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21. 发明专利

TWI490380B 半導體晶體生長系統中之反向動作直徑控制有权
简体标题：半导体晶体生长系统中之反向动作直径控制
公开(公告)号：TWI490380B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW098121376
申请日：2009-06-25
申请人：勝高鳳凰城股份有限公司 , SUMCO PHOENIX CORPORATION , 勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：歐夏畢諾 , ORSCHEL, BENNO , 西元學 , NISHIMOTO, MANABU
IPC分类号： C30B15/20 , C30B35/00
CPC分类号： C30B15/22 , C30B15/203 , C30B29/06 , Y10T117/1008

22. 发明专利

TWI460768B 改良元件產率之移送室的測量方法有权
简体标题：改良组件产率之移送室的测量方法
公开(公告)号：TWI460768B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW100133047
申请日：2011-09-14
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：布爾大衛P , BOUR, DAVID P. , 杜布斯特艾倫 , DUBOUST, ALAIN , 哥德阿列希 , GODER, ALEXEY
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/00 , H01L21/66
CPC分类号： H01L33/0075 , C30B25/16 , C30B29/40 , G01K11/20 , G01K2217/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/67196 , H01L21/67248 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/32 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008

23. 发明专利

TWI447271B 控制單晶矽碇之成長程序的方法與裝置有权
简体标题：控制单晶硅碇之成长进程的方法与设备
公开(公告)号：TWI447271B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW099119923
申请日：2010-06-18
申请人：勝高鳳凰城股份有限公司 , SUMCO PHOENIX CORPORATION , 勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：歐夏畢諾 , ORSCHEL, BENNO , 高梨啟一 , TAKANASHI, KEIICHI
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/26 , G01B11/08 , G06T7/12 , G06T2207/30148 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008

24. 发明专利

TWI438313B 用於監控晶體生長狀態的方法及探測系統與可以監控晶體生長狀態的設備有权
简体标题：用于监控晶体生长状态的方法及探测系统与可以监控晶体生长状态的设备
公开(公告)号：TWI438313B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：TW100146828
申请日：2011-12-16
申请人：志聖工業股份有限公司 , C SUN MFG. LTD.
发明人：謝佳穎 , HSIEH, CHIA YING , 張祁豪 , CHANG, CHI HAO , 扈醒華 , HU, HSIN HWA
IPC分类号： C30B35/00
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/006 , C30B28/06 , C30B29/06 , G01F23/226 , Y10T117/1008

25. 发明专利

TW201326478A 用於監控晶體生長狀態的方法及探測系統與可以監控晶體生長狀態的設備审中-公开
简体标题：用于监控晶体生长状态的方法及探测系统与可以监控晶体生长状态的设备
公开(公告)号：TW201326478A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW100146828
申请日：2011-12-16
申请人：志聖工業股份有限公司 , C SUN MFG. LTD.
发明人：謝佳穎 , HSIEH, CHIA YING , 張祁豪 , CHANG, CHI HAO , 扈醒華 , HU, HSIN HWA
IPC分类号： C30B35/00
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/006 , C30B28/06 , C30B29/06 , G01F23/226 , Y10T117/1008
摘要：一種用於監控晶體生長狀態的方法，係在晶體生長過程中即時測量固-液界面的多個量測點的高度以計算出固-液界面的形狀，並依據所得資訊優化製程參數，使固-液界面在晶體生長過程保持中央凸起的形狀並具有預定的曲率，可以提高長晶品質及排雜能力從而提高晶碇的成品良率。
简体摘要：一种用于监控晶体生长状态的方法，系在晶体生长过程中实时测量固-液界面的多个量测点的高度以计算出固-液界面的形状，并依据所得信息优化制程参数，使固-液界面在晶体生长过程保持中央凸起的形状并具有预定的曲率，可以提高长晶品质及排杂能力从而提高晶碇的成品良率。

