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1. 发明专利

TWI690969B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI690969B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW106133310
申请日：2017-09-28
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：江藤宗一郎 , ETO, SOICHIRO , 大森健史 , OHMORI, TAKESHI , 臼井建人 , USUI, TATEHITO , 井上智己 , INOUE, SATOMI
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/32

2. 发明专利

TWI592980B 電漿處理裝置及電漿處理裝置之運轉方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理设备之运转方法
公开(公告)号：TWI592980B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW104142478
申请日：2015-12-17
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：大森健史 , OHMORI, TAKESHI , 佐藤大祐 , SATOU, DAISUKE , 臼井建人 , USUI, TATEHITO , 井上智己 , INOUE, SATOMI , 前田賢治 , MAEDA, KENJI
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32917 , H01J37/32926 , H01J37/32972 , H01J37/3299

3. 发明专利

TWI672741B 蝕刻方法及電漿處理裝置有权
简体标题：蚀刻方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI672741B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW106125570
申请日：2017-07-28
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：松井都 , MATSUI, MIYAKO , 桑原謙一 , KUWAHARA, KENICHI , 安井尚輝 , YASUI, NAOKI , 伊澤勝 , IZAWA, MASARU , 臼井建人 , USUI, TATEHITO , 大森健史 , OHMORI, TAKESHI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32

4. 发明专利

TWI445082B 電漿處理方法失效
简体标题：等离子处理方法
公开(公告)号：TWI445082B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW099144759
申请日：2010-12-20
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：大森健史 , OHMORI, TAKESHI , 西森康博 , NISHIMORI, YASUHIRO , 石村裕昭 , ISHIMURA, HIROAKI , 古林均 , KOBAYASHI, HITOSHI , 坂口正道 , SAKAGUCHI, MASAMICHI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32816 , B08B7/0035 , H01J37/32834

5. 发明专利

TW201841247A 蝕刻方法及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：蚀刻方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201841247A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106125570
申请日：2017-07-28
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：松井都 , MATSUI, MIYAKO , 桑原謙一 , KUWAHARA, KENICHI , 安井尚輝 , YASUI, NAOKI , 伊澤勝 , IZAWA, MASARU , 臼井建人 , USUI, TATEHITO , 大森健史 , OHMORI, TAKESHI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32
摘要：本發明之課題在於提供於控制圖案上的過剩堆積膜厚的電漿蝕刻，可進行高精度的蝕刻之蝕刻方法及電漿處理裝置。本發明之解決手段之蝕刻方法，特徵為具有：使氣體吸附於被蝕刻材料表面而形成反應層之反應層形成步驟、在前述反應層形成步驟後，使前述反應層脫離之脫離步驟、除去反應層或堆積膜之除去步驟；藉由前述反應層形成步驟與前述脫離步驟，蝕刻前述被蝕刻材料表面。
简体摘要：本发明之课题在于提供于控制图案上的过剩堆积膜厚的等离子蚀刻，可进行高精度的蚀刻之蚀刻方法及等离子处理设备。本发明之解决手段之蚀刻方法，特征为具有：使气体吸附于被蚀刻材料表面而形成反应层之反应层形成步骤、在前述反应层形成步骤后，使前述反应层脱离之脱离步骤、除去反应层或堆积膜之除去步骤；借由前述反应层形成步骤与前述脱离步骤，蚀刻前述被蚀刻材料表面。

