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1. 发明专利

TW201634730A 排放氣體處理裝置及基板處理裝置审中-公开
简体标题：排放气体处理设备及基板处理设备
公开(公告)号：TW201634730A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105100935
申请日：2016-01-13
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：沼田隆之 , NUMATA, TAKAYUKI , 藤倉序章 , FUJIKURA, HAJIME , 今野泰一郎 , KONNO, TAICHIRO , 根本秀聖 , NEMOTO, SHUSEI
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/324
CPC分类号： B01D46/04 , B01D46/24 , C23C16/44 , H01L21/205
摘要：本發明提供一種能夠減少過濾器之更換頻率之技術。本發明具備有：容器，其導入自反應容器所排出之排放氣體；過濾器，其設於容器內，捕捉排放氣體所含有之反應副產物；及碰撞構件，其碰撞過濾器，並藉由該衝擊，將過濾器所捕捉之反應副產物自過濾器去除。
简体摘要：本发明提供一种能够减少过滤器之更换频率之技术。本发明具备有：容器，其导入自反应容器所排出之排放气体；过滤器，其设于容器内，捕捉排放气体所含有之反应副产物；及碰撞构件，其碰撞过滤器，并借由该冲击，将过滤器所捕捉之反应副产物自过滤器去除。

2. 发明专利

TW201621984A 氮化物半導體模板之製造方法审中-公开
简体标题：氮化物半导体模板之制造方法
公开(公告)号：TW201621984A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104122597
申请日：2015-07-13
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：藤倉序章 , FUJIKURA, HAJIME
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/34 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/203 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/22 , C23C14/0641 , C23C14/24 , C23C16/34 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/38 , C30B29/406 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要：本發明之課題在於抑制氮化物半導體模板的表面缺陷發生。本發明之解決手段為一種氮化物半導體模板之製造方法，其具有：在使圓錐狀或角錐狀之凸部於表面配置為格子狀而形成的藍寶石基板上，使緩衝層成長為較上述凸部之頂端寬度更厚、且為11nm以上400nm以下之厚度的步驟；與於上述緩衝層上使氮化物半導體層成長形成的步驟。
简体摘要：本发明之课题在于抑制氮化物半导体模板的表面缺陷发生。本发明之解决手段为一种氮化物半导体模板之制造方法，其具有：在使圆锥状或角锥状之凸部于表面配置为格子状而形成的蓝宝石基板上，使缓冲层成长为较上述凸部之顶端宽度更厚、且为11nm以上400nm以下之厚度的步骤；与于上述缓冲层上使氮化物半导体层成长形成的步骤。

3. 发明专利

TW201704566A 氮化物半導體積層體之製造方法及氮化物半導體積層體审中-公开
简体标题：氮化物半导体积层体之制造方法及氮化物半导体积层体
公开(公告)号：TW201704566A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105100937
申请日：2016-01-13
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：藤倉序章 , FUJIKURA, HAJIME , 今野泰一郎 , KONNO, TAICHIRO
IPC分类号： C30B29/38 , H01L21/205
CPC分类号： C30B29/38 , H01L21/205
摘要：本發明提供一種提高利用VAS法形成獨立基板(freestanding substrate)時用作基底基板之氮化物半導體積層體之生產性、獨立基板之生產性之技術。本發明具有：第1步驟，其係於基板上形成AlN層；第2步驟，其係於AlN層上形成第1GaN層；第3步驟，其係於第1GaN層上形成包含Al之III族氮化物半導體層；第4步驟，其係於III族氮化物半導體層上形成第2GaN層；第5步驟，其係於第2GaN層上形成金屬膜；及第6步驟，其係進行將第2GaN層及金屬膜改質為多孔質之處理；第1~第4各步驟分別係利用HVPE法進行。
简体摘要：本发明提供一种提高利用VAS法形成独立基板(freestanding substrate)时用作基底基板之氮化物半导体积层体之生产性、独立基板之生产性之技术。本发明具有：第1步骤，其系于基板上形成AlN层；第2步骤，其系于AlN层上形成第1GaN层；第3步骤，其系于第1GaN层上形成包含Al之III族氮化物半导体层；第4步骤，其系于III族氮化物半导体层上形成第2GaN层；第5步骤，其系于第2GaN层上形成金属膜；及第6步骤，其系进行将第2GaN层及金属膜改质为多孔质之处理；第1~第4各步骤分别系利用HVPE法进行。

