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    • 9. 发明专利
    • 光學裝置及操作光學裝置的方法
    • 光学设备及操作光学设备的方法
    • TW201921134A
    • 2019-06-01
    • TW107127153
    • 2018-08-03
    • 德商卡爾蔡司SMT有限公司CARL ZEISS SMT GMBH
    • 貝克 莫里茲BECKER, MORITZ舒密特 史帝夫 渥夫岡SCHMIDT, STEFAN-WOLFGANG
    • G03F7/20
    • 一種用以操作一光學裝置(100A,100B,200)的方法,其包含配置於裝置(100A,100B,200)的一殘餘氣體氣氛(RGA)中且至少部分地由一元件材料形成,該元件材料由存在於殘餘氣體氣氛(RGA)中的一電漿成分(PK)進行一化學還原程序及/或一蝕刻程序,,將執行以下步驟:根據偵測到的抑制程度(UM),提供至少部分地抑制還原程序的一氣體成分(GK),用以藉由在殘餘氣體氣氛(RGA)中的抑制氣體成分(GK)來抑制還原程序及/或蝕刻程序;以及在配置於殘餘氣體氣氛(RGA)中的一感測器單元(208)的協助下偵測(S1)抑制程度(UM),該感測器單元包含由一感測器材料組成的一感測器材料部分(211),其中感測器材料部份(211)具有在抑制氣體成分(GK)的影響下可量測的一感測器部分特性。
    • 一种用以操作一光学设备(100A,100B,200)的方法,其包含配置于设备(100A,100B,200)的一残余气体气氛(RGA)中且至少部分地由一组件材料形成,该组件材料由存在于残余气体气氛(RGA)中的一等离子成分(PK)进行一化学还原进程及/或一蚀刻进程,,将运行以下步骤:根据侦测到的抑制程度(UM),提供至少部分地抑制还原进程的一气体成分(GK),用以借由在残余气体气氛(RGA)中的抑制气体成分(GK)来抑制还原进程及/或蚀刻进程;以及在配置于残余气体气氛(RGA)中的一传感器单元(208)的协助下侦测(S1)抑制程度(UM),该传感器单元包含由一传感器材料组成的一传感器材料部分(211),其中传感器材料部份(211)具有在抑制气体成分(GK)的影响下可量测的一传感器部分特性。