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71. 发明专利

TWI263334B 高壓元件與其製造方法 HIGH VOLTAGE DEVICES AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 有权
简体标题：高压组件与其制造方法 HIGH VOLTAGE DEVICES AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI263334B
公开(公告)日：2006-10-01
申请号：TW094143862
申请日：2005-12-12
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：陳立哲 CHEN, LI CHE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823418 , H01L21/823456 , H01L21/823814 , H01L21/82385
摘要：一種高壓元件的製造方法，包括先於基底中形成第一導電型摻雜區，再於基底中形成至少二個第二導電型摻雜區。二個第二導電型摻雜區分別設置於第一導電型摻雜區兩側的基底中。第一導電型摻雜區與此二個第二導電型摻雜區之間分別設置有一個隔離區。之後，於二個第二導電型摻雜區之間的基底上形成一個閘極結構。接著，於閘極結構兩側的基底中形成第二導電型源極區/汲極區。藉由適當設定第一導電型摻雜區與第二導電型摻雜區間的距離，使高壓元件可以滿足不同的高崩潰電壓的需求。此製造方法可以與低壓元件的製造整合在一起，而可以降低成本。
简体摘要：一种高压组件的制造方法，包括先于基底中形成第一导电型掺杂区，再于基底中形成至少二个第二导电型掺杂区。二个第二导电型掺杂区分别设置于第一导电型掺杂区两侧的基底中。第一导电型掺杂区与此二个第二导电型掺杂区之间分别设置有一个隔离区。之后，于二个第二导电型掺杂区之间的基底上形成一个闸极结构。接着，于闸极结构两侧的基底中形成第二导电型源极区/汲极区。借由适当设置第一导电型掺杂区与第二导电型掺杂区间的距离，使高压组件可以满足不同的高崩溃电压的需求。此制造方法可以与低压组件的制造集成在一起，而可以降低成本。

72. 发明专利

TW200531267A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200531267A
公开(公告)日：2005-09-16
申请号：TW094104328
申请日：2005-02-15
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：太田宗吾 OHTA, SOUGO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/146 , H01L21/823443 , H01L21/823456 , H01L21/823468 , H01L21/823475
摘要：一種半導體裝置，係具備：半導體基板；設置於半導體基板的一主面的元件分離膜；配置於該元件分離膜上之配線；形成於該半導體基板內且配置於該元件分離膜附近之擴散層；以及自該半導體基板的該一主面側覆蓋該擴散層之絕緣膜；該絕緣膜係進一步將該元件分離膜之該擴散層附近之部分加以覆蓋，並與該配線之擴散層側之側面鄰接。
简体摘要：一种半导体设备，系具备：半导体基板；设置于半导体基板的一主面的组件分离膜；配置于该组件分离膜上之配线；形成于该半导体基板内且配置于该组件分离膜附近之扩散层；以及自该半导体基板的该一主面侧覆盖该扩散层之绝缘膜；该绝缘膜系进一步将该组件分离膜之该扩散层附近之部分加以覆盖，并与该配线之扩散层侧之侧面邻接。

73. 发明专利

TWI234849B 控制非常短通道金氧半導體場效電晶體的短通道效應之結構及方法 STRUCTURE AND METHOD OF CONTROLLING SHORT-CHANNEL EFFECT OF VERY SHORT CHANNEL MOSFET 失效
简体标题：控制非常短信道金属氧化物半导体场效应管的短信道效应之结构及方法 STRUCTURE AND METHOD OF CONTROLLING SHORT-CHANNEL EFFECT OF VERY SHORT CHANNEL MOSFET
公开(公告)号：TWI234849B
公开(公告)日：2005-06-21
申请号：TW088102166
申请日：1999-02-11
申请人：萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：王欣傑 WANN, HSING JEN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66583 , H01L21/823412 , H01L21/823456 , H01L29/1045 , H01L29/66537 , H01L29/66553
摘要：一種半導體裝置，包括具有約0.05微米通道長度之閘極，在該閘極下方之氧化物層，在該氧化物層下方之自動排列補償注入物，在該氧化物層下方之該自對準補償注入物周圍之日暈注入物；及在日暈注入物相反側上且在氧化物層下方之閘極及汲極區。
简体摘要：一种半导体设备，包括具有约0.05微米信道长度之闸极，在该闸极下方之氧化物层，在该氧化物层下方之自动排列补偿注入物，在该氧化物层下方之该自对准补偿注入物周围之日晕注入物；及在日晕注入物相反侧上且在氧化物层下方之闸极及汲极区。

