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1. 发明专利

TW202027563A 電漿處理裝置及使用彼之電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及使用彼之等离子处理方法
公开(公告)号：TW202027563A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW109105889
申请日：2016-05-19
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：小藤直行 , KOFUJI, NAOYUKI , 森政士 , MORI, MASAHITO , 西田敏明 , NISHIDA, TOSHIAKI , 濱崎良二 , HAMASAKI, RYOJI
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：可提供一種能以一台的裝置來實現自由基照射的步驟及離子照射的步驟雙方，且能控制離子照射的能量從數10eV到數KeV之電漿處理裝置。具有：產生感應耦合電漿的機構(125、126，131、132)；將減壓處理室分成上部領域(106-1)及下部領域(106-2)，且用以遮蔽離子的多孔板(116)；及切換上部領域(106-1)與下部領域(106-2)作為電漿產生領域的開關(133)。
简体摘要：可提供一种能以一台的设备来实现自由基照射的步骤及离子照射的步骤双方，且能控制离子照射的能量从数10eV到数KeV之等离子处理设备。具有：产生感应耦合等离子的机构(125、126，131、132)；将减压处理室分成上部领域(106-1)及下部领域(106-2)，且用以屏蔽离子的多孔板(116)；及切换上部领域(106-1)与下部领域(106-2)作为等离子产生领域的开关(133)。

2. 发明专利

TWI698900B 離子研磨裝置及離子研磨裝置的離子源調整方法有权
简体标题：离子研磨设备及离子研磨设备的离子源调整方法
公开(公告)号：TWI698900B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW108106272
申请日：2019-02-25
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECH CORPORATION
发明人：鴨志田斉 , KAMOSHIDA, HITOSHI , 高須久幸 , TAKASU, HISAYUKI , 上野敦史 , KAMINO, ATSUSHI , 岩谷徹 , IWAYA, TORU
IPC分类号： H01J37/21 , H01J37/16 , H01J37/30

3. 发明专利

TWI697025B 帶電粒子線裝置，截面形狀推定程式有权
简体标题：带电粒子线设备，截面形状推定进程
公开(公告)号：TWI697025B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW108103058
申请日：2019-01-28
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：横須賀俊之 , YOKOSUKA, TOSHIYUKI , 川野源 , KAWANO, HAJIME , 黒澤浩一 , KUROSAWA, KOUICHI , 数見秀之 , KAZUMI, HIDEYUKI
IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/244 , H01L21/66

4. 发明专利

TW202018758A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW202018758A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108133771
申请日：2019-09-19
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：磯崎真一 , ISOZAKI, MASAKAZU , 橋本尊久 , HASHIMOTO, TAKAHISA
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/02
摘要： [課題] 提供將良率、處理的效率提升的電漿處理裝置。 [解決手段] 一種電漿處理裝置，具備形成電漿的真空腔室、可從此卸除的內側腔室、配置於內側腔室內的樣品台、被配置於內側腔室內並被環狀地配置於樣品台的下方的周圍的樣品台環體基底、在真空腔室與內側腔室之間的空間與樣品台環體基底連結並將樣品台吊掛而從上方支撐的吊樑、真空腔室的內側被氣密地密封的狀態下，內側腔室被載於樣品台環體基底上而其內側被氣密地密封且被從真空腔室外部氣密地密封，吊樑之上部被保持為相對於構成真空腔室上部而覆蓋內部的樣品台底板可上下方向移動，在該吊樑的SUS製之上部構材與樣品台底板之間被夾住的導電連接器。
简体摘要： [课题] 提供将良率、处理的效率提升的等离子处理设备。 [解决手段] 一种等离子处理设备，具备形成等离子的真空腔室、可从此卸除的内侧腔室、配置于内侧腔室内的样品台、被配置于内侧腔室内并被环状地配置于样品台的下方的周围的样品台环体基底、在真空腔室与内侧腔室之间的空间与样品台环体基底链接并将样品台吊挂而从上方支撑的吊梁、真空腔室的内侧被气密地密封的状态下，内侧腔室被载于样品台环体基底上而其内侧被气密地密封且被从真空腔室外部气密地密封，吊梁之上部被保持为相对于构成真空腔室上部而覆盖内部的样品台底板可上下方向移动，在该吊梁的SUS制之上部构材与样品台底板之间被夹住的导电连接器。

