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1. 发明专利

TWI693472B 增強化學性之正型光阻組成物及圖型的形成方法有权
简体标题：增强化学性之正型光阻组成物及图型的形成方法
公开(公告)号：TWI693472B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW105134566
申请日：2016-10-26
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：平野禎典 , HIRANO, YOSHINORI , 柳澤秀好 , YANAGISAWA, HIDEYOSHI
IPC分类号： G03F7/004 , C08F212/14 , C08F220/18 , G03F7/039 , H01L21/027

2. 发明专利

TW201841062A 圖型形成方法审中-公开
简体标题：图型形成方法
公开(公告)号：TW201841062A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107105115
申请日：2018-02-13
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：平野禎典 , HIRANO, YOSHINORI , 柳澤秀好 , YANAGISAWA, HIDEYOSHI
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/36 , H01L21/027
摘要：本發明之課題為提供使用化學增幅正型光阻組成物，不經矽烷化，即可藉由乾式顯影形成正型圖型之製程。　　其解決手段為一種圖型形成方法，其包含(i)使用含有(A)含有具有經酸不安定基取代之酚性羥基，且藉由酸的作用，前述酸不安定基會脫離而成為鹼可溶性之聚合物的基底樹脂、(B)光酸產生劑、(C)有機溶劑，及(D)聚乙烯醇或聚乙烯烷基醚之化學增幅正型光阻組成物，於基板上形成化學增幅正型光阻膜之步驟、(ii)將前述化學增幅正型光阻膜曝光之步驟，及　　(iii)使用含有氧之氣體，以乾式蝕刻進行顯影之步驟。
简体摘要：本发明之课题为提供使用化学增幅正型光阻组成物，不经硅烷化，即可借由干式显影形成正型图型之制程。　　其解决手段为一种图型形成方法，其包含(i)使用含有(A)含有具有经酸不安定基取代之酚性羟基，且借由酸的作用，前述酸不安定基会脱离而成为碱可溶性之聚合物的基底树脂、(B)光酸产生剂、(C)有机溶剂，及(D)聚乙烯醇或聚乙烯烷基醚之化学增幅正型光阻组成物，于基板上形成化学增幅正型光阻膜之步骤、(ii)将前述化学增幅正型光阻膜曝光之步骤，及　　(iii)使用含有氧之气体，以干式蚀刻进行显影之步骤。

3. 发明专利

TW201832009A 化學增幅正型阻劑薄膜層合體及圖型形成方法审中-公开
简体标题：化学增幅正型阻剂薄膜层合体及图型形成方法
公开(公告)号：TW201832009A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106140653
申请日：2017-11-23
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：平野禎典 , HIRANO, YOSHINORI , 淺井聡 , ASAI, SATOSHI , 近藤和紀 , KONDO, KAZUNORI
IPC分类号： G03F7/039 , H01L21/027
摘要：本發明的課題係提供對於具有段差的支撐體不會產生空隙，並可轉印的化學增幅正型阻劑薄膜層合體、及圖型形成方法。　　解決課題之手段的本發明的化學增幅正型阻劑薄膜層合體，其特徵係具備：熱可塑性薄膜、與可轉印至其他的支撐體上的化學增幅正型阻劑薄膜，前述化學增幅正型阻劑薄膜包含：(A)包含具有羥基苯基，且利用酸的作用使側鏈的保護基脫離而成為鹼可溶的聚合物的基質樹脂、(B)光酸產生劑、(C)3～30質量%的有機溶劑、及(D)主鏈上具有酯鍵的聚合物。
简体摘要：本发明的课题系提供对于具有段差的支撑体不会产生空隙，并可转印的化学增幅正型阻剂薄膜层合体、及图型形成方法。　　解决课题之手段的本发明的化学增幅正型阻剂薄膜层合体，其特征系具备：热可塑性薄膜、与可转印至其他的支撑体上的化学增幅正型阻剂薄膜，前述化学增幅正型阻剂薄膜包含：(A)包含具有羟基苯基，且利用酸的作用使侧链的保护基脱离而成为碱可溶的聚合物的基质树脂、(B)光酸产生剂、(C)3～30质量%的有机溶剂、及(D)主链上具有酯键的聚合物。

