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1. 发明专利

TW201736648A 調整製造中之半導體錠之電阻的方法审中-公开
简体标题：调整制造中之半导体锭之电阻的方法
公开(公告)号：TW201736648A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105141142
申请日：2016-12-13
申请人：原子能與替代能源公署 , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人：弗曼約帝 , VEIRMAN, JORDI , 阿爾巴克麥克 , ALBARIC, MICKAEL , 杜博塞巴斯丁 , DUBOIS, SEBASTIEN , 史塔德勒傑克 , STADLER, JACKY , 湯馬西尼馬修 , TOMASSINI, MATHIEU
IPC分类号： C30B15/04 , C30B15/20 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/206
摘要：本發明涉及一種製造由半導體材料所製成的錠的方法，包含下述步驟：在特定拉升條件下，由含氧的第一熔化的填料結晶出被稱為基準錠的第一錠；在沿著該基準錠分布的不同區域，測量填隙氧濃度；在該基準錠的不同區域，測量在該基準錠的結晶期間所形成的熱施體的濃度；由該填隙氧濃度和該熱施體濃度的測量，決定在該基準錠的結晶期間、由其不同區域所經歷的熱施體的形成退火的有效時間；計算為了使第二錠在結晶後具有按照目標曲線圖的軸向電阻所需得到的該熱施體濃度值；由熱施體濃度值和由該熱施體的形成退火的有效時間，決定與該軸向電阻目標曲線圖相應的該填隙氧濃度的軸向曲線圖；在該特定拉升條件下，由含氧的第二熔化的填料結晶出該第二錠，其中隨著結晶進行而調整該第二熔化的填料的氧濃度以在第二錠中得到該填隙氧濃度的軸向曲線圖。
简体摘要：本发明涉及一种制造由半导体材料所制成的锭的方法，包含下述步骤：在特定拉升条件下，由含氧的第一熔化的填料结晶出被称为基准锭的第一锭；在沿着该基准锭分布的不同区域，测量填隙氧浓度；在该基准锭的不同区域，测量在该基准锭的结晶期间所形成的热施体的浓度；由该填隙氧浓度和该热施体浓度的测量，决定在该基准锭的结晶期间、由其不同区域所经历的热施体的形成退火的有效时间；计算为了使第二锭在结晶后具有按照目标曲线图的轴向电阻所需得到的该热施体浓度值；由热施体浓度值和由该热施体的形成退火的有效时间，决定与该轴向电阻目标曲线图相应的该填隙氧浓度的轴向曲线图；在该特定拉升条件下，由含氧的第二熔化的填料结晶出该第二锭，其中随着结晶进行而调整该第二熔化的填料的氧浓度以在第二锭中得到该填隙氧浓度的轴向曲线图。

2. 发明专利

TW201732094A 單晶矽之成長方法及其製備之單晶矽錠（二）审中-公开
简体标题：单晶硅之成长方法及其制备之单晶硅锭（二）
公开(公告)号：TW201732094A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105113343
申请日：2016-04-28
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：肖德元 , XIAO, DEYUAN , 張汝京 , CHANG, RICHARD R.
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/002 , C30B15/04 , C30B15/203 , C30B15/305 , C30B30/04
摘要：本發明係提供一種單晶矽之成長方法，係以柴氏拉晶法，將置於坩堝內之矽原料熔化而形成熔體，並提拉該熔體而使單晶矽成長之方法，其特徵在於：該矽原料包括表面生長氮化矽並摻雜氘之矽片及多晶矽碎塊；於形成熔體時通入包括氬氣之氣體；以及於提拉步驟中施加磁場。本發明亦提供一種以該單晶矽製備晶圓之方法。
简体摘要：本发明系提供一种单晶硅之成长方法，系以柴氏拉晶法，将置于坩埚内之硅原料熔化而形成熔体，并提拉该熔体而使单晶硅成长之方法，其特征在于：该硅原料包括表面生长氮化硅并掺杂氘之硅片及多晶硅碎块；于形成熔体时通入包括氩气之气体；以及于提拉步骤中施加磁场。本发明亦提供一种以该单晶硅制备晶圆之方法。

