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1. 发明专利

TW202026768A 電子束圖像取得裝置及電子束圖像取得方法审中-公开
简体标题：电子束图像取得设备及电子束图像取得方法
公开(公告)号：TW202026768A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108136350
申请日：2019-10-08
申请人：日商紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：井上和彦 , INOUE, KAZUHIKO , 安藤厚司 , ANDO, ATSUSHI
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/12 , H01J37/21 , H01J37/244
摘要：本發明的一個態樣有關電子束圖像取得裝置及電子束圖像取得方法。本發明的一個態樣之電子束圖像取得裝置，具備：第1靜電透鏡群，修正伴隨平台的移動而發生之1次電子束的對焦位置距基板面的基準位置之偏離、及由於修正1次電子束的對焦位置的偏離量而發生之在基板面之1次電子束的複數個變動量；及第2靜電透鏡群，因藉由第1靜電透鏡群而被修正的1次電子束照射至基板而從基板放出而通過第1靜電透鏡群的至少1個靜電透鏡之2次電子束的像的複數個變動量。
简体摘要：本发明的一个态样有关电子束图像取得设备及电子束图像取得方法。本发明的一个态样之电子束图像取得设备，具备：第1静电透镜群，修正伴随平台的移动而发生之1次电子束的对焦位置距基板面的基准位置之偏离、及由于修正1次电子束的对焦位置的偏离量而发生之在基板面之1次电子束的复数个变动量；及第2静电透镜群，因借由第1静电透镜群而被修正的1次电子束照射至基板而从基板放出而通过第1静电透镜群的至少1个静电透镜之2次电子束的像的复数个变动量。

2. 发明专利

TW201624521A 加速電壓漂移的修正方法，帶電粒子束的漂移修正方法，及帶電粒子束描繪裝置审中-公开
简体标题：加速电压漂移的修正方法，带电粒子束的漂移修正方法，及带电粒子束描绘设备
公开(公告)号：TW201624521A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104129519
申请日：2015-09-07
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：溝口裕規 , MIZOGUCHI, HIRONORI
IPC分类号： H01J37/21 , H01J37/317 , H01J37/24 , H01J37/244
CPC分类号： H01J37/3174 , H01J37/21 , H01J37/241 , H01J37/28 , H01J37/304 , H01J2237/3045 , H01J2237/30461 , H01J2237/31776
摘要：本發明一個態樣之加速電壓漂移的修正方法，其特徵為：於帶電粒子束的焦點位置藉由第1調整值受到調整後，於經過規定期間後，測定當重新調整帶電粒子束的焦點位置的情形下之第2調整值，演算第1與第2調整值之偏移量，利用記憶裝置中記憶之相關關係，演算和偏移量相對應之對放出帶電粒子束的射束源施加之加速電壓的修正值，利用修正值，修正施加至射束源之加速電壓。
简体摘要：本发明一个态样之加速电压漂移的修正方法，其特征为：于带电粒子束的焦点位置借由第1调整值受到调整后，于经过规定期间后，测定当重新调整带电粒子束的焦点位置的情形下之第2调整值，演算第1与第2调整值之偏移量，利用记忆设备中记忆之相关关系，演算和偏移量相对应之对放出带电粒子束的射束源施加之加速电压的修正值，利用修正值，修正施加至射束源之加速电压。

