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1. 发明专利

TW201638124A 聚合物及正型光阻組合物审中-公开
简体标题：聚合物及正型光阻组合物
公开(公告)号：TW201638124A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105104872
申请日：2016-02-19
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：星野学 , HOSHINO, MANABU
IPC分类号： C08F212/08 , C08F220/14 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/039 , C08F212/08 , C08F212/12 , C08F220/22 , C08F2500/01 , C08F2500/03 , C09D125/14
摘要：本發明的目的係提供可良好的使用作為游離放射線等的照射量低的狀態下的減膜率低的的正型光阻，以及可良好的形成高解析度的圖案的正型光阻組合物。本發明的聚合物係包含有α-甲基苯乙烯單元以及α-氯丙烯酸甲酯單元，分子量為未滿6000的成分的比例為0.5%以下。此外，本發明的正型光阻組合物係包含上述的聚合物及溶劑。
简体摘要：本发明的目的系提供可良好的使用作为游离放射线等的照射量低的状态下的减膜率低的的正型光阻，以及可良好的形成高分辨率的图案的正型光阻组合物。本发明的聚合物系包含有α-甲基苯乙烯单元以及α-氯丙烯酸甲酯单元，分子量为未满6000的成分的比例为0.5%以下。此外，本发明的正型光阻组合物系包含上述的聚合物及溶剂。

2. 发明专利

TWI686413B 聚合物及正型光阻組合物有权
简体标题：聚合物及正型光阻组合物
公开(公告)号：TWI686413B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW105104875
申请日：2016-02-19
申请人：日商日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：星野学 , HOSHINO, MANABU
IPC分类号： C08F212/12 , C08F220/22 , G03F7/039

3. 发明专利

TW201739773A 聚合物、正型光阻組合物及光阻圖案形成方法审中-公开
简体标题：聚合物、正型光阻组合物及光阻图案形成方法
公开(公告)号：TW201739773A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106102386
申请日：2017-01-23
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：星野学 , HOSHINO, MANABU
IPC分类号： C08F220/10 , C08F212/04 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： C08F212/04 , C08F220/22 , G03F7/039
摘要：本發明的種聚合物，其特徵在於：具有：下述通式(I)所示單體單元(A)；及下述通式(II)所示單體單元(B)，單體單元(A)及前述單體單元(B)的至少一方具有1個以上的氟原子。再者，式(I)中，R1係氯原子、氟原子或以氟原子取代的烷基，R2係非取代的烷基或以氟原子取代的烷基，R3~R6、R8係氫原子、氟原子、非取代的烷基或以氟原子取代的烷基，R7係氫原子、非取代的烷基或以氟原子取代的烷基，p及q係0以上5以下的整數，p+q=5。
简体摘要：本发明的种聚合物，其特征在于：具有：下述通式(I)所示单体单元(A)；及下述通式(II)所示单体单元(B)，单体单元(A)及前述单体单元(B)的至少一方具有1个以上的氟原子。再者，式(I)中，R1系氯原子、氟原子或以氟原子取代的烷基，R2系非取代的烷基或以氟原子取代的烷基，R3~R6、R8系氢原子、氟原子、非取代的烷基或以氟原子取代的烷基，R7系氢原子、非取代的烷基或以氟原子取代的烷基，p及q系0以上5以下的整数，p+q=5。

4. 发明专利

TW201638126A 聚合物及正型光阻組合物审中-公开
简体标题：聚合物及正型光阻组合物
公开(公告)号：TW201638126A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105104877
申请日：2016-02-19
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：星野学 , HOSHINO, MANABU
IPC分类号： C08F212/12 , C08F220/22 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/039 , C08F212/08 , C08F212/12 , G03F7/20 , C08F220/22
摘要：本發明的目的係提供可良好的使用作為γ值高的正型光阻的聚合物，以及可良好的形成高解析度的圖案的正型光阻組合物。本發明的聚合物含有α-甲基苯乙烯單元以及α-氯丙烯酸甲酯單元，分子量分布(Mw/Mn)為未滿1.48。此外，本發明的正型光阻組合物包含該聚合物及溶劑。
简体摘要：本发明的目的系提供可良好的使用作为γ值高的正型光阻的聚合物，以及可良好的形成高分辨率的图案的正型光阻组合物。本发明的聚合物含有α-甲基苯乙烯单元以及α-氯丙烯酸甲酯单元，分子量分布(Mw/Mn)为未满1.48。此外，本发明的正型光阻组合物包含该聚合物及溶剂。

