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1. 发明专利

TWI421934B 拋光半導體晶圓的方法失效
简体标题：抛光半导体晶圆的方法
公开(公告)号：TWI421934B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW099134364
申请日：2010-10-08
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：史卻汪德納尤爾根 , 巴士察哈德湯瑪士 , BUSCHHARDT, THOMAS , 寇伯特羅蘭 , KOPPERT, ROLAND
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04
CPC分类号： B24B1/00 , H01L21/02024

2. 发明专利

TWI464796B 雙面拋光半導體晶圓的方法有权
简体标题：双面抛光半导体晶圆的方法
公开(公告)号：TWI464796B
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：TW100109097
申请日：2011-03-17
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：史卻汪德納尤爾根 , 巴士察哈德湯瑪士 , BUSCHHARDT, THOMAS , 寇伯特羅蘭 , KOPPERT, ROLAND
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02024 , B24B37/044 , B24B37/08

3. 发明专利

TWI474390B 用於拋光半導體晶圓的方法有权
简体标题：用于抛光半导体晶圆的方法
公开(公告)号：TWI474390B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW100109098
申请日：2011-03-17
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：史卻汪德納尤爾根 , 寇伯特羅蘭 , KOPPERT, ROLAND
IPC分类号： H01L21/304 , C09K3/14
CPC分类号： B24B37/0056 , H01L21/02024

4. 发明专利

TWI416611B 拋光墊及拋光半導體晶圓的方法有权
简体标题：抛光垫及抛光半导体晶圆的方法
公开(公告)号：TWI416611B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099113851
申请日：2010-04-30
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：史卻汪德納尤爾根 , 寇伯特羅蘭 , KOPPERT, ROLAND
IPC分类号： H01L21/304 , B24D13/00
CPC分类号： B24B37/22 , B24B7/22 , B24B7/228 , B24B37/0056 , B24D3/28 , B24D11/00 , B24D13/147 , C09G1/04 , H01L21/02024

5. 发明专利

TWI433226B 用於拋光具有應力鬆弛Ｓｉ1＿ｘＧｅｘ層之半導體晶圓之方法有权
简体标题：用于抛光具有应力松弛Ｓｉ1＿ｘＧｅｘ层之半导体晶圆之方法
公开(公告)号：TWI433226B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW098136481
申请日：2009-10-28
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：史卻汪德尤爾根 , 寇伯特羅蘭 , KOPPERT, ROLAND
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/30625 , C09G1/02 , H01L21/304

6. 发明专利

TWI430352B 製造經磊晶塗覆的半導體晶圓的方法有权
简体标题：制造经磊晶涂覆的半导体晶圆的方法
公开(公告)号：TWI430352B
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：TW099119070
申请日：2010-06-11
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：史卻汪德納尤爾根 , 寇伯特羅蘭 , KOPPERT, ROLAND
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/205 , C30B25/02
CPC分类号： H01L21/30625 , B24B37/04

7. 发明专利

TW201108317A 製造經磊晶塗覆的半導體晶圓的方法 METHOD FOR PRODUCING AN EPITAXIALLY COATED SEMICONDUCTOR WAFER 审中-公开
简体标题：制造经磊晶涂覆的半导体晶圆的方法 METHOD FOR PRODUCING AN EPITAXIALLY COATED SEMICONDUCTOR WAFER
公开(公告)号：TW201108317A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099119070
申请日：2010-06-11
申请人：世創電子材料公司
发明人：史卻汪德納尤爾根 , 寇伯特羅蘭
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： H01L21/30625 , B24B37/04
摘要：一種製造經磊晶塗覆的半導體晶圓的方法,其依序包含以下步驟:(a)在半導體晶圓的一側上沉積一磊晶層;(b)使用一具有經固定的研磨物的拋光墊同時供應一不含固體的拋光溶液,首次拋光該半導體晶圓的經磊晶塗覆的該側;(c)使用一不含經固定的研磨物的軟質拋光墊同時供應一拋光劑懸浮液,CMP拋光該半導體晶圓之經磊晶塗覆的該側;以及(d)在該半導體晶圓之先前經磊晶塗覆且經拋光的該側上沉積另一磊晶層。
简体摘要：一种制造经磊晶涂覆的半导体晶圆的方法,其依序包含以下步骤:(a)在半导体晶圆的一侧上沉积一磊晶层;(b)使用一具有经固定的研磨物的抛光垫同时供应一不含固体的抛光溶液,首次抛光该半导体晶圆的经磊晶涂覆的该侧;(c)使用一不含经固定的研磨物的软质抛光垫同时供应一抛光剂悬浮液,CMP抛光该半导体晶圆之经磊晶涂覆的该侧;以及(d)在该半导体晶圆之先前经磊晶涂覆且经抛光的该侧上沉积另一磊晶层。

