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41. 发明专利

TW201526141A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201526141A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103133986
申请日：2014-09-30
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：松下淳 , MATSUSHITA, JUN , 長嶋裕次 , NAGASHIMA, YUJI , 林航之介 , HAYASHI, KONOSUKE , 宮崎邦浩 , MIYAZAKI, KUNIHIRO
IPC分类号： H01L21/67 , B08B3/02 , B08B3/08
CPC分类号： B08B3/08 , B08B3/02 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/67051
摘要：將基板表面之洗淨水確實地置換為揮發性溶媒，而有效地防止基板乾燥時之圖案倒壞，並且提昇此種基板之生產性。基板處理裝置(10)，係具備有水分除去手段(110)，水分除去手段(110)，係當藉由溶媒供給部(58)而對於基板(W)之表面供給揮發性溶媒時，對於基板(W)之表面供給水分除去劑，而促進對於基板(W)之表面的洗淨水之揮發性溶媒的置換。
简体摘要：将基板表面之洗净水确实地置换为挥发性溶媒，而有效地防止基板干燥时之图案倒坏，并且提升此种基板之生产性。基板处理设备(10)，系具备有水分除去手段(110)，水分除去手段(110)，系当借由溶媒供给部(58)而对于基板(W)之表面供给挥发性溶媒时，对于基板(W)之表面供给水分除去剂，而促进对于基板(W)之表面的洗净水之挥发性溶媒的置换。

42. 发明专利

TWI489543B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI489543B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW100133573
申请日：2011-09-19
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：中村一樹 , NAKAMURA, KAZUKI
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/67028

43. 发明专利

TW201519294A 半導體製造裝置零件之洗淨方法、半導體製造裝置零件之洗淨裝置及氣相沉積裝置审中-公开
简体标题：半导体制造设备零件之洗净方法、半导体制造设备零件之洗净设备及气相沉积设备
公开(公告)号：TW201519294A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW104102429
申请日：2012-03-21
申请人：古河機械金屬股份有限公司 , FURUKAWA COMPANY LIMTED
发明人：水田正志 , MIZUTA, MASASHI , 矢口裕一 , YAGUCHI, YUICHI , 錦織豐 , NISHIKORI, YUTAKA
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02041 , C23C16/4405 , H01L21/67028
摘要：本發明將附著有通式AlxInyGa1-x-yN(其中，x、y為0≦x
简体摘要：本发明将附着有通式AlxInyGa1-x-yN(其中，x、y为0≦x<1，0≦y<1，0≦x+y<1)所表示之氮化物半导体之半导体制造设备零件(101)配置于具备气体导入管(104)及气体排出管(105)之洗净设备(100)内。于将设备内设为减压状态后，自气体导入管(104)导入含卤素之气体，并将设备内之压力设为10kPa以上且90kPa以下。其后，将含卤素之气体保持于设备内，并去除附着于半导体制造设备零件(101)上之氮化物半导体。

44. 发明专利

TWI482213B 半導體製造裝置零件之洗淨方法、半導體製造裝置零件之洗淨裝置及氣相沉積裝置有权
简体标题：半导体制造设备零件之洗净方法、半导体制造设备零件之洗净设备及气相沉积设备
公开(公告)号：TWI482213B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW101109737
申请日：2012-03-21
申请人：古河機械金屬股份有限公司 , FURUKAWA COMPANY LIMTED
发明人：水田正志 , MIZUTA, MASASHI , 矢口裕一 , YAGUCHI, YUICHI , 錦織豐 , NISHIKORI, YUTAKA
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02041 , C23C16/4405 , H01L21/67028

45. 发明专利

TW201513204A 基板處理裝置及基板處理方法和記錄基板處理程式之電腦可讀取之記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法和记录基板处理进程之电脑可读取之记录媒体
公开(公告)号：TW201513204A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103119351
申请日：2014-06-04
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：川渕洋介 , KAWABUCHI, YOSUKE , 河野央 , KAWANO, HISASHI , 田中暁 , TANAKA, SATORU , 鈴木啓之 , SUZUKI, HIROYUKI , 大石幸太郎 , OOISHI, KOTARO , 篠原和義 , SHINOHARA, KAZUYOSHI , 吉田祐希 , YOSHIDA, YUKI
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/02057 , H01L21/67028 , H01L21/6715
摘要：實現基板處理中之生產率的提升與運轉成本的下降。在本發明中，係在以處理液處理基板(3)之後使前述基板(3)乾燥的基板處理裝置(1)中，具有：基板旋轉機構(22)，使前述基板(3)旋轉；處理液吐出部(13)，對前述基板(3)吐出處理液；置換液吐出部(14)，一邊相對於前述基板(3)移動，一邊朝向前述基板(3)吐出被置換為前述基板(3)上之處理液的置換液；及惰性氣體吐出部(15)，一邊相對於前述基板(3)移動至與前述置換液吐出部(14)不同的方向，一邊從前述基板(3)的上方對前述基板(3)斜向外周方向吐出惰性氣體。
简体摘要：实现基板处理中之生产率的提升与运转成本的下降。在本发明中，系在以处理液处理基板(3)之后使前述基板(3)干燥的基板处理设备(1)中，具有：基板旋转机构(22)，使前述基板(3)旋转；处理液吐出部(13)，对前述基板(3)吐出处理液；置换液吐出部(14)，一边相对于前述基板(3)移动，一边朝向前述基板(3)吐出被置换为前述基板(3)上之处理液的置换液；及惰性气体吐出部(15)，一边相对于前述基板(3)移动至与前述置换液吐出部(14)不同的方向，一边从前述基板(3)的上方对前述基板(3)斜向外周方向吐出惰性气体。