74. 发明专利

TW200520227A 單石積體加强模式及空乏模式場效應電晶體及其製造方法 MONOLITHIC INTEGRATED ENHANCEMENT MODE AND DEPLETION MODE FIELD EFFECT TRANSISTORS AND METHOD OF MAKING THE SAME 审中-公开
简体标题：单石积体加强模式及空乏模式场效应晶体管及其制造方法 MONOLITHIC INTEGRATED ENHANCEMENT MODE AND DEPLETION MODE FIELD EFFECT TRANSISTORS AND METHOD OF MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW200520227A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：TW093133126
申请日：2004-10-29
申请人：三五半導體股份有限公司 TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：華爾德‧佛爾穆斯 WALTER A. WOHLMUTH
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/82345 , H01L21/823456 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/0883
摘要：一耗盡模式(D模式)場效電晶體(FET)係在一多層結構之中與一增強模式(E模式)FET進行單石積體，而該多層結構係包括一通道層，覆蓋於其上的一阻障層，以及再覆蓋於其上的一歐姆接觸層，其中，該D模式以及E模式FETs的源極以及汲極接觸係耦接至該歐姆接觸層，而該D模式以及E模式FETs的一閘極接觸則是耦接至該阻障層，並且，一固態非晶化區域(amorphized region)係提供於該阻障層範圍內之該E模式閘極接觸的下方，因此，該非晶化區域係會與該阻障層形成一埋藏的E模式蕭基(Schottky)接觸，再者，一另一可選擇之實施例則是將該D模式FET的該閘極接觸耦接至覆蓋該阻障層的一第一層，並且，會在該第一層之範圍內提供一相似的D模式非晶化區域。
简体摘要：一耗尽模式(D模式)场效应管(FET)系在一多层结构之中与一增强模式(E模式)FET进行单石积体，而该多层结构系包括一信道层，覆盖于其上的一阻障层，以及再覆盖于其上的一欧姆接触层，其中，该D模式以及E模式FETs的源极以及汲极接触系耦接至该欧姆接触层，而该D模式以及E模式FETs的一闸极接触则是耦接至该阻障层，并且，一固态非晶化区域(amorphized region)系提供于该阻障层范围内之该E模式闸极接触的下方，因此，该非晶化区域系会与该阻障层形成一埋藏的E模式萧基(Schottky)接触，再者，一另一可选择之实施例则是将该D模式FET的该闸极接触耦接至覆盖该阻障层的一第一层，并且，会在该第一层之范围内提供一相似的D模式非晶化区域。

75. 发明专利

TW421881B 半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW421881B
公开(公告)日：2001-02-11
申请号：TW087112519
申请日：1998-07-30
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：佐山弘和 , 西田征男
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823456 , H01L21/823462
摘要：本發明提供長壽命與高動作速度為兩全之半導體裝置及製造程序容易的製造方法。
本發明對於半導體基板l裝置施加高閘極電壓的高電壓元件與施加低閘極電壓的低電壓元件L。於閘極絕緣膜7，17為由實施熱氧化而形成鳥嘴8，l8。高電壓元件H之閘極9的閘極長度為設定比較低電壓元件L之閘極l9為短，結果閘極絕緣膜中鳥嘴所占有的比率於低電壓元件L較小,於高電壓元件H則較高。因此於高電壓元件H則可達成耐壓高,長壽命並能抑制經時劣化。又於低電壓元件L可達成高電流驅動能力及動作之高速化。
简体摘要：本发明提供长寿命与高动作速度为两全之半导体设备及制造进程容易的制造方法。本发明对于半导体基板l设备施加高闸极电压的高电压组件与施加低闸极电压的低电压组件L。于闸极绝缘膜7，17为由实施热氧化而形成鸟嘴8，l8。高电压组件H之闸极9的闸极长度为设置比较低电压组件L之闸极l9为短，结果闸极绝缘膜中鸟嘴所占有的比率于低电压组件L较小,于高电压组件H则较高。因此于高电压组件H则可达成耐压高,长寿命并能抑制经时劣化。又于低电压组件L可达成高电流驱动能力及动作之高速化。

