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1. 发明专利

TW200531267A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200531267A
公开(公告)日：2005-09-16
申请号：TW094104328
申请日：2005-02-15
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：太田宗吾 OHTA, SOUGO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/146 , H01L21/823443 , H01L21/823456 , H01L21/823468 , H01L21/823475
摘要：一種半導體裝置，係具備：半導體基板；設置於半導體基板的一主面的元件分離膜；配置於該元件分離膜上之配線；形成於該半導體基板內且配置於該元件分離膜附近之擴散層；以及自該半導體基板的該一主面側覆蓋該擴散層之絕緣膜；該絕緣膜係進一步將該元件分離膜之該擴散層附近之部分加以覆蓋，並與該配線之擴散層側之側面鄰接。
简体摘要：一种半导体设备，系具备：半导体基板；设置于半导体基板的一主面的组件分离膜；配置于该组件分离膜上之配线；形成于该半导体基板内且配置于该组件分离膜附近之扩散层；以及自该半导体基板的该一主面侧覆盖该扩散层之绝缘膜；该绝缘膜系进一步将该组件分离膜之该扩散层附近之部分加以覆盖，并与该配线之扩散层侧之侧面邻接。

2. 发明专利

TW200625611A 固體攝像裝置失效
简体标题：固体摄像设备
公开(公告)号：TW200625611A
公开(公告)日：2006-07-16
申请号：TW094128065
申请日：2005-08-17
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：太田宗吾 OHTA, SOUGO , 內田幹也 UCHIDA, MIKIYA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H04N5/37457 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14641
摘要：本發明提供像素面積細微化之胞之圖案佈局，並且提供可使像素間之元件佈局均勻之攝像元件。本發明之3TrCMOS型固體攝像裝置，其具備：複數像素，其包含互相鄰接之第1像素230及第2像素231，該像素分別設有：光電二極體201，其係將光轉換成信號電荷者；及轉送用電晶體，其係讀取光電二極體201所產生的信號電荷者，於第1像素230，一端連接第1像素230內及第2像素231內之兩光電二極體201，於另一端設置供給電源電壓之重置電晶體，於第2像素231，設置放大用電晶體，其具有連接第1像素230內及第2像素231內之兩轉送用電晶體之連接閘極電極204，於汲極供給電源電壓。
简体摘要：本发明提供像素面积细微化之胞之图案布局，并且提供可使像素间之组件布局均匀之摄像组件。本发明之3TrCMOS型固体摄像设备，其具备：复数像素，其包含互相邻接之第1像素230及第2像素231，该像素分别设有：光电二极管201，其系将光转换成信号电荷者；及转送用晶体管，其系读取光电二极管201所产生的信号电荷者，于第1像素230，一端连接第1像素230内及第2像素231内之两光电二极管201，于另一端设置供给电源电压之重置晶体管，于第2像素231，设置放大用晶体管，其具有连接第1像素230内及第2像素231内之两转送用晶体管之连接闸极电极204，于汲极供给电源电压。

3. 发明专利

TWI295103B 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE METHOD OF THE SAME 失效
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE METHOD OF THE SAME
公开(公告)号：TWI295103B
公开(公告)日：2008-03-21
申请号：TW094107974
申请日：2005-03-16
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：太田宗吾 OHTA, SOUGO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823418 , H01L21/823425 , H01L21/823443 , H01L21/823468 , H01L29/41775 , H01L29/665
摘要：本發明係將電晶體TrA之側壁(105)的厚度做成較電晶體TrB之側壁(105)的厚度為薄。在電晶體TrA中，高濃度雜質擴散層(106)的表面與側壁(105)的底部，由基板之主面方向觀察時係位在重疊的位置。矽化物層(108)，僅形成於高濃度雜質擴散層(106)內。該步驟，可在形成覆蓋電晶體TrB之CVD氧化膜(111)後，且，在形成矽化物層(108)前，藉由在電晶體TrA中形成高濃度雜質擴散層(106)來實現。藉此，藉由簡單的構造即可達到提昇止漏(off leak)特性的目的，並同時在同一基板上形成矽化物化電晶體與非矽化物化電晶體。
简体摘要：本发明系将晶体管TrA之侧壁(105)的厚度做成较晶体管TrB之侧壁(105)的厚度为薄。在晶体管TrA中，高浓度杂质扩散层(106)的表面与侧壁(105)的底部，由基板之主面方向观察时系位在重叠的位置。硅化物层(108)，仅形成于高浓度杂质扩散层(106)内。该步骤，可在形成覆盖晶体管TrB之CVD氧化膜(111)后，且，在形成硅化物层(108)前，借由在晶体管TrA中形成高浓度杂质扩散层(106)来实现。借此，借由简单的构造即可达到提升止漏(off leak)特性的目的，并同时在同一基板上形成硅化物化晶体管与非硅化物化晶体管。