46. 发明专利

TW201507017A 用於基板清洗及乾燥之方法及設備审中-公开
简体标题：用于基板清洗及干燥之方法及设备
公开(公告)号：TW201507017A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103109702
申请日：2014-03-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佛那斯卡卡洛斯A , FONSECA, CARLOS A. , 卡卡希麥可A , CARCASI, MICHAEL A.
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/00 , B08B3/02 , B08B3/024 , B08B3/04 , B08B3/041 , B08B5/00 , B08B5/02 , H01L21/02052 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/6704
摘要：本文揭露之方法及設備係用於在半導體製造中最佳化清洗及乾燥製程。如此的最佳化係為了最大化製程產量並同時保持低缺陷數及高元件良率，並利用模擬及實驗數據來設定用於清洗及乾燥製程的最佳製程參數。本文亦揭露清洗液及沖洗氣體噴嘴移動的改良方法。
简体摘要：本文揭露之方法及设备系用于在半导体制造中最优化清洗及干燥制程。如此的最优化系为了最大化制程产量并同时保持低缺陷数及高组件良率，并利用仿真及实验数据来设置用于清洗及干燥制程的最佳制程参数。本文亦揭露清洗液及冲洗气体喷嘴移动的改良方法。

47. 发明专利

TW201448017A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201448017A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103108361
申请日：2014-03-11
申请人：大日本網屏製造股份有限公司 , DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.
发明人：宗德皓太 , SOTOKU, KOTA , 田中孝佳 , TANAKA, TAKAYOSHI , 佐藤雅伸 , SATO, MASANOBU
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/041 , H01L21/67028
摘要：本發明之基板處理裝置係包括：噴嘴移動單元，其以使在基板之上表面內之噴射區域之位置移動在基板之上表面中心部與基板之上表面周緣部之間的方式，一方面將液滴噴嘴與保護液噴嘴之位置關係保持為固定，一方面使上述液滴噴嘴及上述保護液噴嘴產生移動；以及變更控制單元，其配合基板之上表面內之上述噴射區域之位置，加以變更控制在基板之上表面而來自上述保護液噴嘴之保護液進行著液時之相對於上述液滴噴嘴之相對的著液位置、及自上述保護液噴嘴所吐出之保護液被入射至上述著液位置時之相對於上述液滴噴嘴之相對的入射角度之至少一者；且上述變更控制單元係在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部時，將上述著液位置及上述入射角度控制為第1狀態，而在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面周緣部時，將上述著液位置及上述入射角度控制為不同於上述第1狀態之第2狀態。
简体摘要：本发明之基板处理设备系包括：喷嘴移动单元，其以使在基板之上表面内之喷射区域之位置移动在基板之上表面中心部与基板之上表面周缘部之间的方式，一方面将液滴喷嘴与保护液喷嘴之位置关系保持为固定，一方面使上述液滴喷嘴及上述保护液喷嘴产生移动；以及变更控制单元，其配合基板之上表面内之上述喷射区域之位置，加以变更控制在基板之上表面而来自上述保护液喷嘴之保护液进行着液时之相对于上述液滴喷嘴之相对的着液位置、及自上述保护液喷嘴所吐出之保护液被入射至上述着液位置时之相对于上述液滴喷嘴之相对的入射角度之至少一者；且上述变更控制单元系在上述喷射区域之位置被配置在上述基板之上表面中心部时，将上述着液位置及上述入射角度控制为第1状态，而在上述喷射区域之位置被配置在上述基板之上表面周缘部时，将上述着液位置及上述入射角度控制为不同于上述第1状态之第2状态。

48. 发明专利

TWI464792B 基板處理系統之洗淨方法、記憶媒體及基板處理系統有权
简体标题：基板处理系统之洗净方法、记忆媒体及基板处理系统
公开(公告)号：TWI464792B
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：TW098108460
申请日：2009-03-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：沼倉雅博 , NUMAKURA, MASAHIRO , 望月宏朗 , MOCHIZUKI, HIROAKI , 飯島清仁 , IIJIMA, KIYOHITO
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67207 , H01L21/67028 , H01L21/67253

49. 发明专利

TWI456648B 基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI456648B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW101108432
申请日：2012-03-13
申请人：大日本網屏製造股份有限公司 , DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.
发明人：村元僚 , MURAMOTO, RYO
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67742 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/67766

50. 发明专利

TWI455194B 清潔基板表面之方法及設備有权
简体标题：清洁基板表面之方法及设备
公开(公告)号：TWI455194B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW100135339
申请日：2008-07-21
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 史文博格玖漢尼斯 , SWENBERG, JOHANES , 卡爾森大衛K , CARLSON, DAVID K. , 朵赫堤羅依森L , DOHERTY, ROISIN L.
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/67017 , C30B25/08 , C30B29/06 , H01L21/02046 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L21/31662 , H01L21/67028 , H01L21/67069 , Y10S438/976

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