76. 发明专利

TW411509B 整合製造高壓元件與低壓元件之方法失效
简体标题：集成制造高压组件与低压组件之方法
公开(公告)号：TW411509B
公开(公告)日：2000-11-11
申请号：TW088109356
申请日：1999-06-05
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：范永潔
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823418 , H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L21/823481
摘要：一種整合製造高壓元件與低壓元件之方法，此方法流程簡述如下：提供形成有一層圖案化絕緣層之基底，接著，於圖案化絕緣層所裸露之基底上，形成隔離高壓元件區與低壓元件區之第一隔離區以及位於切割區中之第二隔離區。之後，於基底上方形成圖案化光阻。續之，於圖案化光阻所裸露之絕緣層下方之基底中形成一摻雜區。繼之，於第二隔離區中，形成一溝渠。之後，依序剝除該圖案化光阻以及圖案化絕緣層，接著，進行一趨入步驟，形成一接合區。續之，以溝渠為對準標記，於高壓元件區以及低壓元件區之基底上，分別形成一第一閘極結構以及一第二閘極結構。此後，於低壓元件區中形成一輕摻雜汲極區。繼之，於第一與第二閘極結構之一側壁上，形成一間隙壁。最後，於第一與第二閘極結構之間隙壁以及第一隔離結構所裸露之基底中，分別形成一重摻雜區以及一源極/汲極區。
简体摘要：一种集成制造高压组件与低压组件之方法，此方法流程简述如下：提供形成有一层图案化绝缘层之基底，接着，于图案化绝缘层所裸露之基底上，形成隔离高压组件区与低压组件区之第一隔离区以及位于切割区中之第二隔离区。之后，于基底上方形成图案化光阻。续之，于图案化光阻所裸露之绝缘层下方之基底中形成一掺杂区。继之，于第二隔离区中，形成一沟渠。之后，依序剥除该图案化光阻以及图案化绝缘层，接着，进行一趋入步骤，形成一接合区。续之，以沟渠为对准标记，于高压组件区以及低压组件区之基底上，分别形成一第一闸极结构以及一第二闸极结构。此后，于低压组件区中形成一轻掺杂汲极区。继之，于第一与第二闸极结构之一侧壁上，形成一间隙壁。最后，于第一与第二闸极结构之间隙壁以及第一隔离结构所裸露之基底中，分别形成一重掺杂区以及一源极/汲极区。

77. 发明专利

TWI612665B 半導體裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI612665B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW102109106
申请日：2013-03-14
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：井口總一郎 , IGUCHI, SOUICHIROU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7823 , H01L21/823418 , H01L21/823456 , H01L27/088 , H01L27/0922 , H01L29/0649 , H01L29/0865 , H01L29/0882 , H01L29/4236 , H01L29/66734 , H01L29/7813 , H01L29/7825 , H01L29/7833 , H01L29/7834