8. 发明专利

TW201140678A 雙面拋光半導體晶圓的方法 VERFAHREN ZUR BEIDSEITIGEN POLITUR EINER HALBLEITERSCHEIBE 审中-公开
简体标题：双面抛光半导体晶圆的方法 VERFAHREN ZUR BEIDSEITIGEN POLITUR EINER HALBLEITERSCHEIBE
公开(公告)号：TW201140678A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100109097
申请日：2011-03-17
申请人：世創電子材料公司
发明人：史卻汪德納尤爾根 , 巴士察哈德湯瑪士 , 寇伯特羅蘭
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02024 , B24B37/044 , B24B37/08
摘要：一種雙面拋光半導體晶圓的方法，其包括在一覆蓋有一第一拋光墊的上拋光盤與一覆蓋有一第二拋光墊的下拋光盤之間，對位於一載體盤之切口中的半導體晶圓進行同步雙面拋光，其中在拋光期間該位於載體盤中的半導體晶圓的一部分面積係暫時地突出於由該上拋光盤與該下拋光盤形成的加工間隙，其中這兩個拋光墊具有均勻分佈之寬度與深度為0.5至2毫米的溝槽，從而在該等拋光墊上形成正方形區塊的棋盤狀分佈，其中位於該上拋光盤上的該第一拋光墊具有大於20毫米×20毫米的區塊，而該位於該下拋光盤上的第二拋光墊具有小於或等於20毫米×20毫米的區塊，其中這兩個拋光墊在區塊上含有選自矽、鋁和鈰的元素的氧化物的平均尺寸為0.1至1.0微米的磨料，且其中在拋光期間係送入一pH值能夠通過相應地添加一鹼性組分而在11至13.5的範圍內變化的拋光劑溶液，其中在第一步驟中送入一pH為11至12.5的拋光劑溶液，而在第二步驟中送入一pH為大於或等於13的拋光劑溶液。
简体摘要：一种双面抛光半导体晶圆的方法，其包括在一覆盖有一第一抛光垫的上抛光盘与一覆盖有一第二抛光垫的下抛光盘之间，对位于一载体盘之切口中的半导体晶圆进行同步双面抛光，其中在抛光期间该位于载体盘中的半导体晶圆的一部分面积系暂时地突出于由该上抛光盘与该下抛光盘形成的加工间隙，其中这两个抛光垫具有均匀分布之宽度与深度为0.5至2毫米的沟槽，从而在该等抛光垫上形成正方形区块的棋盘状分布，其中位于该上抛光盘上的该第一抛光垫具有大于20毫米×20毫米的区块，而该位于该下抛光盘上的第二抛光垫具有小于或等于20毫米×20毫米的区块，其中这两个抛光垫在区块上含有选自硅、铝和铈的元素的氧化物的平均尺寸为0.1至1.0微米的磨料，且其中在抛光期间系送入一pH值能够通过相应地添加一碱性组分而在11至13.5的范围内变化的抛光剂溶液，其中在第一步骤中送入一pH为11至12.5的抛光剂溶液，而在第二步骤中送入一pH为大于或等于13的抛光剂溶液。

