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81. 发明专利

TW201616582A 製造半導體裝置的方法审中-公开
简体标题：制造半导体设备的方法
公开(公告)号：TW201616582A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104128028
申请日：2015-08-27
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：河承錫 , HA, SEUNGSEOK , 裵根熙 , BAI, KEUNHEE , 呂京奐 , YEO, KYOUNGHWAN , 朴恩實 , PARK, EUNSIL , 申憲宗 , SHIN, HEONJONG
IPC分类号： H01L21/335
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/76229 , H01L29/66545
摘要：本發明提供製造半導體裝置的方法。方法可包含形成界定鰭片主動區域的隔離區域，在隔離區域上形成犧牲場閘極圖案以及在鰭片主動區域上形成犧牲鰭片閘極圖案。方法亦可包含形成包括暴露隔離區域的表面的第一凹座的場閘極切割區塊以及包括暴露鰭片主動區域的表面的第二凹座的鰭片主動切割區塊，在鰭片主動切割區塊的第二凹座中形成鰭片主動凹座，以及藉由分別在場閘極切割區塊的第一凹座及鰭片主動凹座中形成絕緣材料來形成場閘極核心以及鰭片主動核心。
简体摘要：本发明提供制造半导体设备的方法。方法可包含形成界定鳍片主动区域的隔离区域，在隔离区域上形成牺牲场闸极图案以及在鳍片主动区域上形成牺牲鳍片闸极图案。方法亦可包含形成包括暴露隔离区域的表面的第一凹座的场闸极切割区块以及包括暴露鳍片主动区域的表面的第二凹座的鳍片主动切割区块，在鳍片主动切割区块的第二凹座中形成鳍片主动凹座，以及借由分别在场闸极切割区块的第一凹座及鳍片主动凹座中形成绝缘材料来形成场闸极内核以及鳍片主动内核。

82. 发明专利

TW201606065A CMP用研磨液及研磨方法审中-公开
公开(公告)号：TW201606065A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104121928
申请日：2015-07-07
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：篠田隆 , SHINODA, TAKASHI , 太田宗宏 , OOTA, MUNEHIRO , 山村奈央 , YAMAMURA, NAO , 木野愛子 , KINO, AIKO
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/3105 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , B24B1/00 , B24B37/044 , B24B37/11 , B24B57/02 , C09G1/00 , C09G1/04 , C09G1/06 , C09K3/1409 , C09K3/1454 , C09K3/1463 , C09K13/06 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/3212 , H01L21/76229
摘要：一種CMP用研磨液，其用以對絕緣材料進行研磨，其包括滿足下述條件（A）及條件（B）的氧化鈰粒子、4-吡喃酮系化合物、及水。條件（A）：所述氧化鈰粒子的平均粒徑R為50 nm以上、300 nm以下。條件（B）：由所述氧化鈰粒子為具有所述平均粒徑R的真球狀的粒子時的該真球狀的粒子的比表面積S1、與藉由BET法所測定的所述氧化鈰粒子的比表面積S2所提供的真球度S2/S1為3.15以下。
简体摘要：一种CMP用研磨液，其用以对绝缘材料进行研磨，其包括满足下述条件（A）及条件（B）的氧化铈粒子、4-吡喃酮系化合物、及水。条件（A）：所述氧化铈粒子的平均粒径R为50 nm以上、300 nm以下。条件（B）：由所述氧化铈粒子为具有所述平均粒径R的真球状的粒子时的该真球状的粒子的比表面积S1、与借由BET法所测定的所述氧化铈粒子的比表面积S2所提供的真球度S2/S1为3.15以下。