3. 发明专利

TW201419362A 荷電粒子束裝置及使用該裝置之半導體元件製造方法审中-公开
简体标题：荷电粒子束设备及使用该设备之半导体组件制造方法
公开(公告)号：TW201419362A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW103100024
申请日：2007-09-11
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：渡部賢治 , WATANABE, KENJI , 村上武司 , MURAKAMI, TAKESHI , 田島涼 , TAJIMA, RYO , 畠山雅規 , HATAKEYAMA, MASAHIRO , 恒岡正年 , TSUNEOKA, MASATOSHI , 野路伸治 , NOJI, NOBUHARU
IPC分类号： H01J37/21 , H01J37/304 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/026 , H01J37/153 , H01J37/29 , H01J2237/0047 , H01J2237/1532 , H01J2237/216
摘要：本發明的課題為利用由形成於試樣的圖案取得的影像的自動聚焦評估值，以簡單的演算法且迅速地進行像散調整。本發明的解決手段，藉由照射荷電粒子束至試樣(W)，檢測由該試樣放出的電子、反射電子、後方散射電子等的二次荷電粒子，觀察評估試樣(W)之荷電粒子束裝置(300)係具備進行荷電粒子束的像散調整之像散調整器(17)，將使由形成於試樣(W)之圖案影像得到的聚焦評估值成為最大之補正電壓施加於像散調整器(17)。像散調整器(17)為具備以荷電粒子束的光軸為中心而相對向之複數對電極或線圈的多極。本發明也揭示有在遍及試樣(W)全體無充電的狀態下使試樣表面的觀察及評估為可能之荷電粒子束裝置(400)。
简体摘要：本发明的课题为利用由形成于试样的图案取得的影像的自动聚焦评估值，以简单的算法且迅速地进行像散调整。本发明的解决手段，借由照射荷电粒子束至试样(W)，检测由该试样放出的电子、反射电子、后方散射电子等的二次荷电粒子，观察评估试样(W)之荷电粒子束设备(300)系具备进行荷电粒子束的像散调整之像散调整器(17)，将使由形成于试样(W)之图案影像得到的聚焦评估值成为最大之补正电压施加于像散调整器(17)。像散调整器(17)为具备以荷电粒子束的光轴为中心而相对向之复数对电极或线圈的多极。本发明也揭示有在遍及试样(W)全体无充电的状态下使试样表面的观察及评估为可能之荷电粒子束设备(400)。

4. 发明专利

TW202027122A 離子植入設備、用於控制離子束的方法及高束彎曲靜電過濾器總成审中-公开
简体标题：离子植入设备、用于控制离子束的方法及高束弯曲静电过滤器总成
公开(公告)号：TW202027122A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108140672
申请日：2019-11-08
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：利坎斯奇亞歷山大 , LIKHANSKII, ALEXANDRE , 辛克萊法蘭克 , SINCLAIR, FRANK , 常勝武 , CHANG, SHENGWU
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/21 , H01J37/12 , H01J37/063
摘要：提供一種設備。所述設備可包括：主腔室；入口隧道，具有沿第一方向延伸至所述主腔室中的傳播軸線；出口隧道，連接至所述主腔室且界定出口方向。所述入口隧道及所述出口隧道可在所述入口隧道與所述出口隧道之間界定至少30度的束彎曲。所述設備可包括電極總成，所述電極總成設置於所述主腔室中，且在所述入口隧道與所述出口孔隙之間界定束路徑，其中所述電極總成包括設置於所述束路徑的第一側上的下部電極及設置於所述束路徑的第二側上的多個電極，所述多個電極包括至少五個電極。
简体摘要：提供一种设备。所述设备可包括：主腔室；入口隧道，具有沿第一方向延伸至所述主腔室中的传播轴线；出口隧道，连接至所述主腔室且界定出口方向。所述入口隧道及所述出口隧道可在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定至少30度的束弯曲。所述设备可包括电极总成，所述电极总成设置于所述主腔室中，且在所述入口隧道与所述出口孔隙之间界定束路径，其中所述电极总成包括设置于所述束路径的第一侧上的下部电极及设置于所述束路径的第二侧上的多个电极，所述多个电极包括至少五个电极。