4. 发明专利

TWI278993B 固體攝像裝置失效
简体标题：固体摄像设备
公开(公告)号：TWI278993B
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：TW094128065
申请日：2005-08-17
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：太田宗吾 OHTA, SOUGO , 內田幹也 UCHIDA, MIKIYA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H04N5/37457 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14641
摘要：本發明提供像素面積細微化之胞之圖案佈局，並且提供可使像素間之元件佈局均勻之攝像元件。本發明之3TrCMOS型固體攝像裝置，其具備：複數像素，其包含互相鄰接之第1像素230及第2像素231，該像素分別設有：光電二極體201，其係將光轉換成信號電荷者；及轉送用電晶體，其係讀取光電二極體201所產生的信號電荷者，於第1像素230，一端連接第1像素230內及第2像素231內之兩光電二極體201，於另一端設置供給電源電壓之重置電晶體，於第2像素231，設置放大用電晶體，其具有連接第1像素230內及第2像素231內之兩轉送用電晶體之連接閘極電極204，於汲極供給電源電壓。
简体摘要：本发明提供像素面积细微化之胞之图案布局，并且提供可使像素间之组件布局均匀之摄像组件。本发明之3TrCMOS型固体摄像设备，其具备：复数像素，其包含互相邻接之第1像素230及第2像素231，该像素分别设有：光电二极管201，其系将光转换成信号电荷者；及转送用晶体管，其系读取光电二极管201所产生的信号电荷者，于第1像素230，一端连接第1像素230内及第2像素231内之两光电二极管201，于另一端设置供给电源电压之重置晶体管，于第2像素231，设置放大用晶体管，其具有连接第1像素230内及第2像素231内之两转送用晶体管之连接闸极电极204，于汲极供给电源电压。

5. 发明专利

TW200834901A 固態攝像元件及其製造方法 SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：固态摄像组件及其制造方法 SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200834901A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096137652
申请日：2007-10-08
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：森井千榮 MORII, CHIE , 太田宗吾 OHTA, SOUGO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14689 , H01L27/14609 , H01L27/1462 , H01L27/14645 , H01L27/14685
摘要：本發明提供一種固態攝像裝置的製造方法,包括:形成光電二極體保護絕緣膜6a的步驟;於外周電路區域1b與刻劃道區域lc兩者中形成對應於光電二極體絕緣膜之假性保護絕緣膜之步驟;以及形成一層間絕緣膜9以覆蓋像素區域la、外周電路區域lb與刻劃道區域lc之三區域的步驟,其中,在該像素區域la中係形成有像素與光電二極體保護絕緣膜6a,於外周電路區域lb中係形成有驅動電路與假性保護絕緣膜6c,而於刻劃道區域1c中係形成有假性保護絕緣膜6c;並且,假性保護絕緣膜6c係使得在對該層間絕緣膜9的整個表面實施CMP之前,該外周電路區域lb與該刻劃道區域lc各者中所包含之該層間絕緣膜9之表面的平均高度接近該像素區域la中所包含之該層間絕緣膜9之表面的平均高度。
简体摘要：本发明提供一种固态摄像设备的制造方法,包括:形成光电二极管保护绝缘膜6a的步骤;于外周电路区域1b与刻划道区域lc两者中形成对应于光电二极管绝缘膜之假性保护绝缘膜之步骤;以及形成一层间绝缘膜9以覆盖像素区域la、外周电路区域lb与刻划道区域lc之三区域的步骤,其中,在该像素区域la中系形成有像素与光电二极管保护绝缘膜6a,于外周电路区域lb中系形成有驱动电路与假性保护绝缘膜6c,而于刻划道区域1c中系形成有假性保护绝缘膜6c;并且,假性保护绝缘膜6c系使得在对该层间绝缘膜9的整个表面实施CMP之前,该外周电路区域lb与该刻划道区域lc各者中所包含之该层间绝缘膜9之表面的平均高度接近该像素区域la中所包含之该层间绝缘膜9之表面的平均高度。