83. 发明专利

TW201603274A 鰭式場效電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：鳍式场效应管及其制造方法
公开(公告)号：TW201603274A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW103123281
申请日：2014-07-07
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：吳彥良 , WU, YEN LIANG , 童宇誠 , TUNG, YU CHENG , 李鎮全 , LI,JHEN CYUAN , 呂水煙 , LU, SHUI YEN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L21/76224 , H01L21/76229 , H01L29/0649 , H01L29/66795 , H01L29/7848
摘要：一種鰭式場效電晶體(FinFET)及其製造方法。一FinFET包括具有一上表面之一基板和一絕緣物(insulation)形成於基板之上表面上。基板上具有至少一凹陷鰭部(recessed fin)自基板上表面向上延伸。絕緣物包括鄰近凹陷鰭部之一外側部(lateral portion)，和鄰接外側部之一中央部(central portion)，其中外側部之一上表面係高於中央部之一上表面。凹陷鰭部之一上表面係低於中央部之上表面。
简体摘要：一种鳍式场效应管(FinFET)及其制造方法。一FinFET包括具有一上表面之一基板和一绝缘物(insulation)形成于基板之上表面上。基板上具有至少一凹陷鳍部(recessed fin)自基板上表面向上延伸。绝缘物包括邻近凹陷鳍部之一外侧部(lateral portion)，和邻接外侧部之一中央部(central portion)，其中外侧部之一上表面系高于中央部之一上表面。凹陷鳍部之一上表面系低于中央部之上表面。

84. 发明专利

TW201543634A 半導體結構及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制作方法
公开(公告)号：TW201543634A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW103115723
申请日：2014-05-01
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：顏裕林 , YEN, YULIN , 江昇壕 , CHIANG, SHENGHAO , 陳鈜菖 , CHEN, HUNGCHANG , 藍和谷 , LAN, HOKU , 范振梅 , FAN, CHENMEI
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L29/0642 , H01L21/76229 , H01L27/1463 , H01L27/14683
摘要：一種半導體結構包含基板、間隔元件、第一絕緣層、第二絕緣層與導電層。基板具有焊墊、溝槽、側壁及相對的第一表面與第二表面。焊墊位於第二表面上。溝槽於第一表面具有第一開口。溝槽於第二表面具有第二開口。側壁朝向溝槽。間隔元件位於第二表面上，且覆蓋第二開口。間隔元件具有凹部，且凹部位於第二表面之第二開口。第一絕緣層位於部分的側壁上。第二絕緣層位於第一表面上與未被第一絕緣層覆蓋的側壁上，使得第一絕緣層與第二絕緣層間形成分界面。導電層位於第一絕緣層、第二絕緣層與凹部上，且導電層電性接觸焊墊。
简体摘要：一种半导体结构包含基板、间隔组件、第一绝缘层、第二绝缘层与导电层。基板具有焊垫、沟槽、侧壁及相对的第一表面与第二表面。焊垫位于第二表面上。沟槽于第一表面具有第一开口。沟槽于第二表面具有第二开口。侧壁朝向沟槽。间隔组件位于第二表面上，且覆盖第二开口。间隔组件具有凹部，且凹部位于第二表面之第二开口。第一绝缘层位于部分的侧壁上。第二绝缘层位于第一表面上与未被第一绝缘层覆盖的侧壁上，使得第一绝缘层与第二绝缘层间形成分界面。导电层位于第一绝缘层、第二绝缘层与凹部上，且导电层电性接触焊垫。

85. 发明专利

TWI502734B 在半導體裝置中形成不同深度溝渠之方法有权
简体标题：在半导体设备中形成不同深度沟渠之方法
公开(公告)号：TWI502734B
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW102106073
申请日：2013-02-21
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：陳剛 , CHEN, GANG , 毛杜立 , MAO, DULI , 戴幸志 , TAI, HSIN CHIH , 羅狄絲霍華E , RHODES, HOWARD E.
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/76
CPC分类号： H01L21/76229 , H01L27/1463 , H01L27/14689

86. 发明专利

TWI493717B 元件與其形成方法有权
简体标题：组件与其形成方法
公开(公告)号：TWI493717B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW102110601
申请日：2013-03-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：高敏峰 , KAO, MIN FENG , 陳思瑩 , CHEN, SZU YING , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 許慈軒 , HSU, TZU HSUAN , 洪豐基 , HUNG, FENG CHI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/2652 , H01L21/28114 , H01L21/76229 , H01L23/544 , H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L29/42376 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

