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21. 发明专利

TW201807511A 半導體製造用處理液及圖案形成方法审中-公开
简体标题：半导体制造用处理液及图案形成方法
公开(公告)号：TW201807511A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106110698
申请日：2017-03-30
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA , 清水哲也 , SHIMIZU, TETSUYA , 村山哲 , MURAYAMA, SATORU
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/40 , C11D3/26 , C11D7/32 , C11D11/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/32 , H01L21/304
摘要：本發明的目的在於提供一種可減少含有金屬原子的顆粒的產生且可形成良好的圖案的半導體製造用處理液及圖案形成方法。本發明的實施形態的半導體製造用處理液包含通式（N）所表示的四級銨化合物；選自由陰離子界面活性劑、非離子界面活性劑、陽離子界面活性劑、及螯合劑所組成的群組中的至少一種添加劑；以及水。所述半導體製造用處理液包含選自由Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、及Zn所組成的群組中的一種或兩種以上的金屬原子，且相對於前期添加劑的總質量與所述金屬原子的總質量的合計，所述金屬原子的總質量為1質量ppt～1質量ppm。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种可减少含有金属原子的颗粒的产生且可形成良好的图案的半导体制造用处理液及图案形成方法。本发明的实施形态的半导体制造用处理液包含通式（N）所表示的四级铵化合物；选自由阴离子界面活性剂、非离子界面活性剂、阳离子界面活性剂、及螯合剂所组成的群组中的至少一种添加剂；以及水。所述半导体制造用处理液包含选自由Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、及Zn所组成的群组中的一种或两种以上的金属原子，且相对于前期添加剂的总质量与所述金属原子的总质量的合计，所述金属原子的总质量为1质量ppt～1质量ppm。

22. 发明专利

TW201807492A 矽倍半氧烷樹脂及胺組成物审中-公开
简体标题：硅倍半氧烷树脂及胺组成物
公开(公告)号：TW201807492A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106114418
申请日：2017-05-01
申请人：道康寧公司 , DOW CORNING CORPORATION
发明人：傅鵬飛 , FU, PENG-FEI , 張元凡 , JANG, WONBUM
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/075 , G03F7/039 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： C07F7/21 , C08K5/04 , C08L83/06
摘要：一種含矽倍半氧烷之組成物，其包含矽倍半氧烷樹脂及具有式(II)之胺(oxaamine)(參見說明書)；由該組成物製備之產物；光阻劑組成物，其包含該含矽倍半氧烷之組成物及光酸產生劑；由該光阻劑組成物製備之產物；製備並使用其等之方法；以及含有其等之製成物品及半導體裝置。
简体摘要：一种含硅倍半氧烷之组成物，其包含硅倍半氧烷树脂及具有式(II)之胺(oxaamine)(参见说明书)；由该组成物制备之产物；光阻剂组成物，其包含该含硅倍半氧烷之组成物及光酸产生剂；由该光阻剂组成物制备之产物；制备并使用其等之方法；以及含有其等之制成物品及半导体设备。

23. 发明专利

TW201800847A 平坦化膜的製造方法、感光化射線性或感放射線性平坦化膜形成用組成物、平坦化膜及電子器件的製造方法审中-公开
简体标题：平坦化膜的制造方法、感光化射线性或感放射线性平坦化膜形成用组成物、平坦化膜及电子器件的制造方法
公开(公告)号：TW201800847A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106104819
申请日：2017-02-15
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：米久田康智 , YONEKUTA, YASUNORI , 越島康介 , KOSHIJIMA, KOSUKE
IPC分类号： G03F7/004 , C08G8/10 , C08F12/24 , C08F212/32 , C08F220/28 , G03F7/038 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/09 , G03F7/20 , H01L21/027
摘要：本發明提供一種能夠形成平坦性優異之平坦化膜之平坦化膜的製造方法、感光化射線性或感放射線性平坦化膜形成用組成物、平坦化膜及電子器件的製造方法。平坦化膜的製造方法具有：製程A，使用含有樹脂（A）及光酸產生劑（B）之組成物，在段差基板上形成膜；製程B，經由在與段差基板的凸部對應之位置配置之遮罩，對膜進行曝光；及製程C，使用顯影液來去除設置於段差基板的凸部上之膜的至少一部分，從而得到平坦化膜，使用上述組成物得到之試驗膜的γ值小於1000。
简体摘要：本发明提供一种能够形成平坦性优异之平坦化膜之平坦化膜的制造方法、感光化射线性或感放射线性平坦化膜形成用组成物、平坦化膜及电子器件的制造方法。平坦化膜的制造方法具有：制程A，使用含有树脂（A）及光酸产生剂（B）之组成物，在段差基板上形成膜；制程B，经由在与段差基板的凸部对应之位置配置之遮罩，对膜进行曝光；及制程C，使用显影液来去除设置于段差基板的凸部上之膜的至少一部分，从而得到平坦化膜，使用上述组成物得到之试验膜的γ值小于1000。

