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31. 发明专利

TWI435962B 經磊晶塗覆之半導體晶圓及製造經磊晶塗覆之半導體晶圓之裝置與方法有权
简体标题：经磊晶涂覆之半导体晶圆及制造经磊晶涂覆之半导体晶圆之设备与方法
公开(公告)号：TWI435962B
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW096142430
申请日：2007-11-09
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：雷恩哈德紹爾 , SCHAUER, REINHARD , 諾伯特華納 , WERNER, NORBERT
IPC分类号： C30B25/12 , C30B29/06 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02579 , C23C16/4585 , C30B25/12 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02634 , H01L21/68735 , Y10T428/24612

32. 发明专利

TWI431172B 製造經磊晶塗覆之半導體晶圓之方法有权
简体标题：制造经磊晶涂覆之半导体晶圆之方法
公开(公告)号：TWI431172B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW098114814
申请日：2009-05-05
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：斯查爾瑞韓德 , SCHAUER, REINHARD , 韓杰克里斯汀 , HAGER, CHRISTIAN
IPC分类号： C30B25/02 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02532 , C30B25/02 , C30B25/10 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/02381 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/324

33. 发明专利

TWI428481B 矽晶圓及其製造方法有权
简体标题：硅晶圆及其制造方法
公开(公告)号：TWI428481B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW099143966
申请日：2010-12-15
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：中居克彥 , NAKAI, KATSUHIKO , 大久保正道 , OHKUBO, MASAMICHI
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/14 , C30B15/203 , H01L21/3225

34. 发明专利

TWI421934B 拋光半導體晶圓的方法失效
简体标题：抛光半导体晶圆的方法
公开(公告)号：TWI421934B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW099134364
申请日：2010-10-08
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：史卻汪德納尤爾根 , 巴士察哈德湯瑪士 , BUSCHHARDT, THOMAS , 寇伯特羅蘭 , KOPPERT, ROLAND
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04
CPC分类号： B24B1/00 , H01L21/02024

35. 发明专利

TW201350297A 從圓柱體工件同時切割多個晶圓的方法审中-公开
简体标题：从圆柱体工件同时切割多个晶圆的方法
公开(公告)号：TW201350297A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102119571
申请日：2013-06-03
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：白蘭克艾伯特 , BLANK, ALBERT
IPC分类号： B28D5/04 , H01L21/304
CPC分类号： B28D5/045 , B28D5/0082
摘要：本發明涉及從實質上為圓柱體的工件同時切割多個晶圓的方法，其中藉助進給裝置使與鋸切條連接的工件和線鋸的線排以一定義的進給速度(forward feed rate)執行垂直於該工件縱軸之方向上的相對移動，藉由該進給裝置引導該工件穿過該線排，並由此切割成多個晶圓，其中，該進給速度在該方法期間以如下列方式改變：在切割深度為該工件直徑的50%時具有數值v1；然後以數值v2≧1.15×v1經過局部最大值；然後在該線排首次與該鋸切條接觸時，取數值v3＜v1；以及然後升高至數值v5＞v3。
简体摘要：本发明涉及从实质上为圆柱体的工件同时切割多个晶圆的方法，其中借助进给设备使与锯切条连接的工件和线锯的线排以一定义的进给速度(forward feed rate)运行垂直于该工件纵轴之方向上的相对移动，借由该进给设备引导该工件穿过该线排，并由此切割成多个晶圆，其中，该进给速度在该方法期间以如下列方式改变：在切割深度为该工件直径的50%时具有数值v1；然后以数值v2≧1.15×v1经过局部最大值；然后在该线排首次与该锯切条接触时，取数值v3＜v1；以及然后升高至数值v5＞v3。

36. 发明专利

TWI405621B 電子材料的清洗液及清洗方法失效
简体标题：电子材料的清洗液及清洗方法
公开(公告)号：TWI405621B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW096148611
申请日：2007-12-19
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：榛原照男 , HAIBARA, TERUO , 森良弘 , MORI, YOSHIHIRO , 毛利敬史 , MOURI, TAKASHI
IPC分类号： B08B3/12 , H01L21/306