3. 发明专利

TW201713801A 單晶矽晶錠及晶圓的形成方法审中-公开
简体标题：单晶硅晶锭及晶圆的形成方法
公开(公告)号：TW201713801A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105107811
申请日：2016-03-14
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：肖德元 , XIAO, DEYUAN , 張汝京 , CHANG, RICHARD R.
IPC分类号： C30B15/02 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/22 , C30B15/04 , C30B29/06 , C30B33/00
摘要：本發明提出了一種單晶矽及晶圓的形成方法，先對矽石進行氘原子的注入，使氘原子保留在矽石間隙內，接著，在採用柴氏拉晶法形成單晶矽晶錠時，使用被注入氘原子的矽石，使形成的單晶矽晶錠中氧含量和其它雜質降低，採用單晶矽晶錠形成晶圓後，在晶圓上形成的元件時，氘能夠擴散出，並與介面處等懸空鍵進行結合，形成較為穩定的結構，從而避免熱載子的穿透，降低漏電流，提高元件的性能與可靠性。
简体摘要：本发明提出了一种单晶硅及晶圆的形成方法，先对硅石进行氘原子的注入，使氘原子保留在硅石间隙内，接着，在采用柴氏拉晶法形成单晶硅晶锭时，使用被注入氘原子的硅石，使形成的单晶硅晶锭中氧含量和其它杂质降低，采用单晶硅晶锭形成晶圆后，在晶圆上形成的组件时，氘能够扩散出，并与界面处等悬空键进行结合，形成较为稳定的结构，从而避免热载子的穿透，降低漏电流，提高组件的性能与可靠性。

4. 发明专利

TW201712170A 雙摻雜閃爍晶體製作方法审中-公开
简体标题：双掺杂闪烁晶体制作方法
公开(公告)号：TW201712170A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104132027
申请日：2015-09-25
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：周明奇
IPC分类号： C30B29/34 , C30B15/00 , C30B33/02
CPC分类号： C30B33/02 , C30B15/04 , C30B29/34 , G01T1/2023
摘要：一種雙摻雜閃爍晶體製作方法，係利用柴式提拉法(Czochralski,Cz)生長一雙摻雜鈰與一鈣或一鎂元素稀土矽酸鹽單晶棒，利用摻雜鈣或鎂元素產生電荷補償效應(Charge Compensation)，使其中之鈣或鎂與鈰正四價(Ce+4)發生電荷補償，以產生鈰正三價(Ce+3)，形成一鈣鈰雙摻稀土矽酸鹽單晶棒或一鎂鈰雙摻稀土矽酸鹽單晶棒，再將其放置於一高溫設備中進行熱退火(thermal annealing)處理，將該鈣鈰雙摻稀土矽酸鹽單晶棒或該鎂鈰雙摻稀土矽酸鹽單晶棒從室溫加熱至1400~1600℃之間後持溫一反應時間，之後進行降溫步驟。藉此，本發明在大氣下進行熱退火處理，利用熱退火可大量減少晶體在加工時所產生之碎裂，並能提高晶體切磨拋之後，像素(pixel)樣品之良率，具有製程成本低、良率高、晶體碎裂少、放光強度高及衰減時間(decaying time)短等優點。
简体摘要：一种双掺杂闪烁晶体制作方法，系利用柴式提拉法(Czochralski,Cz)生长一双掺杂铈与一钙或一镁元素稀土硅酸盐单晶棒，利用掺杂钙或镁元素产生电荷补偿效应(Charge Compensation)，使其中之钙或镁与铈正四价(Ce+4)发生电荷补偿，以产生铈正三价(Ce+3)，形成一钙铈双掺稀土硅酸盐单晶棒或一镁铈双掺稀土硅酸盐单晶棒，再将其放置于一高温设备中进行热退火(thermal annealing)处理，将该钙铈双掺稀土硅酸盐单晶棒或该镁铈双掺稀土硅酸盐单晶棒从室温加热至1400~1600℃之间后持温一反应时间，之后进行降温步骤。借此，本发明在大气下进行热退火处理，利用热退火可大量减少晶体在加工时所产生之碎裂，并能提高晶体切磨抛之后，像素(pixel)样品之良率，具有制程成本低、良率高、晶体碎裂少、放光强度高及衰减时间(decaying time)短等优点。

5. 发明专利

TW201534775A 矽單晶製造方法审中-公开
简体标题：硅单晶制造方法
公开(公告)号：TW201534775A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103134996
申请日：2014-10-08
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：田邉一美 , TANABE, KAZUMI , 橫山隆 , YOKOYAMA, TAKASHI , 金大基 , KIM, TEGI
IPC分类号： C30B15/14 , C30B15/20 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/20 , C30B15/04 , C30B15/14 , C30B27/02 , C30B29/06
摘要：本發明之課題，係提供一種能夠適當地控制拉升單晶的氧濃度之矽單晶製造方法。本發明之解決手段，係在使用具備熱遮蔽物之拉升裝置而藉由切克勞斯基(Czochralski)法來製造矽單晶時，按照對結晶直徑空隙率(單晶的外表面與熱遮蔽物的下端開口緣部之間的空隙部之面積/單晶的剖面積)而調整導入至裝置內之惰性氣體的在前述空隙部之流速，來控制控制結晶的氧濃度。
简体摘要：本发明之课题，系提供一种能够适当地控制拉升单晶的氧浓度之硅单晶制造方法。本发明之解决手段，系在使用具备热屏蔽物之拉升设备而借由切克劳斯基(Czochralski)法来制造硅单晶时，按照对结晶直径空隙率(单晶的外表面与热屏蔽物的下端开口缘部之间的空隙部之面积/单晶的剖面积)而调整导入至设备内之惰性气体的在前述空隙部之流速，来控制控制结晶的氧浓度。