5. 发明专利

TW202018751A 帶電粒子射束設備、場曲校正器、及操作帶電粒子射束設備的方法审中-公开
简体标题：带电粒子射束设备、场曲校正器、及操作带电粒子射束设备的方法
公开(公告)号：TW202018751A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108135826
申请日：2019-10-03
申请人：德商ICT積體電路測試股份有限公司 , ICT INTEGRATED CIRCUIT TESTING GESELLSCHAFT FUR HALBLEITERPRUFTECHNIK MBH
发明人：肯曼湯瑪仕 , KEMEN, THOMAS , 庫克班傑明約翰 , COOK, BENJAMIN JOHN , 巴迪羅門 , BARDAY, ROMAN
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/02 , H01J37/067 , H01J37/21
摘要：本發明描述一種帶電粒子射束設備(100)，帶電粒子射束設備包括：射束源(105)，經設置以產生沿著光軸(A)傳播之帶電粒子射束(101)；具有複數個孔隙之孔隙設備(110)，此等孔隙經設置以自帶電粒子射束產生複數個細射束(102)；及場曲校正器(120)。場曲校正器(120)包括：具有第一複數個開口之第一多孔隙電極(121)，第一複數個開口具有作為距光軸(A)之距離的函數發生變化的直徑；具有第二複數個開口之第二多孔隙電極(122)；及調整設備(132)，經設置以調整第一多孔隙電極(121)之第一電位(U1)與第二多孔隙電極(122)之第二電位(U2)中的至少一者。另外，本發明描述一種場曲校正器(120)及操作帶電粒子射束設備的方法。
简体摘要：本发明描述一种带电粒子射束设备(100)，带电粒子射束设备包括：射束源(105)，经设置以产生沿着光轴(A)传播之带电粒子射束(101)；具有复数个孔隙之孔隙设备(110)，此等孔隙经设置以自带电粒子射束产生复数个细射束(102)；及场曲校正器(120)。场曲校正器(120)包括：具有第一复数个开口之第一多孔隙电极(121)，第一复数个开口具有作为距光轴(A)之距离的函数发生变化的直径；具有第二复数个开口之第二多孔隙电极(122)；及调整设备(132)，经设置以调整第一多孔隙电极(121)之第一电位(U1)与第二多孔隙电极(122)之第二电位(U2)中的至少一者。另外，本发明描述一种场曲校正器(120)及操作带电粒子射束设备的方法。

6. 发明专利

TWI579881B 荷電粒子射束描繪裝置及荷電粒子射束描繪方法有权
简体标题：荷电粒子射束描绘设备及荷电粒子射束描绘方法
公开(公告)号：TWI579881B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104100281
申请日：2015-01-06
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：本杉知生 , MOTOSUGI, TOMOO , 大西孝幸 , OHNISHI, TAKAYUKI , 鶴田薰 , TSURUTA, KAORU , 大歲研司 , OHTOSHI, KENJI
IPC分类号： H01J37/10 , H01J37/20 , H01J37/21 , H01J37/302 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3174 , H01J37/10 , H01J37/20 , H01J37/21 , H01J37/3026 , H01J2237/006 , H01J2237/0492 , H01J2237/063 , H01J2237/103 , H01J2237/2007

7. 发明专利

TWI443704B 荷電粒子束裝置及使用該裝置之元件製造方法有权
简体标题：荷电粒子束设备及使用该设备之组件制造方法
公开(公告)号：TWI443704B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW096133807
申请日：2007-09-11
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：渡邊賢治 , WATANABE, KENJI , 村上武司 , MURAKAMI, TAKESHI , 田島涼 , TAJIMA, RYO , 畠山雅規 , HATAKEYAMA, MASAHIRO , 恒岡正年 , TSUNEOKA, MASATOSHI , 野路伸治 , NOJI, NOBUHARU
IPC分类号： H01J37/21 , H01J37/304 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/026 , H01J37/153 , H01J37/29 , H01J2237/0047 , H01J2237/1532 , H01J2237/216

8. 发明专利

TW201903814A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201903814A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107108735
申请日：2018-03-15
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高橋秀一 , TAKAHASHI, SHUICHI , 宮舘孝明 , MIYADATE, TAKAHARU , 伴瀨貴德 , BANSE, TAKANORI , 高良穰二 , TAKAYOSHI, JOJI , 守屋瑠美子 , MORIYA, RUMIKO
IPC分类号： H01J37/21 , H01L21/67
摘要：本發明之目的，係針對基板之面內全體維持處理特性，同時針對基板之邊緣部控制處理特性。達成上述目的之手段係提供一種基板處理裝置，其具有聚焦環；該聚焦環包含：內側聚焦環，設於基板附近，該基板係載置於處理室內之工件台；中央聚焦環，設於該內側聚焦環之外側，並藉由移動機構而可上下移動；以及外側聚焦環，設於該中央聚焦環之外側。
简体摘要：本发明之目的，系针对基板之面内全体维持处理特性，同时针对基板之边缘部控制处理特性。达成上述目的之手段系提供一种基板处理设备，其具有聚焦环；该聚焦环包含：内侧聚焦环，设于基板附近，该基板系载置于处理室内之工件台；中央聚焦环，设于该内侧聚焦环之外侧，并借由移动机构而可上下移动；以及外侧聚焦环，设于该中央聚焦环之外侧。