6. 发明专利

TW200723517A 固態攝像裝置 SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE 审中-公开
简体标题：固态摄像设备 SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
公开(公告)号：TW200723517A
公开(公告)日：2007-06-16
申请号：TW095127944
申请日：2006-07-31
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：太田宗吾 OHTA, SOUGO
IPC分类号： H01L , H04N
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14689
摘要：本發明提供一種固態攝像裝置,其包括用於供應參考電壓至井的井接點與井佈線,並即使當像素面積減少時,可抑制接收光量的減少。如井佈線,係使用與形成各自電晶體閘極之相同製程所形成的井主佈線4,並使用與各自電晶體閘極相同的材料。在像素區域(PXR)中,井佈線與井接點包括在第一佈線層10中之井主佈線4、井子佈線6,該第一佈線層10在設置在閘極電極層9中之井主佈線4、接點3與5之正上方。井佈線與井接點沒有形成在第二佈線層11上之佈線層中。
简体摘要：本发明提供一种固态摄像设备,其包括用于供应参考电压至井的井接点与井布线,并即使当像素面积减少时,可抑制接收光量的减少。如井布线,系使用与形成各自晶体管闸极之相同制程所形成的井主布线4,并使用与各自晶体管闸极相同的材料。在像素区域(PXR)中,井布线与井接点包括在第一布线层10中之井主布线4、井子布线6,该第一布线层10在设置在闸极电极层9中之井主布线4、接点3与5之正上方。井布线与井接点没有形成在第二布线层11上之布线层中。

7. 发明专利

TW200713573A 固體攝像元件 SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE 审中-公开
简体标题：固体摄像组件 SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
公开(公告)号：TW200713573A
公开(公告)日：2007-04-01
申请号：TW095126171
申请日：2006-07-18
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：太田宗吾 OHTA, SOUGO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14641 , H01L27/14689
摘要：本發明提供可降低像素靈敏度特性的變動之佈局結構,以及可獲得高產率及高靈敏度的固體攝像元件。在像素2a及2b中所包含的各別部分,諸如PD 3a及3b之光接收區域20a及20b、轉移閘極4a及4b及FD 5,係具有包含延伸於列方向之線及延伸於行方向之線的外部形狀。該像素對所包括之光接收區域20a及20b、轉移閘極4a及4b及FD 5係相對於延伸於兩個為一對之該像素對之間的直線而以軸對稱方式配置。且FD 5及重設電晶體6與放大電晶體12之源極區域及汲極區域係被設置在延伸於行方向之直線上。
简体摘要：本发明提供可降低像素灵敏度特性的变动之布局结构,以及可获得高产率及高灵敏度的固体摄像组件。在像素2a及2b中所包含的各别部分,诸如PD 3a及3b之光接收区域20a及20b、转移闸极4a及4b及FD 5,系具有包含延伸于列方向之线及延伸于行方向之线的外部形状。该像素对所包括之光接收区域20a及20b、转移闸极4a及4b及FD 5系相对于延伸于两个为一对之该像素对之间的直线而以轴对称方式配置。且FD 5及重设晶体管6与放大晶体管12之源极区域及汲极区域系被设置在延伸于行方向之直在线。