6. 发明专利

TW201333277A 矽晶圓之製造方法审中-公开
简体标题：硅晶圆之制造方法
公开(公告)号：TW201333277A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW102100289
申请日：2013-01-04
申请人：環球晶圓日本股份有限公司 , GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD.
发明人：南俊郎 , MINAMI, TOSHIRO , 鹿島一日兒 , KASHIMA, KAZUHIKO , 日笠光朗 , HIGASA, MITSUO , 前田進 , MAEDA, SUSUMU
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/322
CPC分类号： C30B15/04 , C30B15/203 , C30B29/06 , C30B33/005
摘要：本發明提供一種矽晶圓之製造方法，其係不須進行用以使熱施體(thermal donor)成長為BMD的析出核之低溫熱處理，且即便熱處理時間為短時間，亦可在表層部形成無缺陷層，並可在主體部提高BMD密度，再者，得以抑制晶圓表層部之氧濃度的降低，生產性高。利用在矽融液添加氮的柴氏法，在添加有氫氣的惰性氣體環境中，以形成空位型點缺陷存在的區域之方式控制V/G(V：提拉速度，G：矽單晶的提拉軸向的溫度梯度)，而生長成氧濃度為1.0×1018~1.8×1018atoms/cm3且氮濃度為2.8×1014~5.0×1015atoms/cm3的矽單晶，接著，對於將矽單晶切斷而作成晶圓狀的矽晶圓施以平坦化處理及鏡面研磨處理，並對此矽晶圓進行於氧化性氣體環境中、在1250~1380℃最高到達溫度下保持1~60秒間的急速昇降溫熱處理。
简体摘要：本发明提供一种硅晶圆之制造方法，其系不须进行用以使热施体(thermal donor)成长为BMD的析出核之低温热处理，且即便热处理时间为短时间，亦可在表层部形成无缺陷层，并可在主体部提高BMD密度，再者，得以抑制晶圆表层部之氧浓度的降低，生产性高。利用在硅融液添加氮的柴氏法，在添加有氢气的惰性气体环境中，以形成空位型点缺陷存在的区域之方式控制V/G(V：提拉速度，G：硅单晶的提拉轴向的温度梯度)，而生长成氧浓度为1.0×1018~1.8×1018atoms/cm3且氮浓度为2.8×1014~5.0×1015atoms/cm3的硅单晶，接着，对于将硅单晶切断而作成晶圆状的硅晶圆施以平坦化处理及镜面研磨处理，并对此硅晶圆进行于氧化性气体环境中、在1250~1380℃最高到达温度下保持1~60秒间的急速升降温热处理。

7. 发明专利

TWI367964B 固體攝像元件用半導體基板及固體攝像元件以及其製造方法有权
简体标题：固体摄像组件用半导体基板及固体摄像组件以及其制造方法
公开(公告)号：TWI367964B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：TW096133524
申请日：2007-09-07
申请人：勝高股份有限公司
发明人：栗田一成
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： H01L31/186 , C30B15/04 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3221 , H01L27/14603 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：提供一種固體攝像元件用之半導體基板，與利用碳離子注入之吸氣法相比，製造成本較低，且可解決裝置製程發生粒子之問題。
使矽基板中含有濃度為1×1016~1×1017atoms/cm3之溶解碳及濃度為1.4×1018~1.6×1018atoms/cm3之溶解氧。
简体摘要：提供一种固体摄像组件用之半导体基板，与利用碳离子注入之吸气法相比，制造成本较低，且可解决设备制程发生粒子之问题。使硅基板中含有浓度为1×1016~1×1017atoms/cm3之溶解碳及浓度为1.4×1018~1.6×1018atoms/cm3之溶解氧。

