06
CPC分类号： G03F7/70316 , B82Y10/00 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G03F7/702 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
摘要：本發明揭示一種EUV反射鏡，其包含一基板及塗覆於該基板上的一多層配置，該多層配置對於來自極紫外光範圍(EUV)之波長λ的輻射具有反射效應且包含具有交替層的多個層對，該等交替層包含一高折射率層材料及一低折射率層材料。該多層配置包含：一週期性第一層群組(LG1)，其具有第一數目N1＞1之第一層對，該等第一層對是配置在該多層配置之輻射入射側附近且具有第一週期厚度P1；一週期性第二層群組(LG2)，其具有第二數目N2＞1之第二層對，該等第二層對是配置在該第一層群組及該基板之間且具有第二週期厚度P2；及一第三層群組(LG3)，其具有第三數目N3之第三層對，該等第三層對是配置在該第一層群組及該第二層群組之間。第一數目N1大於第二數目N2。該第三層群組具有平均第三週期厚度P3，其與平均週期厚度PM=(P1+P2)/2相差週期厚度差ΔP，其中週期厚度差ΔP實質上對應於四分之一波層之光學層厚度λ/4及第三數目N3與cos(AOIM)之乘積的商數，其中AOIM是該多層配置所設計的平均入射角。
简体摘要：本发明揭示一种EUV反射镜，其包含一基板及涂覆于该基板上的一多层配置，该多层配置对于来自极紫外光范围(EUV)之波长λ的辐射具有反射效应且包含具有交替层的多个层对，该等交替层包含一高折射率层材料及一低折射率层材料。该多层配置包含：一周期性第一层群组(LG1)，其具有第一数目N1＞1之第一层对，该等第一层对是配置在该多层配置之辐射入射侧附近且具有第一周期厚度P1；一周期性第二层群组(LG2)，其具有第二数目N2＞1之第二层对，该等第二层对是配置在该第一层群组及该基板之间且具有第二周期厚度P2；及一第三层群组(LG3)，其具有第三数目N3之第三层对，该等第三层对是配置在该第一层群组及该第二层群组之间。第一数目N1大于第二数目N2。该第三层群组具有平均第三周期厚度P3，其与平均周期厚度PM=(P1+P2)/2相差周期厚度差ΔP，其中周期厚度差ΔP实质上对应于四分之一波层之光学层厚度λ/4及第三数目N3与cos(AOIM)之乘积的商数，其中AOIM是该多层配置所设计的平均入射角。

8. 发明专利

TW201305601A ＥＵＶ反射鏡配置、包含ＥＵＶ反射鏡配置之光學系統以及操作包含ＥＵＶ反射鏡配置之光學系統的方法审中-公开
简体标题：ＥＵＶ反射镜配置、包含ＥＵＶ反射镜配置之光学系统以及操作包含ＥＵＶ反射镜配置之光学系统的方法
公开(公告)号：TW201305601A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101109813
申请日：2012-03-22
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：丁傑烏杜 , DINGER, UDO , 畢可克佛德列克 , BIJKERK, FREDERIK , 貝拉塔慕哈雷 , BAYRAKTAR, MUHARREM , 迪爾奧立弗 , DIER, OLIVER
IPC分类号： G02B26/06 , G02B5/08 , G03F7/20 , G21K1/06
CPC分类号： G21K1/062 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70075 , G03F7/70166 , G03F7/702 , G21K2201/067
摘要：本發明揭示一種EUV反射鏡配置(100)，其具有彼此並排配置及共同形成反射鏡配置之鏡面的多個反射鏡元件(110、111、112)。每個反射鏡元件具有一基板(120)及塗覆在該基板上且對極紫外線範圍(EUV)之輻射具有反射效應的一多層配置(130)，該多層配置包含多個層對(135)，該等層對具有由一高折射率層材料及一低折射率層材料構成的交替層。該多層配置具有一活性層(140)，其配置在輻射進入表面及基板之間且由一壓電活性層材料組成，可利用電場的作用更改該活性層的層厚度(z)。對於每個活性層，供應一電極配置以產生對該活性層起作用的電場。
简体摘要：本发明揭示一种EUV反射镜配置(100)，其具有彼此并排配置及共同形成反射镜配置之镜面的多个反射镜组件(110、111、112)。每个反射镜组件具有一基板(120)及涂覆在该基板上且对极紫外线范围(EUV)之辐射具有反射效应的一多层配置(130)，该多层配置包含多个层对(135)，该等层对具有由一高折射率层材料及一低折射率层材料构成的交替层。该多层配置具有一活性层(140)，其配置在辐射进入表面及基板之间且由一压电活性层材料组成，可利用电场的作用更改该活性层的层厚度(z)。对于每个活性层，供应一电极配置以产生对该活性层起作用的电场。