26. 发明专利

TWI363374B 用於薄膜長晶之單一掃描輻射 SINGLE SCAN IRRADIATION FOR CRYSTALLIZATION OF THIN FILMS 失效
简体标题：用于薄膜长晶之单一扫描辐射 SINGLE SCAN IRRADIATION FOR CRYSTALLIZATION OF THIN FILMS
公开(公告)号：TWI363374B
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW093128437
申请日：2004-09-20
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會
发明人：埃恩詹姆士S , 凡達維特保羅克利斯堤安
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C30B35/00 , B23K26/066 , C30B13/24 , C30B28/08 , G03F7/70041 , G03F7/70725 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1008
摘要：一種在基材上處理多晶系膜之方法，該方法包括產生複數個雷射束脈衝，將該膜定位於能在至少一方向移動之支撐件上，導引該等複數個雷射束脈衝通過一遮罩，以產生圖案化雷射束；各該等光束均具有長度l’、寬度w’及介於相鄰光束間之間距d’，以經該圖案化光束輻射該膜的一區域，該等光束具有之強度足以熔化該膜的一受輻射部份，以導致該膜之受輻射部份結晶，其中該膜區域係受輻射n次；且在各膜部份之輻射後，在x及y方向轉移該膜或遮罩(或二者)一距離，其中在y方向轉移之距離係在約l’/n-δ之範圍中，其中δ係一經選定以在從一輻射步驟至次一步驟時使該等子束形成重疊之值，且其中在x方向中轉移之距離係經選擇，以使該膜在n次輻射後移動約λ’之距離，其中λ’=w’+d’。
简体摘要：一种在基材上处理多晶系膜之方法，该方法包括产生复数个激光束脉冲，将该膜定位于能在至少一方向移动之支撑件上，导引该等复数个激光束脉冲通过一遮罩，以产生图案化激光束；各该等光束均具有长度l’、宽度w’及介于相邻光束间之间距d’，以经该图案化光束辐射该膜的一区域，该等光束具有之强度足以熔化该膜的一受辐射部份，以导致该膜之受辐射部份结晶，其中该膜区域系受辐射n次；且在各膜部份之辐射后，在x及y方向转移该膜或遮罩(或二者)一距离，其中在y方向转移之距离系在约l’/n-δ之范围中，其中δ系一经选定以在从一辐射步骤至次一步骤时使该等子束形成重叠之值，且其中在x方向中转移之距离系经选择，以使该膜在n次辐射后移动约λ’之距离，其中λ’=w’+d’。

27. 发明专利

TWI354717B 單結晶製造裝置及方法有权
简体标题：单结晶制造设备及方法
公开(公告)号：TWI354717B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：TW096128180
申请日：2007-08-01
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司
发明人：飯田哲広 , 松隈伸
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/20 , C30B15/14 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
摘要：本發明係使用複數層加熱器的捷可拉斯基單結晶製造裝置，將改善結晶直徑的控制性。為控制結晶直徑而操控拉晶速度。為使拉晶速度能接近既定速度設定值，且使加熱器溫度接近既定溫度目標值，便操控複數層加熱器(16,18)的功率。加熱器(16,18)的功率比率係控制呈與既定功率比率設定值一致狀態。功率比率設定值係配合結晶拉晶長度而進行變化，並隨該變化而使加熱器溫度進行變化，此便將成為直徑控制的擾動。為將該擾動進行補償，便在決定溫度目標值基礎的溫度設定值中，追加隨功率比率設定值變化，所產生的加熱器溫度變化。所以，溫度設定值便將隨功率比率設定值的變化，而變化為適合目前功率比率設定值的數值。
简体摘要：本发明系使用复数层加热器的捷可拉斯基单结晶制造设备，将改善结晶直径的控制性。为控制结晶直径而操控拉晶速度。为使拉晶速度能接近既定速度设置值，且使加热器温度接近既定温度目标值，便操控复数层加热器(16,18)的功率。加热器(16,18)的功率比率系控制呈与既定功率比率设置值一致状态。功率比率设置值系配合结晶拉晶长度而进行变化，并随该变化而使加热器温度进行变化，此便将成为直径控制的扰动。为将该扰动进行补偿，便在决定温度目标值基础的温度设置值中，追加随功率比率设置值变化，所产生的加热器温度变化。所以，温度设置值便将随功率比率设置值的变化，而变化为适合目前功率比率设置值的数值。

28. 发明专利

TWI349048B 矽單晶之育成製程中的融液液面位置監視裝置有权
简体标题：硅单晶之育成制程中的融液液面位置监视设备
公开(公告)号：TWI349048B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：TW096118286
申请日：2007-05-23
申请人：上睦可股份有限公司
发明人：早川裕 , 前田德次
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1072
摘要：本發明係將使用CZ法之矽單晶之育成製程中的坩堝內的融液液面位置，以種晶沾附時的融液液面位置作為基準位置而予以監視，且在矽單晶之育成製程中，可算出因應所有狀況之融液的假定液面位置，所以可以高精度控制融液與熱遮蔽板或水冷體的間隔。此外，當融液的假定液面位置超過所設定的上限而接近熱遮蔽板時會發出警報，再者，與熱遮蔽板接觸或接近水冷體時，會依據需要而發出警報，同時坩堝的移動會強制地停止，因此，可將因融液與水冷體的接觸所導致之水蒸氣爆炸等的重大事故防患於未然。依此，可進行使用CZ法之矽單晶之育成裝置的安全操作之融液液面位置監視裝置得以廣泛地適用。
简体摘要：本发明系将使用CZ法之硅单晶之育成制程中的坩埚内的融液液面位置，以种晶沾附时的融液液面位置作为基准位置而予以监视，且在硅单晶之育成制程中，可算出因应所有状况之融液的假定液面位置，所以可以高精度控制融液与热屏蔽板或水冷体的间隔。此外，当融液的假定液面位置超过所设置的上限而接近热屏蔽板时会发出警报，再者，与热屏蔽板接触或接近水冷体时，会依据需要而发出警报，同时坩埚的移动会强制地停止，因此，可将因融液与水冷体的接触所导致之水蒸气爆炸等的重大事故防患于未然。依此，可进行使用CZ法之硅单晶之育成设备的安全操作之融液液面位置监视设备得以广泛地适用。