4. 发明专利

TW201902966A 正型阻劑膜積層體及圖型形成方法审中-公开
简体标题：正型阻剂膜积层体及图型形成方法
公开(公告)号：TW201902966A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107112859
申请日：2018-04-16
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：平野禎典 , HIRANO, YOSHINORI , 淺井聡 , ASAI, SATOSHI , 近藤和紀 , KONDO, KAZUNORI
IPC分类号： C08G8/28 , G03F7/004 , G03F7/023 , G03F7/16 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/38 , G03F7/32 , G03F7/40 , C23C18/16 , C25D5/02
摘要：本發明之課題在於提供可對於具有階差的支持體，沒有空隙的發生地轉印正型阻劑膜之正型阻劑膜積層體及圖型形成方法。　　本發明之解決手段為一種酚醛清漆樹脂-NQD系正型阻劑膜積層體，其係具備作為第1支持體的熱塑性薄膜與酚醛清漆樹脂-萘醌二疊氮(NQD)系正型阻劑膜之酚醛清漆樹脂-NQD系正型阻劑膜積層體，前述酚醛清漆樹脂-NQD系正型阻劑膜包含(A)酚醛清漆樹脂-NQD系樹脂組成物、(B)聚酯及(C)3～30質量%的有機溶劑。
简体摘要：本发明之课题在于提供可对于具有阶差的支持体，没有空隙的发生地转印正型阻剂膜之正型阻剂膜积层体及图型形成方法。　　本发明之解决手段为一种酚醛清漆树脂-NQD系正型阻剂膜积层体，其系具备作为第1支持体的热塑性薄膜与酚醛清漆树脂-萘醌二叠氮(NQD)系正型阻剂膜之酚醛清漆树脂-NQD系正型阻剂膜积层体，前述酚醛清漆树脂-NQD系正型阻剂膜包含(A)酚醛清漆树脂-NQD系树脂组成物、(B)聚酯及(C)3～30质量%的有机溶剂。

5. 发明专利

TWI667541B 化學增幅正型光阻材料及圖型形成方法有权
简体标题：化学增幅正型光阻材料及图型形成方法
公开(公告)号：TWI667541B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW104118490
申请日：2015-06-08
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：竹村勝也 , TAKEMURA, KATSUYA , 平野禎典 , HIRANO, YOSHINORI
IPC分类号： G03F7/039 , C08L25/00 , C08L33/04 , H01L21/027 , G03F7/40 , C23C18/16 , C25D7/12

6. 发明专利

TWI515512B 正型掀離光阻組成物及圖型形成方法有权
简体标题：正型掀离光阻组成物及图型形成方法
公开(公告)号：TWI515512B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW100142328
申请日：2011-11-18
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：平野禎典 , HIRANO, YOSHINORI
IPC分类号： G03F7/022 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0236 , G03F7/0226 , G03F7/0233 , G03F7/26 , G03F7/30

7. 发明专利

TWI512785B 微結構體之製造方法及形成光圖型性保護膜之形成用組成物有权
简体标题：微结构体之制造方法及形成光图型性保护膜之形成用组成物
公开(公告)号：TWI512785B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW100120358
申请日：2011-06-10
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：加藤英人 , KATO, HIDETO , 神原浩 , KANBARA, HIROSHI , 降籏智欣 , FURIHATA, TOMOYOSHI , 平野禎典 , HIRANO, YOSHINORI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/039 , C08K5/42
CPC分类号： C09D163/04 , B81C1/00619 , B81C2201/0108 , G03F7/0226 , G03F7/0236 , G03F7/30 , G03F7/40 , G03F7/70466

8. 发明专利

TW201331270A 改質酚醛清漆型酚樹脂及其製造方法以及阻劑材料审中-公开
简体标题：改质酚醛清漆型酚树脂及其制造方法以及阻剂材料
公开(公告)号：TW201331270A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101139256
申请日：2012-10-24
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：平野禎典 , HIRANO, YOSHINORI , 柳澤秀好 , YANAGISAWA, HIDEYOSHI
IPC分类号： C08G8/04 , C08G8/28 , G03F7/039
CPC分类号： C08G8/28 , C08G8/00 , C08G14/10 , C08L61/00 , C08L61/04 , C08L61/20 , G03F7/0226 , G03F7/023 , G03F7/0236 , G03F7/038 , G03F7/0382
摘要：本發明之課題解決手段為一種改質酚醛清漆型酚樹脂，其係使交聯劑與含有對甲酚50質量%以上的酚醛清漆型酚樹脂反應而得。其效果為藉由進行本發明之改質酚醛清漆型酚樹脂之合成方法，可使現存的含有對甲酚50質量%以上的酚醛清漆型酚樹脂的分子量高分子量化，而得到一種改質酚醛清漆型酚樹脂，其係具有可有效作為光阻用酚樹脂之耐熱性。
简体摘要：本发明之课题解决手段为一种改质酚醛清漆型酚树脂，其系使交联剂与含有对甲酚50质量%以上的酚醛清漆型酚树脂反应而得。其效果为借由进行本发明之改质酚醛清漆型酚树脂之合成方法，可使现存的含有对甲酚50质量%以上的酚醛清漆型酚树脂的分子量高分子量化，而得到一种改质酚醛清漆型酚树脂，其系具有可有效作为光阻用酚树脂之耐热性。