24. 发明专利

TWI604044B 界面活性劑及其製造與使用方法有权
简体标题：界面活性剂及其制造与使用方法
公开(公告)号：TWI604044B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW103102534
申请日：2014-01-23
申请人： 3M新設資產公司 , 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY
发明人：拉馬納威廉馬力歐 , LAMANNA, WILLIAM MARIO , 沙維派翠西亞瑪莉 , SAVU, PATRICIA MARIE , 奇瑞恩傑森麥克 , KEHREN, JASON MICHAEL
IPC分类号： C11D1/00 , G03F7/32
CPC分类号： C11D11/0047 , C07C303/36 , C07C311/00 , C08F14/18 , C08F290/062 , C08F290/065 , C11D1/004 , C11D1/83 , G03F7/40 , G03F7/42 , G03F7/426

25. 发明专利

TW201738668A 顯影方法、顯影裝置及電腦可讀取之記錄媒體审中-公开
简体标题：显影方法、显影设备及电脑可读取之记录媒体
公开(公告)号：TW201738668A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106127197
申请日：2015-07-20
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：井關智弘 , ISEKI,TOMOHIRO , 竹口博史 , TAKEGUCHI,HIROFUMI , 寺下裕一 , TERASHITA,YUICHI
IPC分类号： G03F7/32
CPC分类号： G03F7/32 , B05D1/005 , G03F7/3021 , G06F19/00 , H01L21/6715
摘要：一種顯影方法係將配置在基板之表面上且已曝光之光阻膜加以顯影而形成光阻圖案，該顯影方法包含以下步驟：使前述基板環繞沿著與保持水平之基板的表面直交之方向延伸的旋轉軸旋轉；由位於前述基板上方之吐出口供給顯影液至前述光阻膜上，使前述顯影液遍布於前述光阻膜之表面上；及將具有與前述基板的表面對向之對向面的接觸液體構件，配置在前述基板的表面中由前述吐出口先行供給前述顯影液之區域的先行區域之上方。
简体摘要：一种显影方法系将配置在基板之表面上且已曝光之光阻膜加以显影而形成光阻图案，该显影方法包含以下步骤：使前述基板环绕沿着与保持水平之基板的表面直交之方向延伸的旋转轴旋转；由位于前述基板上方之吐出口供给显影液至前述光阻膜上，使前述显影液遍布于前述光阻膜之表面上；及将具有与前述基板的表面对向之对向面的接触液体构件，配置在前述基板的表面中由前述吐出口先行供给前述显影液之区域的先行区域之上方。

26. 发明专利

TW201736970A 光阻圖案形成方法审中-公开
简体标题：光阻图案形成方法
公开(公告)号：TW201736970A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106102380
申请日：2017-01-23
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：星野学 , HOSHINO, MANABU
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/027
摘要：本發明之目的，係使用光阻組成物而良好地形成形成清晰的光阻圖案，其中該光阻組成物係含有使用作為主鏈切斷型的正型光阻時能夠抑制光阻圖案產生倒塌之聚合物。本發明的光阻圖案形成方法，其特徵在於包含下列步驟：使用含有具有下述通式(I)表示的單體單元(A)及通式(II)表示的單體單元(B)且單體單元(A)及單體單元(B)的至少一方含有具有1個以上的氟原子之聚合物之正型光阻組成物而形成光阻膜之步驟；曝光步驟；及顯影步驟；且使用表面張力為17mN/m以下的顯影液進行顯影。
简体摘要：本发明之目的，系使用光阻组成物而良好地形成形成清晰的光阻图案，其中该光阻组成物系含有使用作为主链切断型的正型光阻时能够抑制光阻图案产生倒塌之聚合物。本发明的光阻图案形成方法，其特征在于包含下列步骤：使用含有具有下述通式(I)表示的单体单元(A)及通式(II)表示的单体单元(B)且单体单元(A)及单体单元(B)的至少一方含有具有1个以上的氟原子之聚合物之正型光阻组成物而形成光阻膜之步骤；曝光步骤；及显影步骤；且使用表面张力为17mN/m以下的显影液进行显影。