8. 发明专利

TW201226638A 用於製造太陽電池之鍺富集的矽材料 GERMANIUM ENRICHED SILICON MATERIAL FOR MAKING SOLAR CELLS 审中-公开
简体标题：用于制造太阳电池之锗富集的硅材料 GERMANIUM ENRICHED SILICON MATERIAL FOR MAKING SOLAR CELLS
公开(公告)号：TW201226638A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW100142927
申请日：2011-11-23
申请人：卡里索拉股份有限公司
发明人：克斯特弗瑞茲G , 霍爾馬帝斯 , 凱斯馬汀 , 歐納傑拉卡邁勒
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B13/10 , C30B11/00 , C30B11/04 , C30B11/08 , C30B13/00 , C30B13/08 , C30B15/00 , C30B15/02 , C30B15/04 , C30B29/06 , C30B29/52 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明描述使用各種等級之矽進料以形成矽晶錠及晶體的技術。一常見特徵為添加一預定量之鍺至該熔體並進行結晶反應以將錯併入各別結晶狀矽材料的矽晶格內。此種經併入之鍺可改良各別矽材料的特徵，其包括增加的材料強度及改良的電性質。在太陽電池製造時施加此等材料且自此等太陽電池製造模組時，其可得到令人滿意的效用。
简体摘要：本发明描述使用各种等级之硅进料以形成硅晶锭及晶体的技术。一常见特征为添加一预定量之锗至该熔体并进行结晶反应以将错并入各别结晶状硅材料的硅晶格内。此种经并入之锗可改良各别硅材料的特征，其包括增加的材料强度及改良的电性质。在太阳电池制造时施加此等材料且自此等太阳电池制造模块时，其可得到令人满意的效用。

9. 发明专利

TWI247058B 單晶矽晶圓及其製造方法以及SOI晶圓 SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND SOI WAFER 有权
简体标题：单晶硅晶圆及其制造方法以及SOI晶圆 SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND SOI WAFER
公开(公告)号：TWI247058B
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：TW089123875
申请日：2000-11-10
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：飯田誠 , 木村雅規
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/203 , H01L21/3225
摘要：本發明揭示一種藉CZ法育成之單結晶矽晶圓，係摻雜有氮元素，整面由N-領域構成，且格子間氧元素濃度在8 ppma(JEIDA)以下，或摻雜有氮元素，從整面至少排除掉空孔型缺陷及轉位簇，且格子間氧元素濃度在8 ppma(JEIDA)以下之單結晶矽晶圓及其製造方法。藉此可以提供，能夠在控制幅度很寬，容易控制之穩定之製造條件下，排除掉空孔型缺陷及轉位簇，整面由N-領域構成，藉CZ法育成之無缺陷單結晶矽晶圓，及其製造方法。
简体摘要：本发明揭示一种藉CZ法育成之单结晶硅晶圆，系掺杂有氮元素，整面由N-领域构成，且格子间氧元素浓度在8 ppma(JEIDA)以下，或掺杂有氮元素，从整面至少排除掉空孔型缺陷及转位簇，且格子间氧元素浓度在8 ppma(JEIDA)以下之单结晶硅晶圆及其制造方法。借此可以提供，能够在控制幅度很宽，容易控制之稳定之制造条件下，排除掉空孔型缺陷及转位簇，整面由N-领域构成，藉CZ法育成之无缺陷单结晶硅晶圆，及其制造方法。

10. 发明专利

TW573083B 製造摻氮半導體晶圓之方法有权
简体标题：制造掺氮半导体晶圆之方法
公开(公告)号：TW573083B
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：TW089117797
申请日：2000-08-31
申请人：瓦克矽電子公司 WACKER SILTRONIC GESELLSCHAFT FUR HALBEITERMATERIALIEN AG
发明人：維爾弗里德安孟博士 WILFRIED VON AMMON , 赫伯特魏德納 HERBERT WEIDNER , 德爾克尊謀奇博士 DIRK ZEMKE , 克瑞斯陶夫符瑞 CHRISTOPH FREY
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/06 , C30B13/00 , C30B15/04 , Y10S117/916
摘要：本發明與一種用以製造摻氮半導體晶圓之方法有關，該氮素係來自含氨(NH3)之摻質氣體。該方法包括之步驟為：(1)自熔融半導體材料池內抽拉單晶體，(2)將摻質氣體通入半導體材料內及(3)將抽拉成之單晶體切割成摻氮半導體晶圓。摻質氣體最大限度是在該待切割成半導體晶圓之單晶體經部分抽拉出來時開始通入半導體材料內。
简体摘要：本发明与一种用以制造掺氮半导体晶圆之方法有关，该氮素系来自含氨(NH3)之掺质气体。该方法包括之步骤为：(1)自熔融半导体材料池内抽拉单晶体，(2)将掺质气体通入半导体材料内及(3)将抽拉成之单晶体切割成掺氮半导体晶圆。掺质气体最大限度是在该待切割成半导体晶圆之单晶体经部分抽拉出来时开始通入半导体材料内。

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