78. 发明专利

TW201802890A 藉由功函數材料層凹陷形成自對準接觸結構之方法及其產生裝置审中-公开
简体标题：借由功函数材料层凹陷形成自对准接触结构之方法及其产生设备
公开(公告)号：TW201802890A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106105896
申请日：2017-02-22
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：朴燦柔 , PARK, CHANRO , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 金勳 , KIM, HOON , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768 , H01L29/49 , H01L29/66
CPC分类号： H01L21/76897 , H01L21/28088 , H01L21/76805 , H01L21/76834 , H01L21/76883 , H01L21/823456 , H01L21/823475 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L21/823871 , H01L23/535 , H01L27/0924 , H01L29/4966 , H01L29/66545
摘要：本發明涉及藉由功函數材料層凹陷形成自對準接觸結構之方法及其產生裝置，所揭示的一種方法除了別的以外，還包括在第一介電層中形成第一多個柵極凹穴。在第一多個柵極凹穴中形成功函數材料層。在第一多個柵極凹穴於功函數材料層上方的至少一子集中形成第一導電材料以界定第一多個柵極結構。在兩個第一多個柵極結構之間的第一介電層中形成第一接觸凹陷。在第一接觸凹陷中形成第二導電材料。使功函數材料層選擇性凹陷至第一導電材料與第二導電材料以界定多個覆蓋凹陷。在多個覆蓋凹陷中形成覆蓋層。
简体摘要：本发明涉及借由功函数材料层凹陷形成自对准接触结构之方法及其产生设备，所揭示的一种方法除了别的以外，还包括在第一介电层中形成第一多个栅极凹穴。在第一多个栅极凹穴中形成功函数材料层。在第一多个栅极凹穴于功函数材料层上方的至少一子集中形成第一导电材料以界定第一多个栅极结构。在两个第一多个栅极结构之间的第一介电层中形成第一接触凹陷。在第一接触凹陷中形成第二导电材料。使功函数材料层选择性凹陷至第一导电材料与第二导电材料以界定多个覆盖凹陷。在多个覆盖凹陷中形成覆盖层。

79. 发明专利

TWI608571B 塊體以及絕緣層覆矽半導體裝置之協整有权
简体标题：块体以及绝缘层覆硅半导体设备之协整
公开(公告)号：TWI608571B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW105139443
申请日：2015-11-19
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：巴爾斯彼特 , BAARS, PETER , 摩爾漢斯彼特 , MOLL, HANS-PETER , 候尼史奇爾詹 , HOENTSCHEL, JAN
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/335
CPC分类号： H01L27/1207 , H01L21/308 , H01L21/3212 , H01L21/76224 , H01L21/823456 , H01L21/84 , H01L27/0629 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L29/0847 , H01L29/41783 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/78 , H01L29/7838

80. 发明专利

TW201735264A 作為高壓器件之閘極介電質之凹陷淺溝渠隔離审中-公开
简体标题：作为高压器件之闸极介电质之凹陷浅沟渠隔离
公开(公告)号：TW201735264A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105122580
申请日：2016-07-18
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：陳奕寰 , CHEN, YI HUAN , 范富傑 , FAN, FU JIER , 鄭光茗 , THEI, KONG BENG , 霍克孝 , HUO, KER HSIAO , 陳奕升 , CHEN, YI SHENG , 劉思賢 , LIU, SZU HSIEN , 林國樹 , LIN, KAU CHU , 葉力瑄 , YEH, LI HSUAN
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/06
CPC分类号： H01L27/088 , H01L21/823418 , H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L21/823481 , H01L21/823493 , H01L27/0922 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/1083 , H01L29/1087 , H01L29/42364 , H01L29/42368 , H01L29/66545 , H01L29/66621
摘要：本發明揭示一種方法，其包含形成延伸至一半導體基板中之一隔離區、蝕刻該隔離區之一頂部部分，以在該隔離區中形成一凹陷及形成延伸至該凹陷中且與該隔離區之一下部分重疊之一閘極堆疊。一源極區及一汲極區形成於該閘極堆疊之相對側上。該閘極堆疊、該源極區及該汲極區為一金屬氧化物半導體器件(MOS)之部分。
简体摘要：本发明揭示一种方法，其包含形成延伸至一半导体基板中之一隔离区、蚀刻该隔离区之一顶部部分，以在该隔离区中形成一凹陷及形成延伸至该凹陷中且与该隔离区之一下部分重叠之一闸极堆栈。一源极区及一汲极区形成于该闸极堆栈之相对侧上。该闸极堆栈、该源极区及该汲极区为一金属氧化物半导体器件(MOS)之部分。

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