4. 发明专利

TW201637083A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201637083A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105100940
申请日：2016-01-13
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：藤倉序章 , FUJIKURA, HAJIME , 今野泰一郎 , KONNO, TAICHIRO , 沼田隆之 , NUMATA, TAKAYUKI , 根本秀聖 , NEMOTO, SHUSEI
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： C23C16/458 , C23C16/303 , C23C16/34 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/02664 , H01L21/31 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6776 , H01L21/67778
摘要：本發明提供一種使基板之生產性提高之技術。本發明具備有：基板載置台，其係設於被形成於容器內部之升溫部或降溫部中之至少任一者，並與被載置於載置面上之基板之間進行熱傳遞；及溫度控制部，其控制基板載置台之溫度；溫度控制部係在基板載置台被設於升溫部之情形時，以於基板被載置於基板載置台之前，使基板載置台之溫度成為能使即將被搬入處理部之基板升溫至既定溫度之溫度的方式進行控制，而在基板載置台被設於降溫部之情形時，以於基板被載置於基板載置台之前，使基板載置台之溫度成為能使自處理部所搬出之處理完畢之基板降溫至既定溫度之溫度的方式進行控制。
简体摘要：本发明提供一种使基板之生产性提高之技术。本发明具备有：基板载置台，其系设于被形成于容器内部之升温部或降温部中之至少任一者，并与被载置于载置面上之基板之间进行热传递；及温度控制部，其控制基板载置台之温度；温度控制部系在基板载置台被设于升温部之情形时，以于基板被载置于基板载置台之前，使基板载置台之温度成为能使即将被搬入处理部之基板升温至既定温度之温度的方式进行控制，而在基板载置台被设于降温部之情形时，以于基板被载置于基板载置台之前，使基板载置台之温度成为能使自处理部所搬出之处理完毕之基板降温至既定温度之温度的方式进行控制。

5. 发明专利

TWI546981B 氮化鎵模板基板的製造方法和氮化鎵模板基板有权
简体标题：氮化镓模板基板的制造方法和氮化镓模板基板
公开(公告)号：TWI546981B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW102107312
申请日：2013-03-01
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：松田三智子 , MATSUDA, MICHIKO , 藤倉序章 , FUJIKURA, HAJIME , 今野泰一郎 , KONNO, TAICHIRO
IPC分类号： H01L33/30

6. 发明专利

TW201612353A 氮化物半導體模板之製造方法审中-公开
简体标题：氮化物半导体模板之制造方法
公开(公告)号：TW201612353A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104122599
申请日：2015-07-13
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：藤倉序章 , FUJIKURA, HAJIME
IPC分类号： C23C16/34 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/007 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/205 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32
摘要：本發明之課題在於抑制氮化物半導體模板的表面缺陷發生。本發明提供一種氮化物半導體模板之製造方法，其具有：在使圓錐狀或角錐狀之凸部於表面配置為格子狀而形成的藍寶石基板上，使緩衝層成長形成為上述凸部之頂上寬度以下、且為10nm以上330nm以下之厚度的步驟；與於上述緩衝層上使氮化物半導體層成長形成的步驟。
简体摘要：本发明之课题在于抑制氮化物半导体模板的表面缺陷发生。本发明提供一种氮化物半导体模板之制造方法，其具有：在使圆锥状或角锥状之凸部于表面配置为格子状而形成的蓝宝石基板上，使缓冲层成长形成为上述凸部之顶上宽度以下、且为10nm以上330nm以下之厚度的步骤；与于上述缓冲层上使氮化物半导体层成长形成的步骤。

7. 发明专利

TW201703118A 氮化物半導體模板及其製造方法、以及磊晶晶圓审中-公开
简体标题：氮化物半导体模板及其制造方法、以及磊晶晶圆
公开(公告)号：TW201703118A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105105892
申请日：2016-02-26
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：根本秀聖 , NEMOTO, SHUSEI , 今野泰一郎 , KONNO, TAICHIRO , 藤倉序章 , FUJIKURA, HAJIME
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/20 , H01L33/32
CPC分类号： C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/007 , H01L33/32
摘要：在本發明的一實施態樣中，提供一種氮化物半導體模板，其具有：異質基板11；第一氮化物半導體層13，其被形成於異質基板11的面11a上，由氮化物半導體所構成，厚度的面內偏差為4.0%以下；及，第二氮化物半導體層15，其被形成於包含異質基板11的面11b的外周之環狀區域上，由前述氮化物半導體所構成，厚度為1μm以上。
简体摘要：在本发明的一实施态样中，提供一种氮化物半导体模板，其具有：异质基板11；第一氮化物半导体层13，其被形成于异质基板11的面11a上，由氮化物半导体所构成，厚度的面内偏差为4.0%以下；及，第二氮化物半导体层15，其被形成于包含异质基板11的面11b的外周之环状区域上，由前述氮化物半导体所构成，厚度为1μm以上。