37. 发明专利

TW201326474A 單晶的製造方法及裝置审中-公开
简体标题：单晶的制造方法及设备
公开(公告)号：TW201326474A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101147436
申请日：2012-12-14
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：雷明喬治 , RAMING, GEORG , 歐德曼雪佛羅德溫 , ALTMANNSHOFER, LUDWIG , 雷特尼克斯古達爾斯 , RATNIEKS, GUNDARS , 藍瑞欽格喬漢 , LANDRICHINGER, JOHANN , 羅麥爾喬瑟夫 , LOBMEYER, JOSEF , 賀辛格歐弗雷德 , HOLZINGER, ALFRED
IPC分类号： C30B13/22 , C30B35/00
CPC分类号： C30B13/20 , C30B13/30 , C30B29/06 , Y10T117/1088
摘要：一種藉由浮區法生產單晶的方法和裝置，其中該單晶在感應加熱線圈的幫助下，在熔化區下方於結晶邊界結晶，並且藉由圍繞該單晶的反射器來阻礙結晶熱的散發，其中係藉由於第一區中的加熱裝置於結晶邊界的外邊緣區域加熱單晶，其中結晶邊界的外邊緣處的外三相點Ta與結晶邊界的中心Z之間的距離△係受到影響。
简体摘要：一种借由浮区法生产单晶的方法和设备，其中该单晶在感应加热线圈的帮助下，在熔化区下方于结晶边界结晶，并且借由围绕该单晶的反射器来阻碍结晶热的散发，其中系借由于第一区中的加热设备于结晶边界的外边缘区域加热单晶，其中结晶边界的外边缘处的外三相点Ta与结晶边界的中心Z之间的距离△系受到影响。

38. 发明专利

TWI398556B 由單晶矽所構成之半導體晶圓及其製造方法有权
简体标题：由单晶硅所构成之半导体晶圆及其制造方法
公开(公告)号：TWI398556B
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：TW098129521
申请日：2009-09-02
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：穆勒提摩 , 基辛格古德倫 , KISSINGER, GUDRUN , 賀維瑟渥特 , HEUWIESER, WALTER , 韋伯馬丁 , WEBER, MARTIN
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/02
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/203 , C30B15/305 , C30B30/04 , C30B33/02

39. 发明专利

TW201317405A ｐ型矽單晶以及其製造方法审中-公开
简体标题：ｐ型硅单晶以及其制造方法
公开(公告)号：TW201317405A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW101137417
申请日：2012-10-11
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：中居克彥 , NAKAI, KATSUHIKO
IPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04
摘要：本發明提供電阻率高並且電阻率變化率較小的p型矽單晶以及其製造方法。解決方法：製造p型矽單晶1的方法，包括以下步驟：製備矽熔體7，該矽熔體中已加入作為主摻雜物的硼、為n型雜質且偏析係數(segregation coefficient)比硼低的第一副摻雜物、以及為p型雜質且偏析係數比第一副摻雜物低的第二副摻雜物；用柴可斯基(Czochralski)方法從矽熔體7生長電阻率不低於6歐姆公分(Ωcm)的矽單晶。
简体摘要：本发明提供电阻率高并且电阻率变化率较小的p型硅单晶以及其制造方法。解决方法：制造p型硅单晶1的方法，包括以下步骤：制备硅熔体7，该硅熔体中已加入作为主掺杂物的硼、为n型杂质且偏析系数(segregation coefficient)比硼低的第一副掺杂物、以及为p型杂质且偏析系数比第一副掺杂物低的第二副掺杂物；用柴可斯基(Czochralski)方法从硅熔体7生长电阻率不低于6欧姆公分(Ωcm)的硅单晶。

40. 发明专利

TW201313942A 於處理室中由氣相沉積在半導體晶圓上沉積層的方法和設備审中-公开
简体标题：于处理室中由气相沉积在半导体晶圆上沉积层的方法和设备
公开(公告)号：TW201313942A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101133962
申请日：2012-09-17
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：伯寧格喬治 , BRENNINGER, GEORG
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/52 , C30B25/10
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/46 , C23C16/52 , C30B25/10 , C30B25/16 , C30B29/06
摘要：本發明係關於一種於處理室中由氣相沉積在半導體晶圓上沉積層的方法和設備，尤其係關於一種在具有上蓋和下蓋的處理室中由氣相沉積在半導體晶圓上沉積層的方法和設備。該方法包括：測量該半導體晶圓的前側的溫度；將該半導體晶圓加熱至沉積溫度；將該處理室的上蓋溫度控制為目標溫度，其中上蓋溫度係在該上蓋外表面的中心處測量，並作為用於控制上蓋溫度的控制迴路的受控變數的實際值；設定一氣體流量，用於沉積該層的處理氣體以該氣體流量被引導通過該處理室；以及在將該處理室的上蓋溫度控制至目標溫度的期間，在該經加熱至該沉積溫度的半導體晶圓的前側沉積該層。
简体摘要：本发明系关于一种于处理室中由气相沉积在半导体晶圆上沉积层的方法和设备，尤其系关于一种在具有上盖和下盖的处理室中由气相沉积在半导体晶圆上沉积层的方法和设备。该方法包括：测量该半导体晶圆的前侧的温度；将该半导体晶圆加热至沉积温度；将该处理室的上盖温度控制为目标温度，其中上盖温度系在该上盖外表面的中心处测量，并作为用于控制上盖温度的控制回路的受控变量的实际值；设置一气体流量，用于沉积该层的处理气体以该气体流量被引导通过该处理室；以及在将该处理室的上盖温度控制至目标温度的期间，在该经加热至该沉积温度的半导体晶圆的前侧沉积该层。

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