9. 发明专利

TW201101386A 拋光墊及拋光半導體晶圓的方法 POLIERTUCH UND VERFAHREN ZUM POLIEREN EINER HALBLEITERSCHEIBE 审中-公开
简体标题：抛光垫及抛光半导体晶圆的方法 POLIERTUCH UND VERFAHREN ZUM POLIEREN EINER HALBLEITERSCHEIBE
公开(公告)号：TW201101386A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099113851
申请日：2010-04-30
申请人：世創電子材料公司
发明人：史卻汪德納尤爾根 , 寇伯特羅蘭
IPC分类号： H01L , B24D
CPC分类号： B24B37/22 , B24B7/22 , B24B7/228 , B24B37/0056 , B24D3/28 , B24D11/00 , B24D13/147 , C09G1/04 , H01L21/02024
摘要：本發明係關於一種拋光半導體晶圓的方法,其中,在一第一步驟中,藉由一包含粒徑為0.1微米至1.0微米之固定研磨物的拋光墊並在供應一不含固體材料之pH値至少為11.8的拋光劑的情況下,拋光半導體晶圓的背面,以及,在一第二步驟中,拋光該半導體晶圓的正面,其中係供應一pH値小於11.8的拋光劑。本發明亦關於一種用於拋光半導體晶圓設備的拋光墊,包含一含研磨物的層、一由硬塑膠所構成的層以及一應力緩衝非織造層,其中該等層係藉由一壓感黏著層彼此黏合。
简体摘要：本发明系关于一种抛光半导体晶圆的方法,其中,在一第一步骤中,借由一包含粒径为0.1微米至1.0微米之固定研磨物的抛光垫并在供应一不含固体材料之pH値至少为11.8的抛光剂的情况下,抛光半导体晶圆的背面,以及,在一第二步骤中,抛光该半导体晶圆的正面,其中系供应一pH値小于11.8的抛光剂。本发明亦关于一种用于抛光半导体晶圆设备的抛光垫,包含一含研磨物的层、一由硬塑胶所构成的层以及一应力缓冲非织造层,其中该等层系借由一压感黏着层彼此黏合。

10. 发明专利

TW201117281A 拋光半導體晶圓的方法 METHOD FOR POLISHING A SEMICONDUCTOR WAFER 失效
简体标题：抛光半导体晶圆的方法 METHOD FOR POLISHING A SEMICONDUCTOR WAFER
公开(公告)号：TW201117281A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW099134364
申请日：2010-10-08
申请人：世創電子材料公司
发明人：史卻汪德納尤爾根 , 巴士察哈德湯瑪士 , 寇伯特羅蘭
IPC分类号： H01L , B24B
CPC分类号： B24B1/00 , H01L21/02024
摘要：一種拋光半導體晶圓的方法，其包括用固定在拋光板上的且包含固結磨料的拋光墊拋光該半導體晶圓的一面，同時將拋光劑引入到該半導體晶圓要拋光的那面與該拋光墊之間，其中在拋光期間藉由一固定系統固定該半導體晶圓，該固定系統被安裝在載體上且包括具有容納該半導體晶圓的尺寸的襯裏切口，藉由不拋光那面的黏附力使該半導體晶圓容納在該切口中，並且操縱該載體使得該半導體晶圓的部分表面在拋光期間暫時突出在拋光墊的表面之外。
简体摘要：一种抛光半导体晶圆的方法，其包括用固定在抛光板上的且包含固结磨料的抛光垫抛光该半导体晶圆的一面，同时将抛光剂引入到该半导体晶圆要抛光的那面与该抛光垫之间，其中在抛光期间借由一固定系统固定该半导体晶圆，该固定系统被安装在载体上且包括具有容纳该半导体晶圆的尺寸的衬里切口，借由不抛光那面的黏附力使该半导体晶圆容纳在该切口中，并且操纵该载体使得该半导体晶圆的部分表面在抛光期间暂时突出在抛光垫的表面之外。

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