9. 发明专利

TW201432384A 微構造體用樹脂構造體之製造方法及微構造體之製造方法审中-公开
简体标题：微构造体用树脂构造体之制造方法及微构造体之制造方法
公开(公告)号：TW201432384A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102132997
申请日：2013-09-12
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：平野禎典 , HIRANO, YOSHINORI , 飯尾匡史 , IIO, MASASHI , 柳澤秀好 , YANAGISAWA, HIDEYOSHI
IPC分类号： G03F7/039 , C08F12/04 , C08F20/18 , H01L21/311 , H01L21/3065
CPC分类号： G03F7/2024 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/40
摘要：本發明之解決手段係：一種微構造體用樹脂構造體之製造方法，其係包含：(A)使用含有(1)高分子化合物、(2)光酸產生劑、與(3)有機溶劑之光圖型形成性膜形成用組成物，於基板上塗佈為具有1~30μm之膜厚的光圖型形成性犧牲膜之步驟、(B)將經塗佈上述組成物之基板加熱的步驟、(C)對上述犧牲膜，使用第1高能量線，進行沿著圖型佈局影像之照射的步驟、(D)以鹼性顯影液之顯影，形成犧牲膜圖型之步驟、(E)對所得之犧牲膜圖型進行作為第2高能量線之紫外線的照射之步驟、(F)將基板於100~250℃加熱之步驟，且(C)步驟中之第1高能量線之照射量為250mJ/cm2以下，(F)步驟後之基板與犧牲膜之側壁角度係保持80°以上、90°以下。本發明之效果係：藉由本發明之製造方法，係高感度地形成微細構造之圖型，且可製作耐熱性高之犧牲層圖型。
简体摘要：本发明之解决手段系：一种微构造体用树脂构造体之制造方法，其系包含：(A)使用含有(1)高分子化合物、(2)光酸产生剂、与(3)有机溶剂之光图型形成性膜形成用组成物，于基板上涂布为具有1~30μm之膜厚的光图型形成性牺牲膜之步骤、(B)将经涂布上述组成物之基板加热的步骤、(C)对上述牺牲膜，使用第1高能量线，进行沿着图型布局影像之照射的步骤、(D)以碱性显影液之显影，形成牺牲膜图型之步骤、(E)对所得之牺牲膜图型进行作为第2高能量线之紫外线的照射之步骤、(F)将基板于100~250℃加热之步骤，且(C)步骤中之第1高能量线之照射量为250mJ/cm2以下，(F)步骤后之基板与牺牲膜之侧壁角度系保持80°以上、90°以下。本发明之效果系：借由本发明之制造方法，系高感度地形成微细构造之图型，且可制作耐热性高之牺牲层图型。

10. 发明专利

TW200303454A 光阻材料及圖型之形成方法失效
简体标题：光阻材料及图型之形成方法
公开(公告)号：TW200303454A
公开(公告)日：2003-09-01
申请号：TW091137514
申请日：2002-12-26
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：加藤英人 , 平野禎典 , 藤井俊彥 TOSHIHIKO FUJII , 山口博正
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0048 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0755 , G03F7/0757
摘要：本發明之目的在提供，其特徵為：含(A)具有以酸不安定基保護之酸性官能基的鹼不溶或難溶之高分子化合物，而該酸不安定基脫離時成為鹼可溶之高分子化合物，(B)酸產生劑，(C)至少一種選自僅具有含全氟烷基之矽氧烷結合及聚氧化乙烯型聚醚結合之非離子性含氟有機矽氧烷系化合物之非離子性含氟化合物，以波長150奈米以上之紫外線為曝光光源之光阻材料。利用本發明之光阻材料，可經波長150奈米以上之紫外線曝光，不產生殘渣形成圖型。
简体摘要：本发明之目的在提供，其特征为：含(A)具有以酸不安定基保护之酸性官能基的碱不溶或难溶之高分子化合物，而该酸不安定基脱离时成为碱可溶之高分子化合物，(B)酸产生剂，(C)至少一种选自仅具有含全氟烷基之硅氧烷结合及聚氧化乙烯型聚醚结合之非离子性含氟有机硅氧烷系化合物之非离子性含氟化合物，以波长150奈米以上之紫外线为曝光光源之光阻材料。利用本发明之光阻材料，可经波长150奈米以上之紫外线曝光，不产生残渣形成图型。

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