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1. 发明专利

TWI428481B 矽晶圓及其製造方法有权
简体标题：硅晶圆及其制造方法
公开(公告)号：TWI428481B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW099143966
申请日：2010-12-15
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：中居克彥 , NAKAI, KATSUHIKO , 大久保正道 , OHKUBO, MASAMICHI
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/14 , C30B15/203 , H01L21/3225

2. 发明专利

TWI402384B 製造單晶的方法有权
简体标题：制造单晶的方法
公开(公告)号：TWI402384B
公开(公告)日：2013-07-21
申请号：TW097121228
申请日：2008-06-06
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：大久保正道 , OHKUBO, MASAMICHI
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/305 , C30B29/06

3. 发明专利

TWI404840B 矽晶圓及其製造方法有权
简体标题：硅晶圆及其制造方法
公开(公告)号：TWI404840B
公开(公告)日：2013-08-11
申请号：TW098144430
申请日：2009-12-23
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：中居克彥 , NAKAI, KATSUHIKO , 碇敦 , IKARI, ATSUSHI , 大久保正道 , OHKUBO, MASAMICHI
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20
CPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06

4. 发明专利

TWI468564B 矽單晶基材及其製造方法有权
简体标题：硅单晶基材及其制造方法
公开(公告)号：TWI468564B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW101148038
申请日：2012-12-18
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：中居克彥 , NAKAI, KATSUHIKO , 大久保正道 , OHKUBO, MASAMICHI , 坂本光 , SAKAMOTO, HIKARU
IPC分类号： C30B33/00 , C30B15/22 , H01L27/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/206 , C30B33/02

5. 发明专利

TW201329297A 矽單晶基材及其製造方法审中-公开
简体标题：硅单晶基材及其制造方法
公开(公告)号：TW201329297A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101148038
申请日：2012-12-18
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：中居克彥 , NAKAI, KATSUHIKO , 大久保正道 , OHKUBO, MASAMICHI , 坂本光 , SAKAMOTO, HIKARU
IPC分类号： C30B33/00 , C30B15/22 , H01L27/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/206 , C30B33/02
摘要：一種矽單晶基材，該矽單晶基材在基材中有均勻的電阻，在基材表面層有較少的塊體微缺陷(BMDs，bulk micro defects)，並且在基材厚度的中心有適中的BMDs。矽單晶基材通過切割用柴可斯基(Czochralski method)方法生長的矽單晶所形成，該基材具有以下特徵。矽單晶基材第一主表面中心的電阻率不低於50歐姆．公分，並且第一主表面的電阻率變化率不大於3%。位於第一主表面與50微米深的平面之間的區域中的氧沉澱物塊體微缺陷的平均密度低於1×108/立方公分。位於離第一主表面300微米深的平面與400微米深的平面之間的區域中的氧沉澱物塊體微缺陷的平均密度不低於1×108/立方公分且不大於1×109/立方公分。
简体摘要：一种硅单晶基材，该硅单晶基材在基材中有均匀的电阻，在基材表面层有较少的块体微缺陷(BMDs，bulk micro defects)，并且在基材厚度的中心有适中的BMDs。硅单晶基材通过切割用柴可斯基(Czochralski method)方法生长的硅单晶所形成，该基材具有以下特征。硅单晶基材第一主表面中心的电阻率不低于50欧姆．公分，并且第一主表面的电阻率变化率不大于3%。位于第一主表面与50微米深的平面之间的区域中的氧沉淀物块体微缺陷的平均密度低于1×108/立方公分。位于离第一主表面300微米深的平面与400微米深的平面之间的区域中的氧沉淀物块体微缺陷的平均密度不低于1×108/立方公分且不大于1×109/立方公分。

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