8. 发明专利

TW200623393A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE METHOD OF THE SAME 失效
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE METHOD OF THE SAME
公开(公告)号：TW200623393A
公开(公告)日：2006-07-01
申请号：TW094107974
申请日：2005-03-16
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：太田宗吾 OHTA, SOUGO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823418 , H01L21/823425 , H01L21/823443 , H01L21/823468 , H01L29/41775 , H01L29/665
摘要：本發明係將電晶體TrA之側壁(105)的厚度做成較電晶體TrB之側壁(105)的厚度為薄。在電晶體TrA中，高濃度雜質擴散層(106)的表面與側壁(105)的底部，由基板之主面方向觀察時係位在重疊的位置。矽化物層(108)，僅形成於高濃度雜質擴散層(106)內。該步驟，可在形成覆蓋電晶體TrB之CVD氧化膜(111)後，且，在形成矽化物層(108)前，藉由在電晶體TrA中形成高濃度雜質擴散層(106)來實現。藉此，藉由簡單的構造即可達到提昇止漏(off leak)特性的目的，並同時在同一基板上形成矽化物化電晶體與非矽化物化電晶體。
简体摘要：本发明系将晶体管TrA之侧壁(105)的厚度做成较晶体管TrB之侧壁(105)的厚度为薄。在晶体管TrA中，高浓度杂质扩散层(106)的表面与侧壁(105)的底部，由基板之主面方向观察时系位在重叠的位置。硅化物层(108)，仅形成于高浓度杂质扩散层(106)内。该步骤，可在形成覆盖晶体管TrB之CVD氧化膜(111)后，且，在形成硅化物层(108)前，借由在晶体管TrA中形成高浓度杂质扩散层(106)来实现。借此，借由简单的构造即可达到提升止漏(off leak)特性的目的，并同时在同一基板上形成硅化物化晶体管与非硅化物化晶体管。

9. 发明专利

TW200421532A 固態攝影裝置及其製造方法 SOLID-SATATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：固态摄影设备及其制造方法 SOLID-SATATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200421532A
公开(公告)日：2004-10-16
申请号：TW092134303
申请日：2003-12-05
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：太田宗吾 OHTA, SOUGO , 內田幹也 UCHIDA, MIKIYA , 松長誠之 MATSUNAGA, YOSHIYUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76237 , G01J1/44 , H01L27/1463 , H01L27/14689
摘要：為提供一種能使再生畫面上之偏差變小之高性能固態攝影裝置。固態攝影裝置，係具備：呈矩陣狀地配置在半導體基板上之複數個像素單元、以及用以驅動各像素單元之驅動機構；各像素單元係包含：光二極體、MOS電晶體、以及元件隔離部2，該元件隔離部2係以使該光二極體和MOS電晶體隔離的方式在該半導體基板上挖設STI(淺槽隔離)而形成；在半導體基板7，係以包圍該元件隔離部之側壁和底面的方式來形成STI洩漏阻絕層1，該STI洩漏阻絕層1係導入有與MOS電晶體之源極/汲極區域呈相反導電型之雜質。
简体摘要：为提供一种能使再生画面上之偏差变小之高性能固态摄影设备。固态摄影设备，系具备：呈矩阵状地配置在半导体基板上之复数个像素单元、以及用以驱动各像素单元之驱动机构；各像素单元系包含：光二极管、MOS晶体管、以及组件隔离部2，该组件隔离部2系以使该光二极管和MOS晶体管隔离的方式在该半导体基板上挖设STI(浅槽隔离)而形成；在半导体基板7，系以包围该组件隔离部之侧壁和底面的方式来形成STI泄漏阻绝层1，该STI泄漏阻绝层1系导入有与MOS晶体管之源极/汲极区域呈相反导电型之杂质。

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