9. 发明专利

TW201802499A ＥＵＶ波長範圍的反射鏡审中-公开
简体标题：ＥＵＶ波长范围的反射镜
公开(公告)号：TW201802499A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106116287
申请日：2017-05-17
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：韋柏喬恩 , WEBER, JOERN , 格哈瑟克里斯欽 , GRASSE, CHRISTIAN , 史托貝爾賽巴斯汀 , STROBEL, SEBASTIAN , 休柏彼得 , HUBER, PETER
IPC分类号： G02B5/08 , G02B5/09 , G02B17/06 , G03F7/20 , G21K1/06
CPC分类号： G03F7/70958 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G21K1/062
摘要：本發明係關於一種極紫外光(EUV)波長範圍的反射鏡(S1、S2)，以及包含此類反射鏡(S1、S2)的用於微影的投影透鏡(4)和照明系統(3)。再者，本發明係關於一種包含此類投影透鏡(4)和/或此類照明系統(3)的用於微影的投影曝光裝置(1)。依據本發明的EUV波長範圍的反射鏡(S1、S2)包含一基板；以及一層配置，其中該層配置(X)包含一反射層系統(RL)，其具有至少一個層子系統(P')；以及一保護層系統(SPL)，其保護該基板，其中該保護層系統(SPL)包含至少兩個週期(PSPL)的一週期性序列，其在每種情況下皆包含有兩層個別層(AZ、R)，其特徵在於該週期(PSPL)的第一個別層(AZ)同時藉由吸收該EUV輻射而保護該基板並補償該層配置(X)中的層應力，而且該各自第二個別層(R)藉由使該第一個別層(AZ)的表面粗糙度平滑而縮減該保護層系統(SPL)的表面粗糙度。
简体摘要：本发明系关于一种极紫外光(EUV)波长范围的反射镜(S1、S2)，以及包含此类反射镜(S1、S2)的用于微影的投影透镜(4)和照明系统(3)。再者，本发明系关于一种包含此类投影透镜(4)和/或此类照明系统(3)的用于微影的投影曝光设备(1)。依据本发明的EUV波长范围的反射镜(S1、S2)包含一基板；以及一层配置，其中该层配置(X)包含一反射层系统(RL)，其具有至少一个层子系统(P')；以及一保护层系统(SPL)，其保护该基板，其中该保护层系统(SPL)包含至少两个周期(PSPL)的一周期性串行，其在每种情况下皆包含有两层个别层(AZ、R)，其特征在于该周期(PSPL)的第一个别层(AZ)同时借由吸收该EUV辐射而保护该基板并补偿该层配置(X)中的层应力，而且该各自第二个别层(R)借由使该第一个别层(AZ)的表面粗糙度平滑而缩减该保护层系统(SPL)的表面粗糙度。

10. 发明专利

TWI583639B 氧化矽－鈦玻璃，氧化矽－鈦玻璃之製造方法，以及氧化矽－鈦玻璃之分類方法有权
简体标题：氧化硅－钛玻璃，氧化硅－钛玻璃之制造方法，以及氧化硅－钛玻璃之分类方法
公开(公告)号：TWI583639B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW102146894
申请日：2013-12-18
申请人：信越石英股份有限公司 , SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD. , 信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：上田哲司 , UEDA, TETSUJI , 江崎正信 , EZAKI, MASANOBU , 每田繁 , MAIDA, SHIGERU , 大塚久利 , OTSUKA, HISATOSHI
IPC分类号： C03B20/00 , C03B8/00 , C03B25/00 , C03C3/06 , C03C4/00 , G03F7/20 , G02B5/08 , G21K1/00 , G21K1/06
CPC分类号： Y02P40/57

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