基本信息:
- 专利标题： 塊體以及絕緣層覆矽半導體裝置之協整
- 专利标题（英）：COINTEGRATION OF BULK AND SOI SEMICONDUCTOR DEVICES
- 专利标题（中）：块体以及绝缘层覆硅半导体设备之协整
- 申请号：TW105139443 申请日：2015-11-19
- 公开(公告)号：TWI608571B 公开(公告)日：2017-12-11
- 发明人： 巴爾斯 彼特 , BAARS, PETER , 摩爾 漢斯 彼特 , MOLL, HANS-PETER , 候尼史奇爾 詹 , HOENTSCHEL, JAN
- 申请人： 格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
- 专利权人： 格羅方德半導體公司,GLOBALFOUNDRIES US INC.
- 当前专利权人： 格羅方德半導體公司,GLOBALFOUNDRIES US INC.
- 代理人： 洪武雄; 陳昭誠
- 优先权： 14/592,069 20150108
- 主分类号： H01L21/84
- IPC分类号： H01L21/84 ; H01L21/335
公开/授权文献:
- TW201717325A 塊體以及絕緣層覆矽半導體裝置之協整 公开/授权日：2017-05-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/84 | .....衬底不是半导体的，例如绝缘体 |