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1. 发明专利

TWI532150B 非揮發性記憶體及其製造方法有权
简体标题：非挥发性内存及其制造方法
公开(公告)号：TWI532150B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW102145060
申请日：2013-12-09
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：詹耀富 , CHAN, YAO FU
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/28

2. 发明专利

TW201523839A 非揮發性記憶體及其製造方法审中-公开
简体标题：非挥发性内存及其制造方法
公开(公告)号：TW201523839A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW102145060
申请日：2013-12-09
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：詹耀富 , CHAN, YAO FU
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/28
摘要：一種非揮發性記憶體及其製造方法。此非揮發性記憶體包括基底、穿隧介電層、浮置閘極、多個保護層、控制閘極以及閘間介電層。基底具有主動區。穿隧介電層配置於主動區中的基底的表面上。浮置閘極配置於穿隧介電層上。多個保護層分別配置於浮置閘極的部分側壁上。控制閘極覆蓋浮置閘極的頂面與部分側壁以及每一保護層的至少一部分。閘間介電層配置於浮置閘極與控制閘極之間以及配置於保護層與控制閘極之間。
简体摘要：一种非挥发性内存及其制造方法。此非挥发性内存包括基底、穿隧介电层、浮置闸极、多个保护层、控制闸极以及闸间介电层。基底具有主动区。穿隧介电层配置于主动区中的基底的表面上。浮置闸极配置于穿隧介电层上。多个保护层分别配置于浮置闸极的部分侧壁上。控制闸极覆盖浮置闸极的顶面与部分侧壁以及每一保护层的至少一部分。闸间介电层配置于浮置闸极与控制闸极之间以及配置于保护层与控制闸极之间。

3. 发明专利

TW201436099A 保護週邊半導體元件之結構與方法审中-公开
简体标题：保护周边半导体组件之结构与方法
公开(公告)号：TW201436099A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102133058
申请日：2013-09-12
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：詹耀富 , CHAN, YAO FU , 楚大綱 , CHU, TA KANG , 曾碧山 , TSENG, PI SHAN
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0649 , H01L21/76229
摘要：本揭露係提供一半導體元件，係可使週邊區域之淺隔絕通道結構減少邊緣薄化的情形。實施例之半導體元件於週邊區域之一淺隔絕通道結構的一轉角可能實質上沒有任何的邊緣薄化。實施例亦提供此種半導體元件之製造方法。
简体摘要：本揭露系提供一半导体组件，系可使周边区域之浅隔绝信道结构减少边缘薄化的情形。实施例之半导体组件于周边区域之一浅隔绝信道结构的一转角可能实质上没有任何的边缘薄化。实施例亦提供此种半导体组件之制造方法。

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