9. 发明专利

TW201842523A 緊湊型致偏磁體审中-公开
简体标题：紧凑型致偏磁体
公开(公告)号：TW201842523A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107113885
申请日：2018-04-24
申请人：美商艾瑪翠克斯股份有限公司 , IMATREX, INC.
发明人：藍德羅伊 E. , RAND, ROY E. , 吉斯金維托里 , ZISKIN, VITALIY
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/21
摘要：本發明提供一種包括磁體之粒子束裝置，該裝置包括：一粒子束源，該粒子束源經組態以發射電子束及離子束；複數個軛，該複數個軛佈置成一實質上矩形之形狀；一線圈組，該線圈組包括複數個線圈，其中該複數個線圈之繞組均勻地分佈於該複數個軛上且纏繞於該複數個軛上，其中該線圈組經組態以產生偶極場與四極場，其中該磁體經組態以使電子束及離子束偏轉及聚焦。
简体摘要：本发明提供一种包括磁体之粒子束设备，该设备包括：一粒子束源，该粒子束源经组态以发射电子束及离子束；复数个轭，该复数个轭布置成一实质上矩形之形状；一线圈组，该线圈组包括复数个线圈，其中该复数个线圈之绕组均匀地分布于该复数个轭上且缠绕于该复数个轭上，其中该线圈组经组态以产生偶极场与四极场，其中该磁体经组态以使电子束及离子束偏转及聚焦。

10. 发明专利

TW201830151A 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法审中-公开
简体标题：多带电粒子束描绘设备及多带电粒子束描绘方法
公开(公告)号：TW201830151A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106134336
申请日：2017-10-05
申请人：日商紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：飯修 , IIZUKA, OSAMU , 清水幸毅 , SHIMIZU, YUKITAKA
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/21 , H01J37/317
摘要：依本發明一態樣之多帶電粒子束描繪裝置，係具備：孔徑構件，形成有複數個孔，帶電粒子束通過前述複數個孔，藉此形成多射束；及遮沒孔徑陣列，配置有複數個遮沒器，該遮沒器切換前述多射束當中各自相對應之射束的ON/OFF；及平台，供描繪對象的基板載置，可於XY方向移動；及對物透鏡，調整前述多射束的焦點位置；及線圈，修正前述多射束的像散像差；及檢查孔徑，設於前述平台，令前述多射束當中1道的射束通過；及偏向器，將前述多射束偏向；及電流檢測器，將前述多射束在前述檢查孔徑上於XY方向掃描而檢測通過了前述檢查孔徑之前述多射束的各射束的射束電流；及控制部，基於檢測出的射束電流來作成射束圖像，算出前述射束圖像的特徴量，基於前述特徴量來控制前述對物透鏡或前述線圈。
简体摘要：依本发明一态样之多带电粒子束描绘设备，系具备：孔径构件，形成有复数个孔，带电粒子束通过前述复数个孔，借此形成多射束；及遮没孔径数组，配置有复数个遮没器，该遮没器切换前述多射束当中各自相对应之射束的ON/OFF；及平台，供描绘对象的基板载置，可于XY方向移动；及对物透镜，调整前述多射束的焦点位置；及线圈，修正前述多射束的像散像差；及检查孔径，设于前述平台，令前述多射束当中1道的射束通过；及偏向器，将前述多射束偏向；及电流检测器，将前述多射束在前述检查孔径上于XY方向扫描而检测通过了前述检查孔径之前述多射束的各射束的射束电流；及控制部，基于检测出的射束电流来作成射束图像，算出前述射束图像的特徴量，基于前述特徴量来控制前述对物透镜或前述线圈。

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