5. 发明专利

TW201639894A 聚合物及正型光阻組合物审中-公开
简体标题：聚合物及正型光阻组合物
公开(公告)号：TW201639894A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105104876
申请日：2016-02-19
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：星野学 , HOSHINO, MANABU
IPC分类号： C08F212/12 , C08F220/22 , G03F7/039
CPC分类号： C08F212/06 , C08F220/22 , G03F7/039 , G03F7/20
摘要：本發明的目的係提供可良好的使用作為抑制拖尾、且未曝光部分對顯影液的耐溶解性可充分確保的正型光阻，以及可效率良好地形成高解析度的圖案的正型光阻組合物。本發明的聚合物係包含有α-甲基苯乙烯單元以及α-氯丙烯酸甲酯單元，分子量分布(Mw/Mn)為未滿1.25，分子量未滿6000的成分的比例為超過0.5%且5.0%以下。此外，本發明的正型光阻組合物係包含上述的聚合物及溶劑。
简体摘要：本发明的目的系提供可良好的使用作为抑制拖尾、且未曝光部分对显影液的耐溶解性可充分确保的正型光阻，以及可效率良好地形成高分辨率的图案的正型光阻组合物。本发明的聚合物系包含有α-甲基苯乙烯单元以及α-氯丙烯酸甲酯单元，分子量分布(Mw/Mn)为未满1.25，分子量未满6000的成分的比例为超过0.5%且5.0%以下。此外，本发明的正型光阻组合物系包含上述的聚合物及溶剂。

6. 发明专利

TW201639893A 聚合物及正型光阻組合物审中-公开
简体标题：聚合物及正型光阻组合物
公开(公告)号：TW201639893A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105104875
申请日：2016-02-19
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：星野学 , HOSHINO, MANABU
IPC分类号： C08F212/12 , C08F220/22 , G03F7/039
CPC分类号： C08F212/06 , C08F220/22 , G03F7/039 , G03F7/20
摘要：本發明的目的係提供可良好的使用作為充分抑制拖尾、且靈敏度高的正型光阻的聚合物，以及可效率良好地形成高解析度的光阻圖案的正型光阻組合物。本發明的聚合物係包含有α-甲基苯乙烯單元以及α-氯丙烯酸甲酯單元，分子量分布(Mw/Mn)為未滿1.25，分子量未滿6000的成分的比例為超過0.5%，此外，本發明的正型光阻組合物係包含上述的聚合物及溶劑。
简体摘要：本发明的目的系提供可良好的使用作为充分抑制拖尾、且灵敏度高的正型光阻的聚合物，以及可效率良好地形成高分辨率的光阻图案的正型光阻组合物。本发明的聚合物系包含有α-甲基苯乙烯单元以及α-氯丙烯酸甲酯单元，分子量分布(Mw/Mn)为未满1.25，分子量未满6000的成分的比例为超过0.5%，此外，本发明的正型光阻组合物系包含上述的聚合物及溶剂。

7. 发明专利

TW201630950A 聚合物及正型光阻組合物审中-公开
简体标题：聚合物及正型光阻组合物
公开(公告)号：TW201630950A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105104873
申请日：2016-02-19
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：星野学 , HOSHINO, MANABU
IPC分类号： C08F212/08 , C08F220/22 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/039 , C08F212/08 , C08F212/12 , C08F220/22 , C09D125/14
摘要：本發明的目的係提供可良好的使用作為高靈敏度正型光阻的聚合物，以及可良好的形成靈敏度優異的光阻膜的正型光阻組合物。本發明的聚合物係包含α-甲基苯乙烯單元以及α-氯丙烯酸甲酯單元，分子量超過80000的成分的比例為6.0%以下。此外，本發明的正型光阻組合物係包含該聚合物及溶劑。
简体摘要：本发明的目的系提供可良好的使用作为高灵敏度正型光阻的聚合物，以及可良好的形成灵敏度优异的光阻膜的正型光阻组合物。本发明的聚合物系包含α-甲基苯乙烯单元以及α-氯丙烯酸甲酯单元，分子量超过80000的成分的比例为6.0%以下。此外，本发明的正型光阻组合物系包含该聚合物及溶剂。