6. 发明专利

TW201841189A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201841189A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106133310
申请日：2017-09-28
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：江藤宗一郎 , ETO, SOICHIRO , 大森健史 , OHMORI, TAKESHI , 臼井建人 , USUI, TATEHITO , 井上智己 , INOUE, SATOMI
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/32
摘要：本發明的課題，係提供提升良率的電漿處理裝置或電漿處理方法。　　本發明的解決手段，使用根據所定週期及期間，於處理室(10)內切換ON與OFF的電漿(12)，來處理被預先配置於晶圓(16)的表面之處理對象的膜層的電漿處理裝置，係具有檢測出晶圓(16)表面的膜層之處理量的檢測控制部。檢測控制部由光源部(18)、檢測部(28)、及膜厚‧深度計算部(30)所構成。該檢測控制部，係在對晶圓(16)進行處理中的電漿(12)被設為OFF的期間，以預先訂定的週期，複數次檢測出表示試料表面之光線強度的量，並使用所檢測出之表示光線強度的量，來檢測出試料表面的膜層之處理量。
简体摘要：本发明的课题，系提供提升良率的等离子处理设备或等离子处理方法。　　本发明的解决手段，使用根据所定周期及期间，于处理室(10)内切换ON与OFF的等离子(12)，来处理被预先配置于晶圆(16)的表面之处理对象的膜层的等离子处理设备，系具有检测出晶圆(16)表面的膜层之处理量的检测控制部。检测控制部由光源部(18)、检测部(28)、及膜厚‧深度计算部(30)所构成。该检测控制部，系在对晶圆(16)进行处理中的等离子(12)被设为OFF的期间，以预先订定的周期，复数次检测出表示试料表面之光线强度的量，并使用所检测出之表示光线强度的量，来检测出试料表面的膜层之处理量。

7. 发明专利

TW201624528A 電漿處理裝置及電漿處理裝置之運轉方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理设备之运转方法
公开(公告)号：TW201624528A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104142478
申请日：2015-12-17
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：大森健史 , OHMORI, TAKESHI , 佐藤大祐 , SATOU, DAISUKE , 臼井建人 , USUI, TATEHITO , 井上智己 , INOUE, SATOMI , 前田賢治 , MAEDA, KENJI
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32917 , H01J37/32926 , H01J37/32972 , H01J37/3299
摘要：本發明係一種電漿處理裝置及電漿處理裝置之運轉方法，其課題為提供使產率提升之電漿處理裝置。解決手段係使用加以形成於配置在真空容器內部之處理室內的電漿，處理加以配置於前述處理室內之晶圓的電漿裝置，其中，具備：加以配置於圍繞前述處理室周圍之前述真空容器之側壁，而透過自前述電漿的發光之一方的窗，和加以配置於夾持此一方的窗之處理室之另一方側，而透過自此處理室外部的光之另一方的窗，和加以配置於前述一方的窗之外部，接受自此一方的窗的光而進行檢出之受光部，和將自加以配置於前述另一方的窗之外部的前述外部的光之光源及加以配置於此光源與前述另一方的窗之間而將自前述光源的光，分歧為朝向前述處理室內的光路及朝向另外方向之光路之同時，將自前述另一方的窗之前述處理室內的光，更反射於其他方向之光分歧部，和加以傳達從此光分歧部通過前述處理室而在前述受光部加以受光的光和在前述光分歧部而分歧於其他方向的光及所反射的光而使用此等的光，檢出自在前述受光部而受光之前述電漿的發光之檢出部，經由依據該結果所調節之前述處理的條件而處理前述晶圓。
简体摘要：本发明系一种等离子处理设备及等离子处理设备之运转方法，其课题为提供使产率提升之等离子处理设备。解决手段系使用加以形成于配置在真空容器内部之处理室内的等离子，处理加以配置于前述处理室内之晶圆的等离子设备，其中，具备：加以配置于围绕前述处理室周围之前述真空容器之侧壁，而透过自前述等离子的发光之一方的窗，和加以配置于夹持此一方的窗之处理室之另一方侧，而透过自此处理室外部的光之另一方的窗，和加以配置于前述一方的窗之外部，接受自此一方的窗的光而进行检出之受光部，和将自加以配置于前述另一方的窗之外部的前述外部的光之光源及加以配置于此光源与前述另一方的窗之间而将自前述光源的光，分歧为朝向前述处理室内的光路及朝向另外方向之光路之同时，将自前述另一方的窗之前述处理室内的光，更反射于其他方向之光分歧部，和加以传达从此光分歧部通过前述处理室而在前述受光部加以受光的光和在前述光分歧部而分歧于其他方向的光及所反射的光而使用此等的光，检出自在前述受光部而受光之前述等离子的发光之检出部，经由依据该结果所调节之前述处理的条件而处理前述晶圆。

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