29. 发明专利

TWI337383B 閃光燈退火裝置及其曝光時間控制方法 FLASH LAMP ANNEALING DEVICE AND FLASH TIME CONTROL METHOD THEREFOR 有权
简体标题：闪光灯退火设备及其曝光时间控制方法 FLASH LAMP ANNEALING DEVICE AND FLASH TIME CONTROL METHOD THEREFOR
公开(公告)号：TWI337383B
公开(公告)日：2011-02-11
申请号：TW095128486
申请日：2006-08-03
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：田馥綱 , 洪瑞斌
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67115 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要：本發明提供一種閃光燈退火裝置，包括一加熱盤、一載具、一閃光燈組以及一控制電路。該加熱盤，用以加熱一受測材料至一預定溫度。該載具，設置於該加熱盤之上，用以裝載該受測材料。該閃光燈組，具有一個或多個的閃光燈，用以提供該受測材料一額定功率。該控制電路，耦接該閃光燈組，用以控制該閃光燈組的一曝光時間。
简体摘要：本发明提供一种闪光灯退火设备，包括一加热盘、一载具、一闪光灯组以及一控制电路。该加热盘，用以加热一受测材料至一预定温度。该载具，设置于该加热盘之上，用以装载该受测材料。该闪光灯组，具有一个或多个的闪光灯，用以提供该受测材料一额定功率。该控制电路，耦接该闪光灯组，用以控制该闪光灯组的一曝光时间。

30. 发明专利

TWI330254B 將至少一單結晶測量，對準及固定的方法與裝置 PROCESS AND DEVICE FOR THE MEASUREMENT,ALIGNMENT AND FIXATION OF AT LEAST A SINGLE CRYSTAL 失效
简体标题：将至少一单结晶测量，对准及固定的方法与设备 PROCESS AND DEVICE FOR THE MEASUREMENT,ALIGNMENT AND FIXATION OF AT LEAST A SINGLE CRYSTAL
公开(公告)号：TWI330254B
公开(公告)日：2010-09-11
申请号：TW094122678
申请日：2005-07-05
申请人：電氣工程製造批發有限公司
发明人：漢斯布拉達捷克 , 漢斯貝爾格 , 哈穆特許瓦伯
IPC分类号： G01N , C30B
CPC分类号： B28D5/0088 , G01N23/207 , Y10S117/902 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要：在將至少一單結晶測量，對準及固定時，在求出結晶圖方向性及作對準固定時，要能確保較高的準確性，而不受該單結晶的外部幾何性質影響，其中即使在很硬的材料例如藍寶石或碳化矽，這種固定作用也要能確保能作高度準確的切割。該單結晶(1)以可調整的方式定位在一轉枱(2)上以求出該結晶格的方向性，其中在轉枱(2)至少轉一周時，該結晶格方向性根據數個X光反射而求出。在單結晶(1)固定前以及固定在一個與參考方向對準的載體(18)上之前，單結晶的對準作用係用該結晶格平面法線對轉枱(2)的軸(X-X)(當作參考方向)交成之所求出的角度為之。如此，可將數個單結晶(1)對準、固定、上下互相重疊，然後同時與一共同載體(18)連接。此外在成功地固定在共同的載體(18)上後，可控制各單結晶(1)的朝向。
简体摘要：在将至少一单结晶测量，对准及固定时，在求出结晶图方向性及作对准固定时，要能确保较高的准确性，而不受该单结晶的外部几何性质影响，其中即使在很硬的材料例如蓝宝石或碳化硅，这种固定作用也要能确保能作高度准确的切割。该单结晶(1)以可调整的方式定位在一转台(2)上以求出该结晶格的方向性，其中在转台(2)至少转一周时，该结晶格方向性根据数个X光反射而求出。在单结晶(1)固定前以及固定在一个与参考方向对准的载体(18)上之前，单结晶的对准作用系用该结晶格平面法线对转台(2)的轴(X-X)(当作参考方向)交成之所求出的角度为之。如此，可将数个单结晶(1)对准、固定、上下互相重叠，然后同时与一共同载体(18)连接。此外在成功地固定在共同的载体(18)上后，可控制各单结晶(1)的朝向。

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