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1. 发明专利

TW201503302A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201503302A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103105652
申请日：2014-02-20
申请人： PS4盧克斯科公司 , PS4 LUXCO S. A. R. L.
发明人：新原隆司 , SHINHARA, TAKASHI
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/10891 , H01L21/76229 , H01L27/10814 , H01L27/10888
摘要：一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，具備有：在半導體基板內，形成第1溝和較第1溝而更淺之第2溝之工程；和在第1以及第2之溝的各別之內壁面上形成絕緣膜之工程；和隔著絕緣膜，而將第1以及第2溝之各者藉由由絕緣材料所成之第1埋設材料來進行埋設之工程；和形成將第1埋設材料作覆蓋之第1遮罩層之工程；和以使埋設於第2溝之第1埋設材料露出的方式，來將第1遮罩層之一部分選擇性地除去之工程；和藉由使用有第1遮罩層之蝕刻，來將埋設於第2溝之第1埋設材料選擇性地除去之工程；和將第2溝之下部藉由第1導電材料來作埋設之工程；和以將第1導電材料作覆蓋的方式，來將第2溝之上部藉由第2埋設材料而作埋設之工程。
简体摘要：一种半导体设备之制造方法，其特征为，具备有：在半导体基板内，形成第1沟和较第1沟而更浅之第2沟之工程；和在第1以及第2之沟的各别之内壁面上形成绝缘膜之工程；和隔着绝缘膜，而将第1以及第2沟之各者借由由绝缘材料所成之第1埋设材料来进行埋设之工程；和形成将第1埋设材料作覆盖之第1遮罩层之工程；和以使埋设于第2沟之第1埋设材料露出的方式，来将第1遮罩层之一部分选择性地除去之工程；和借由使用有第1遮罩层之蚀刻，来将埋设于第2沟之第1埋设材料选择性地除去之工程；和将第2沟之下部借由第1导电材料来作埋设之工程；和以将第1导电材料作覆盖的方式，来将第2沟之上部借由第2埋设材料而作埋设之工程。

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