27. 发明专利

TW201734064A 高分子化合物、負型光阻組成物、疊層體、圖案形成方法及化合物审中-公开
简体标题：高分子化合物、负型光阻组成物、叠层体、图案形成方法及化合物
公开(公告)号：TW201734064A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106102306
申请日：2017-01-23
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：土門大將 , DOMON, DAISUKE , 長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI , 增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 小竹正晃 , KOTAKE, MASAAKI
IPC分类号： C08F212/14 , C08F220/30 , G03F7/038 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： C08F212/14 , C07C381/12 , C08F220/18 , C08F220/24 , C08F220/30 , C08F2220/301 , C08F2500/03 , C08F2800/10 , G03F1/00 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0382
摘要：本發明提供達成50nm以下之高解像性、小的LER且缺陷之發生非常少之負型光阻組成物中使用的高分子化合物、使用了此高分子化合物之負型光阻組成物、及使用了此負型光阻組成物之圖案形成方法。一種高分子化合物，含有下列通式(1)表示之重複單元； [化學式1]
简体摘要：本发明提供达成50nm以下之高解像性、小的LER且缺陷之发生非常少之负型光阻组成物中使用的高分子化合物、使用了此高分子化合物之负型光阻组成物、及使用了此负型光阻组成物之图案形成方法。一种高分子化合物，含有下列通式(1)表示之重复单元； [化学式1]

28. 发明专利

TWI599843B 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、使用該組成物的感光化射線性或感放射線性膜及圖案形成方法、以及電子元件的製造方法及電子元件有权
简体标题：感光化射线性或感放射线性树脂组成物、使用该组成物的感光化射线性或感放射线性膜及图案形成方法、以及电子组件的制造方法及电子组件
公开(公告)号：TWI599843B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW104111797
申请日：2015-04-13
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：後藤硏由 , GOTO, AKIYOSHI , 白川三千紘 , SHIRAKAWA, MICHIHIRO , 加藤啓太 , KATO, KEITA , 吉野文博 , YOSHINO, FUMIHIRO , 山本慶 , YAMAMOTO, KEI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/028 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , C07C309/06 , C07C381/12 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2006 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0274

29. 发明专利

TW201732436A 圖案形成方法、電子裝置的製造方法及積層體审中-公开
简体标题：图案形成方法、电子设备的制造方法及积层体
公开(公告)号：TW201732436A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105131197
申请日：2016-09-29
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：福原敏明 , FUKUHARA, TOSHIAKI , 畠山直也 , HATAKEYAMA, NAOYA , 山本慶 , YAMAMOTO, KEI
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/11 , G03F7/32 , H01L21/027
摘要：根據本發明，提供一種圖案形成方法、電子裝置的製造方法及積層體，所述圖案形成方法包括：（a）藉由感光化射線性或感放射線性樹脂組成物形成感光化射線性或感放射線性膜的步驟、（b）於感光化射線性或感放射線性膜上藉由包含交聯劑的上層膜形成用組成物形成上層膜的步驟、（c）對感光化射線性或感放射線性膜進行曝光的步驟、以及（d）利用顯影液對經曝光的感光化射線性或感放射線性膜進行顯影的步驟，所述積層體包含感光化射線性或感放射線性膜及上層膜，所述感光化射線性或感放射線性膜包含含有具有芳香環的重複單元的樹脂，且上層膜相對於所述上層膜的總質量而包含1質量%～40質量%以下的並不藉由光化射線或放射線而產生酸的分子量5000以下的化合物（Q）。
简体摘要：根据本发明，提供一种图案形成方法、电子设备的制造方法及积层体，所述图案形成方法包括：（a）借由感光化射线性或感放射线性树脂组成物形成感光化射线性或感放射线性膜的步骤、（b）于感光化射线性或感放射线性膜上借由包含交联剂的上层膜形成用组成物形成上层膜的步骤、（c）对感光化射线性或感放射线性膜进行曝光的步骤、以及（d）利用显影液对经曝光的感光化射线性或感放射线性膜进行显影的步骤，所述积层体包含感光化射线性或感放射线性膜及上层膜，所述感光化射线性或感放射线性膜包含含有具有芳香环的重复单元的树脂，且上层膜相对于所述上层膜的总质量而包含1质量%～40质量%以下的并不借由光化射线或放射线而产生酸的分子量5000以下的化合物（Q）。

30. 发明专利

TWI597587B 使用抑制微細構造體的圖案崩塌用之處理液的微細構造體的製造方法有权
简体标题：使用抑制微细构造体的图案崩塌用之处理液的微细构造体的制造方法
公开(公告)号：TWI597587B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW100131104
申请日：2011-08-30
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：松永裕嗣 , MATSUNAGA, HIROSHI , 大戶秀 , OHTO, MASARU
IPC分类号： G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/40 , B81B2203/0361 , B81C1/00111 , B81C1/00849 , H01L21/0206 , H01L21/02068

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