87. 发明专利

TW201503302A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201503302A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103105652
申请日：2014-02-20
申请人： PS4盧克斯科公司 , PS4 LUXCO S. A. R. L.
发明人：新原隆司 , SHINHARA, TAKASHI
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/10891 , H01L21/76229 , H01L27/10814 , H01L27/10888
摘要：一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，具備有：在半導體基板內，形成第1溝和較第1溝而更淺之第2溝之工程；和在第1以及第2之溝的各別之內壁面上形成絕緣膜之工程；和隔著絕緣膜，而將第1以及第2溝之各者藉由由絕緣材料所成之第1埋設材料來進行埋設之工程；和形成將第1埋設材料作覆蓋之第1遮罩層之工程；和以使埋設於第2溝之第1埋設材料露出的方式，來將第1遮罩層之一部分選擇性地除去之工程；和藉由使用有第1遮罩層之蝕刻，來將埋設於第2溝之第1埋設材料選擇性地除去之工程；和將第2溝之下部藉由第1導電材料來作埋設之工程；和以將第1導電材料作覆蓋的方式，來將第2溝之上部藉由第2埋設材料而作埋設之工程。
简体摘要：一种半导体设备之制造方法，其特征为，具备有：在半导体基板内，形成第1沟和较第1沟而更浅之第2沟之工程；和在第1以及第2之沟的各别之内壁面上形成绝缘膜之工程；和隔着绝缘膜，而将第1以及第2沟之各者借由由绝缘材料所成之第1埋设材料来进行埋设之工程；和形成将第1埋设材料作覆盖之第1遮罩层之工程；和以使埋设于第2沟之第1埋设材料露出的方式，来将第1遮罩层之一部分选择性地除去之工程；和借由使用有第1遮罩层之蚀刻，来将埋设于第2沟之第1埋设材料选择性地除去之工程；和将第2沟之下部借由第1导电材料来作埋设之工程；和以将第1导电材料作覆盖的方式，来将第2沟之上部借由第2埋设材料而作埋设之工程。

88. 发明专利

TWI466187B 電漿處理方法失效
简体标题：等离子处理方法
公开(公告)号：TWI466187B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW101104378
申请日：2012-02-10
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：伊東亨 , ITO, TORU , 石村裕昭 , ISHIMURA, HIROAKI , 河內昭人 , KOUCHI, AKITO , 渡邊勇人 , WATANABE, HAYATO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/76
CPC分类号： H01L21/76229 , H01L21/3065 , H01L21/30655

89. 发明专利

TWI455250B 動態隨機存取記憶體低寄生電容接觸層及閘極結構及其製程有权
简体标题：动态随机存取内存低寄生电容接触层及闸极结构及其制程
公开(公告)号：TWI455250B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW098134749
申请日：2009-10-14
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：王曉靁 , WANG, HSIAO LEI , 黃仲麟 , HUANG, CHUNG LIN , 廖鴻昌 , LIAO, HUNG CHANG , 陳賜龍 , CHEN, SHIH LUNG
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/768 , H01L27/108
CPC分类号： H01L27/10894 , H01L21/76229 , H01L27/10897

90. 发明专利

TW201436099A 保護週邊半導體元件之結構與方法审中-公开
简体标题：保护周边半导体组件之结构与方法
公开(公告)号：TW201436099A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102133058
申请日：2013-09-12
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：詹耀富 , CHAN, YAO FU , 楚大綱 , CHU, TA KANG , 曾碧山 , TSENG, PI SHAN
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0649 , H01L21/76229
摘要：本揭露係提供一半導體元件，係可使週邊區域之淺隔絕通道結構減少邊緣薄化的情形。實施例之半導體元件於週邊區域之一淺隔絕通道結構的一轉角可能實質上沒有任何的邊緣薄化。實施例亦提供此種半導體元件之製造方法。
简体摘要：本揭露系提供一半导体组件，系可使周边区域之浅隔绝信道结构减少边缘薄化的情形。实施例之半导体组件于周边区域之一浅隔绝信道结构的一转角可能实质上没有任何的边缘薄化。实施例亦提供此种半导体组件之制造方法。

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