5. 发明专利

TW202018750A 帶電粒子線裝置的調整方法及帶電粒子線裝置系統审中-公开
简体标题：带电粒子线设备的调整方法及带电粒子线设备系统
公开(公告)号：TW202018750A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108140007
申请日：2019-11-05
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：君平太 , KIMIZUKA, HEITA , 津野夏規 , TSUNO, NATSUKI , 福田宗行 , FUKUDA, MUNEYUKI
IPC分类号： H01J37/02 , H01J37/256
摘要：本揭示提出一種帶電粒子線裝置及帶電粒子線裝置的調整方法，目的在於不受試料的狀態左右，而適切地設定裝置條件。本揭示中，提出一種方法、及系統，係調整圖像的對比度與亮度之方法、系統，進行帶電粒子線裝置的訊號處理裝置的偏移調整，使得藉由第1帶電粒子線(第1斷續條件的射束)的掃描而獲得的圖像中包含之圖樣的亮度成為規定值(步驟112)，進行前述訊號處理裝置的增益調整，使得藉由照射時間、照射距離、照射點間遮斷時間、及照射點間距離的至少1者和前述第1帶電粒子線相異之脈波狀射束(第2斷續條件的射束)亦即第2帶電粒子線的掃描而獲得的圖像中包含之圖樣的亮度成為規定值(步驟114)。
简体摘要：本揭示提出一种带电粒子线设备及带电粒子线设备的调整方法，目的在于不受试料的状态左右，而适切地设置设备条件。本揭示中，提出一种方法、及系统，系调整图像的对比度与亮度之方法、系统，进行带电粒子线设备的信号处理设备的偏移调整，使得借由第1带电粒子线(第1断续条件的射束)的扫描而获得的图像中包含之图样的亮度成为规定值(步骤112)，进行前述信号处理设备的增益调整，使得借由照射时间、照射距离、照射点间遮断时间、及照射点间距离的至少1者和前述第1带电粒子线相异之脉波状射束(第2断续条件的射束)亦即第2带电粒子线的扫描而获得的图像中包含之图样的亮度成为规定值(步骤114)。

6. 外观设计

TWD204223S 電漿處理裝置用接地電極有权
简体标题：等离子处理设备用接地电极
公开(公告)号：TWD204223S
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW108305647
申请日：2019-09-18
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
设计人：渡部拓 , WATANABE, TAKU

7. 发明专利

TWI690969B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI690969B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW106133310
申请日：2017-09-28
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：江藤宗一郎 , ETO, SOICHIRO , 大森健史 , OHMORI, TAKESHI , 臼井建人 , USUI, TATEHITO , 井上智己 , INOUE, SATOMI
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/32

8. 发明专利

TWI689227B 電漿處理裝置及使用彼之電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及使用彼之等离子处理方法
公开(公告)号：TWI689227B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW107114742
申请日：2016-05-19
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：小藤直行 , KOFUJI, NAOYUKI , 森政士 , MORI, MASAHITO , 西田敏明 , NISHIDA, TOSHIAKI , 濱崎良二 , HAMASAKI, RYOJI
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065

9. 发明专利

TWI689008B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI689008B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW107130270
申请日：2018-08-30
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：植村崇 , UEMURA, TAKASHI , 一野貴雅 , ICHINO, TAKAMASA , 中本和則 , NAKAMOTO, KAZUNORI , 佐藤浩平 , SATOU, KOUHEI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32

10. 发明专利

TW202008625A 磁穿隧接面元件、使用其之磁記憶體及磁穿隧接面元件之製造方法审中-公开
简体标题：磁穿隧接面组件、使用其之磁内存及磁穿隧接面组件之制造方法
公开(公告)号：TW202008625A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108100618
申请日：2019-01-08
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：三浦勝哉 , MIURA, KATSUYA , 濱村浩孝 , HAMAMURA, HIROTAKA , 趙煜 , ZHAO, YU , 山田将貴 , YAMADA, MASAKI , 佐藤清彦 , SATO, KIYOHIKO
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： [課題] 　　提供一種磁穿隧接面（MTJ）元件，可抑制由於電漿CVD成膜所致的磁穿隧接面層的磁特性劣化，應付微細化。 [解決手段] 　　MTJ元件具有磁穿隧接面層(101、102、103)、和形成於磁穿隧接面層之側壁的複數層的保護膜，複數層的保護膜係使電漿CVD的成膜條件不同而形成的SiN膜，包含直接接於磁穿隧接面層而形成的第1保護膜(109)，第1保護膜的成膜條件中的氫離子密度或氫離子能量比複數層的保護膜的其他保護膜(110)的成膜條件中的氫離子密度或氫離子能量低，其他保護膜方面包含其氮密度比第1保護膜的氮密度高的保護膜。
简体摘要： [课题] 　　提供一种磁穿隧接面（MTJ）组件，可抑制由于等离子CVD成膜所致的磁穿隧接面层的磁特性劣化，应付微细化。 [解决手段] 　　MTJ组件具有磁穿隧接面层(101、102、103)、和形成于磁穿隧接面层之侧壁的复数层的保护膜，复数层的保护膜系使等离子CVD的成膜条件不同而形成的SiN膜，包含直接接于磁穿隧接面层而形成的第1保护膜(109)，第1保护膜的成膜条件中的氢离子密度或氢离子能量比复数层的保护膜的其他保护膜(110)的成膜条件中的氢离子密度或氢离子能量低，其他保护膜方面包含其氮密度比第1保护膜的氮密度高的保护膜。

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