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71. 发明专利

TWI700400B 具有改良的完整性的銅柱及其製造方法有权
简体标题：具有改良的完整性的铜柱及其制造方法
公开(公告)号：TWI700400B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW108105588
申请日：2019-02-20
申请人：美商羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：博克雷爾拉維 , POKHREL, RAVI , 加拉格爾麥克K , GALLAGHER, MICHAEL K.
IPC分类号： C25D3/38 , C25D3/60 , C25D5/02 , C25D5/10 , C25D5/18 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D7/12 , H01L21/60

72. 发明专利

TWI698555B 鍍覆裝置及鍍覆方法有权
简体标题：镀覆设备及镀覆方法
公开(公告)号：TWI698555B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW106105907
申请日：2017-02-22
申请人：日商荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：下山正 , SHIMOYAMA, MASASHI , 岸貴士 , KISHI, TAKASHI
IPC分类号： C25D5/02 , C25D7/12 , H01L21/288 , H01L21/28

73. 发明专利

TWI689631B 合金凸塊的製造方法有权
简体标题：合金凸块的制造方法
公开(公告)号：TWI689631B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW104133368
申请日：2015-10-12
申请人：日商石原化學股份有限公司 , ISHIHARA CHEMICAL CO., LTD.
发明人：伊內祥哉 , IUCHI, SHOYA , 幡部賢 , HATABE, MASARU
IPC分类号： C25D5/02 , C25D5/10 , C25D5/50 , C22C1/02 , H01L21/288

74. 发明专利

TWI666348B 太陽電池胞之製造方法有权
简体标题：太阳电池胞之制造方法
公开(公告)号：TWI666348B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW106132379
申请日：2017-09-21
申请人：日商石原化學股份有限公司 , ISHIHARA CHEMICAL CO., LTD.
发明人：鈴木快 , SUZUKI, KAI , 大賀一彦 , OOGA, KAZUHIKO , 藤原雅宏 , FUJIWARA, MASAHIRO , 友松優衣 , TOMOMATSU, YUI
IPC分类号： C25D5/02 , C25D7/12 , H01L31/18 , H01L31/0224

75. 发明专利

TWI648439B 半導體裝置、層合型半導體裝置、密封後層合型半導體裝置、及此等之製造方法有权
简体标题：半导体设备、层合型半导体设备、密封后层合型半导体设备、及此等之制造方法
公开(公告)号：TWI648439B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW104110258
申请日：2015-03-30
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：竹村勝也 , TAKEMURA, KATSUYA , 曽我恭子 , SOGA, KYOKO , 淺井聡 , ASAI, SATOSHI , 近藤和紀 , KONDO, KAZUNORI , 菅生道博 , SUGO, MICHIHIRO , 加藤英人 , KATO, HIDETO
IPC分类号： C25D5/02 , C25D7/00 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/12 , H01L23/52 , H01L25/10 , H05K1/11 , H05K3/28 , H05K3/40

76. 发明专利

TW201902966A 正型阻劑膜積層體及圖型形成方法审中-公开
简体标题：正型阻剂膜积层体及图型形成方法
公开(公告)号：TW201902966A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107112859
申请日：2018-04-16
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：平野禎典 , HIRANO, YOSHINORI , 淺井聡 , ASAI, SATOSHI , 近藤和紀 , KONDO, KAZUNORI
IPC分类号： C08G8/28 , G03F7/004 , G03F7/023 , G03F7/16 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/38 , G03F7/32 , G03F7/40 , C23C18/16 , C25D5/02
摘要：本發明之課題在於提供可對於具有階差的支持體，沒有空隙的發生地轉印正型阻劑膜之正型阻劑膜積層體及圖型形成方法。　　本發明之解決手段為一種酚醛清漆樹脂-NQD系正型阻劑膜積層體，其係具備作為第1支持體的熱塑性薄膜與酚醛清漆樹脂-萘醌二疊氮(NQD)系正型阻劑膜之酚醛清漆樹脂-NQD系正型阻劑膜積層體，前述酚醛清漆樹脂-NQD系正型阻劑膜包含(A)酚醛清漆樹脂-NQD系樹脂組成物、(B)聚酯及(C)3～30質量%的有機溶劑。
简体摘要：本发明之课题在于提供可对于具有阶差的支持体，没有空隙的发生地转印正型阻剂膜之正型阻剂膜积层体及图型形成方法。　　本发明之解决手段为一种酚醛清漆树脂-NQD系正型阻剂膜积层体，其系具备作为第1支持体的热塑性薄膜与酚醛清漆树脂-萘醌二叠氮(NQD)系正型阻剂膜之酚醛清漆树脂-NQD系正型阻剂膜积层体，前述酚醛清漆树脂-NQD系正型阻剂膜包含(A)酚醛清漆树脂-NQD系树脂组成物、(B)聚酯及(C)3～30质量%的有机溶剂。