8. 发明专利

TW201612200A 架橋性樹脂成形體、架橋樹脂成形體以及層積體审中-公开
简体标题：架桥性树脂成形体、架桥树脂成形体以及层积体
公开(公告)号：TW201612200A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104126953
申请日：2015-08-19
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：星野学 , HOSHINO, MANABU , 吉原眞紀 , YOSHIHARA, MASANORI
IPC分类号： C08F34/00 , C08J3/24 , B32B27/32
CPC分类号： B32B27/00 , B32B27/16 , C08J3/24 , C08L65/00
摘要：本發明提供一種架橋性樹脂成形體，含有架橋性環烯烴聚合物以及架橋劑，其特徵在於前述架橋性環烯烴聚合物為藉由單體混合物的開環聚合反應而得、且重量平均分子量為5,000~20,000的聚合物，前述單體混合物包含：分子內具有1個以上的移位變化聚合性雙鍵、且不具架橋性基的環烯烴單體(A)，以及分子內具有1個以上的移位變化聚合性雙鍵、且具有(甲基)丙烯醯氧基的環烯烴單體(B)。如依本發明，提供一種架橋性樹脂成形體，能夠用以提供玻璃轉移溫度高且耐氧化性優良的架橋樹脂成形體，且其加熱時的流動性優良；並且提供藉由將此架橋性樹脂成形體架橋所得的架橋樹脂成形體，以及具有此架橋樹脂成形體所構成的層之層積體。
简体摘要：本发明提供一种架桥性树脂成形体，含有架桥性环烯烃聚合物以及架桥剂，其特征在于前述架桥性环烯烃聚合物为借由单体混合物的开环聚合反应而得、且重量平均分子量为5,000~20,000的聚合物，前述单体混合物包含：分子内具有1个以上的移位变化聚合性双键、且不具架桥性基的环烯烃单体(A)，以及分子内具有1个以上的移位变化聚合性双键、且具有(甲基)丙烯酰氧基的环烯烃单体(B)。如依本发明，提供一种架桥性树脂成形体，能够用以提供玻璃转移温度高且耐氧化性优良的架桥树脂成形体，且其加热时的流动性优良；并且提供借由将此架桥性树脂成形体架桥所得的架桥树脂成形体，以及具有此架桥树脂成形体所构成的层之层积体。

9. 发明专利

TWI689522B 聚合物及正型光阻組合物有权
简体标题：聚合物及正型光阻组合物
公开(公告)号：TWI689522B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW105104876
申请日：2016-02-19
申请人：日商日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：星野学 , HOSHINO, MANABU
IPC分类号： C08F212/12 , C08F220/22 , G03F7/039

10. 发明专利

TW201736970A 光阻圖案形成方法审中-公开
简体标题：光阻图案形成方法
公开(公告)号：TW201736970A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106102380
申请日：2017-01-23
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：星野学 , HOSHINO, MANABU
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/027
摘要：本發明之目的，係使用光阻組成物而良好地形成形成清晰的光阻圖案，其中該光阻組成物係含有使用作為主鏈切斷型的正型光阻時能夠抑制光阻圖案產生倒塌之聚合物。本發明的光阻圖案形成方法，其特徵在於包含下列步驟：使用含有具有下述通式(I)表示的單體單元(A)及通式(II)表示的單體單元(B)且單體單元(A)及單體單元(B)的至少一方含有具有1個以上的氟原子之聚合物之正型光阻組成物而形成光阻膜之步驟；曝光步驟；及顯影步驟；且使用表面張力為17mN/m以下的顯影液進行顯影。
简体摘要：本发明之目的，系使用光阻组成物而良好地形成形成清晰的光阻图案，其中该光阻组成物系含有使用作为主链切断型的正型光阻时能够抑制光阻图案产生倒塌之聚合物。本发明的光阻图案形成方法，其特征在于包含下列步骤：使用含有具有下述通式(I)表示的单体单元(A)及通式(II)表示的单体单元(B)且单体单元(A)及单体单元(B)的至少一方含有具有1个以上的氟原子之聚合物之正型光阻组成物而形成光阻膜之步骤；曝光步骤；及显影步骤；且使用表面张力为17mN/m以下的显影液进行显影。

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