8. 发明专利

TW201633380A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201633380A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104142754
申请日：2015-12-18
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：藤倉序章 , FUJIKURA, HAJIME , 今野泰一郎 , KONNO, TAICHIRO , 野中岳宏 , NONAKA, TAKEHIRO , 沼田隆之 , NUMATA, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , C30B25/12
CPC分类号： C23C16/45593 , C23C16/303 , C23C16/45519 , C23C16/45589 , C23C16/4584 , C30B25/12 , C30B29/406 , C30B31/14 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/68764 , H01L29/2003 , H01L29/207
摘要：本發明之課題，在於提供一種於既定之基板的處理結束後，抑制未意料到之基板的處理被進行之技術。本發明具備有：基板支撐部，其在處理室內支撐基板；處理氣體供給部，其將處理氣體供給至處理室內；及移動機構，其在處理室內，使基板支撐部在被自處理氣體供給部供給之處理氣體所噴吹之第1位置，與不會被自處理氣體供給部供給之處理氣體所噴吹之第2位置之間移動。
简体摘要：本发明之课题，在于提供一种于既定之基板的处理结束后，抑制未意料到之基板的处理被进行之技术。本发明具备有：基板支撑部，其在处理室内支撑基板；处理气体供给部，其将处理气体供给至处理室内；及移动机构，其在处理室内，使基板支撑部在被自处理气体供给部供给之处理气体所喷吹之第1位置，与不会被自处理气体供给部供给之处理气体所喷吹之第2位置之间移动。

9. 发明专利

TW201621078A 半導體製造裝置及半導體製造方法审中-公开
简体标题：半导体制造设备及半导体制造方法
公开(公告)号：TW201621078A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104122594
申请日：2015-07-13
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：藤倉序章 , FUJIKURA, HAJIME
IPC分类号： C23C16/44 , C30B25/14 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4401 , B08B5/02 , C23C16/4405 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/54 , C30B25/14 , C30B25/165 , C30B29/40 , C30B29/406 , C30B35/00 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/205 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/68714 , H01L21/68785
摘要：本發明所提供的半導體製造技術係能有效率地執行清洗去除構件上所累積之累積物。本發明的半導體製造裝置係具備有：處理容器、隔間壁、基板載持構件、原料氣體供應系統、清洗氣體供應系統及加熱器。該隔間壁係將處理容器內的空間至少其中一部分區分為成長部與清洗部。該基板載持構件係配置於成長部內。該原料氣體供應系統係朝成長部內供應原料氣體。該清洗氣體供應系統係朝清洗部內供應清洗氣體。該加熱器係加熱成長部及上述清洗部。
简体摘要：本发明所提供的半导体制造技术系能有效率地运行清洗去除构件上所累积之累积物。本发明的半导体制造设备系具备有：处理容器、隔间壁、基板载持构件、原料气体供应系统、清洗气体供应系统及加热器。该隔间壁系将处理容器内的空间至少其中一部分区分为成长部与清洗部。该基板载持构件系配置于成长部内。该原料气体供应系统系朝成长部内供应原料气体。该清洗气体供应系统系朝清洗部内供应清洗气体。该加热器系加热成长部及上述清洗部。

10. 发明专利

TW201611157A 半導體製造裝置及半導體製造方法审中-公开
简体标题：半导体制造设备及半导体制造方法
公开(公告)号：TW201611157A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104122596
申请日：2015-07-13
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：藤倉序章 , FUJIKURA, HAJIME
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/306
CPC分类号： C23C16/455 , C23C16/448 , C23C16/4488 , C23C16/46 , C30B25/08 , C30B25/10 , C30B25/14 , C30B25/18 , C30B29/38 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要：可簡便執行朝反應爐內所配置儲存容器內的金屬原料補充。本發明的半導體製造裝置，係對反應爐內所設置基板供應原料氣體，而對基板施行成膜處理的半導體製造裝置，具備有：儲存容器、輔助容器、連接管、密封栓、及加熱器部。其中，該儲存容器係配置於上述反應爐內，收容著成為原料氣體基礎的金屬原料。該輔助容器係配置於反應爐內的儲存容器上方側，且設有金屬原料投入口的有底容器。該連接管係使輔助容器所形成的金屬原料流出口，連通於儲存容器內。該密封栓係可開閉密封流出口。該加熱器部係將反應爐內加熱至使輔助容器內的金屬原料及儲存容器內的金屬原料熔融，且對基板施行成膜處理時所必要的既定溫度。
简体摘要：可简便运行朝反应炉内所配置存储容器内的金属原料补充。本发明的半导体制造设备，系对反应炉内所设置基板供应原料气体，而对基板施行成膜处理的半导体制造设备，具备有：存储容器、辅助容器、连接管、密封栓、及加热器部。其中，该存储容器系配置于上述反应炉内，收容着成为原料气体基础的金属原料。该辅助容器系配置于反应炉内的存储容器上方侧，且设有金属原料投入口的有底容器。该连接管系使辅助容器所形成的金属原料流出口，连通于存储容器内。该密封栓系可开闭密封流出口。该加热器部系将反应炉内加热至使辅助容器内的金属原料及存储容器内的金属原料熔融，且对基板施行成膜处理时所必要的既定温度。

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