77. 发明专利

TW201902874A 化學增強型正型感光性樹脂組成物、附鑄模之基板之製造方法及鍍敷造形物之製造方法审中-公开
简体标题：化学增强型正型感光性树脂组成物、附铸模之基板之制造方法及镀敷造形物之制造方法
公开(公告)号：TW201902874A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107107387
申请日：2018-03-06
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：海老澤和明 , EBISAWA, KAZUAKI
IPC分类号： C07C323/52 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027 , C25D5/02
摘要：本發明係提供使用化學增強型正型感光性(chemically amplified positive photosensitive)樹脂組成物，在具有金屬表面之基板之金屬表面上，形成成為鍍敷造形物之鑄模的阻劑圖型時，可抑制非阻劑部，底部(支撐體表面側)之寬度比頂部(阻劑層之表面側)之寬度窄之「基腳(footing)」之發生及顯影殘渣之發生的化學增強型正型感光性樹脂組成物、使用該感光性樹脂組成物之附鑄模之基板之製造方法及使用該附鑄模之基板之鍍敷造形物之製造方法。　　本發明係使於包含藉由活性光線或放射線之照射產生酸的酸產生劑(A)及藉由酸之作用，增大對鹼之溶解性的樹脂(B)的化學增強型正型感光性樹脂組成物中，含有特定構造的巰基化合物。
简体摘要：本发明系提供使用化学增强型正型感光性(chemically amplified positive photosensitive)树脂组成物，在具有金属表面之基板之金属表面上，形成成为镀敷造形物之铸模的阻剂图型时，可抑制非阻剂部，底部(支撑体表面侧)之宽度比顶部(阻剂层之表面侧)之宽度窄之“基脚(footing)”之发生及显影残渣之发生的化学增强型正型感光性树脂组成物、使用该感光性树脂组成物之附铸模之基板之制造方法及使用该附铸模之基板之镀敷造形物之制造方法。　　本发明系使于包含借由活性光线或放射线之照射产生酸的酸产生剂(A)及借由酸之作用，增大对碱之溶解性的树脂(B)的化学增强型正型感光性树脂组成物中，含有特定构造的巯基化合物。

78. 发明专利

TWI640659B 基板處理系統及基板處理方法有权
简体标题：基板处理系统及基板处理方法
公开(公告)号：TWI640659B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW105137875
申请日：2016-11-18
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：錦內榮史 , NISHIKIUCHI, HISASHI
IPC分类号： C25D19/00 , C25D5/02 , C25D7/12 , C25D17/06 , B08B3/02

79. 发明专利

TW201833392A 工具表面標示方法审中-公开
简体标题：工具表面标示方法
公开(公告)号：TW201833392A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106106699
申请日：2017-03-01
申请人：鉦鑫實業有限公司
发明人：劉介文
IPC分类号： C25D5/02 , C25D7/00 , B25B13/56
摘要：本發明為一種工具表面標示方法及成品，其包括第一清洗步驟、第一電鍍步驟、離子水清洗步驟、烘乾步驟、印刷步驟、第二清洗步驟以及第二電鍍步驟，其係利用清水加以清洗，再將工具表面電鍍，使得工具表面形成第一保護層，將離子水噴灑於工具表面，並離子水內的離子附著於第一保護層的毛細孔中，讓該離子水形成一離子披膜，並於離子披膜的表面印刷一印刷圖樣，且於異於該印刷圖樣處的離子披膜外表面電鍍，使得異於該印刷圖樣處的離子披膜外表面形成一第二保護層；讓印刷圖樣能夠附著於該離子披膜上，使得印刷圖樣增加附著度，而不易脫落。
简体摘要：本发明为一种工具表面标示方法及成品，其包括第一清洗步骤、第一电镀步骤、离子水清洗步骤、烘干步骤、印刷步骤、第二清洗步骤以及第二电镀步骤，其系利用清水加以清洗，再将工具表面电镀，使得工具表面形成第一保护层，将离子水喷洒于工具表面，并离子水内的离子附着于第一保护层的毛细孔中，让该离子水形成一离子披膜，并于离子披膜的表面印刷一印刷图样，且于异于该印刷图样处的离子披膜外表面电镀，使得异于该印刷图样处的离子披膜外表面形成一第二保护层；让印刷图样能够附着于该离子披膜上，使得印刷图样增加附着度，而不易脱落。

80. 发明专利

TW201827652A 太陽電池胞之製造方法审中-公开
简体标题：太阳电池胞之制造方法
公开(公告)号：TW201827652A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106132379
申请日：2017-09-21
申请人：日商昭和電工股份有限公司 , SHOWA DENKO K. K. , 日商石原化學股份有限公司 , ISHIHARA CHEMICAL CO., LTD.
发明人：鈴木快 , SUZUKI, KAI , 大賀一彦 , OOGA, KAZUHIKO , 藤原雅宏 , FUJIWARA, MASAHIRO , 友松優衣 , TOMOMATSU, YUI
IPC分类号： C25D5/02 , C25D7/12 , H01L31/18 , H01L31/0224
摘要：本發明係提供一種步驟簡略、量產性高且不需要揮發性高的有機溶劑使環境負荷小之太陽電池胞之製造方法。一種太陽電池胞之製造方法，其特徵係具備：將利用活性能量射線(active energy ray)硬化的液狀樹脂利用印刷法膜狀地塗敷到半導體基板(1)主面之中一部分的領域，形成具有可形成具有開口部(2a)的絕緣層(2)的圖案且由液狀樹脂所構成之樹脂層(5)之印刷步驟；對樹脂層(5)照射活性能量射線使液狀樹脂硬化，在半導體基板(1)主面上，形成由液狀樹脂的硬化物所構成的絕緣層(2)之硬化步驟；將連接在利用開口部(2a)從絕緣層(2)露出來的半導體基板(1)的露出面之電極(3)利用電鍍法在絕緣層(2)的開口部(2a)內形成之電鍍步驟；與在電鍍步驟在將電極(3)配置在絕緣層(2)的開口部(2a)內之後將絕緣層(2)剝離半導體基板(1)之剝離步驟。
简体摘要：本发明系提供一种步骤简略、量产性高且不需要挥发性高的有机溶剂使环境负荷小之太阳电池胞之制造方法。一种太阳电池胞之制造方法，其特征系具备：将利用活性能量射线(active energy ray)硬化的液状树脂利用印刷法膜状地涂敷到半导体基板(1)主面之中一部分的领域，形成具有可形成具有开口部(2a)的绝缘层(2)的图案且由液状树脂所构成之树脂层(5)之印刷步骤；对树脂层(5)照射活性能量射线使液状树脂硬化，在半导体基板(1)主面上，形成由液状树脂的硬化物所构成的绝缘层(2)之硬化步骤；将连接在利用开口部(2a)从绝缘层(2)露出来的半导体基板(1)的露出面之电极(3)利用电镀法在绝缘层(2)的开口部(2a)内形成之电镀步骤；与在电镀步骤在将电极(3)配置在绝缘层(2)的开口部(2a)内之后将绝缘层(2)剥离半导体基板(1)之剥离步骤。

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