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1. 发明专利

TWI560154B 在矽熔體的表面上達成持續的非等向性晶體成長的裝置和方法有权
简体标题：在硅熔体的表面上达成持续的非等向性晶体成长的设备和方法
公开(公告)号：TWI560154B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW101147586
申请日：2012-12-14
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：梅克英特許布萊恩H , MACKINTOSH, BRIAN H. , 凱樂門彼得L , KELLERMAN, PETER L. , 孫大為 , SUN, DAWEI
IPC分类号： C03B15/00 , C03B29/06
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/06 , C30B29/06 , Y10T117/1008 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068

2. 发明专利

TWI548860B 測量裝置有权
简体标题：测量设备
公开(公告)号：TWI548860B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW104114715
申请日：2011-07-19
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：羅森蓋瑞J , ROSEN, GARY J. , 辛克萊法蘭克 , SINCLAIR, FRANK , 蘇考夫亞歷山大 , SOSKOV, ALEXANDER , 貝福詹姆士S , BUFF, JAMES S.
IPC分类号： G01B7/06 , C30B35/00
CPC分类号： C30B11/00 , B22D11/1206 , B22D11/143 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/36 , C30B29/406 , C30B29/64 , C30B35/00 , G01B7/105 , G01B7/107 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1032 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088

3. 发明专利

TWI519684B 在控制壓力下使用氦氣之高溫製程改良有权
简体标题：在控制压力下使用氦气之高温制程改良
公开(公告)号：TWI519684B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW099129604
申请日：2010-09-01
申请人： GTAT股份有限公司 , GTAT CORPORATION
发明人：舒密德佛德瑞克 , SCHMID, FREDERICK , 喬依斯大衛B , JOYCE, DAVID B. , 包伊雷特約翰 , BROUILLETTE, JOHN , 貝第丹尼爾 , BETTY, DANIEL , 菲爾帕特雷恩 , PHILPOTT, RYAN
IPC分类号： C30B11/00 , C30B17/00
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/00 , C30B11/02 , C30B15/00 , C30B17/00 , C30B29/20 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024

4. 发明专利

TWI460603B 在晶體成長期間修正實際與標稱拉升速度之間的速度偏差的方法有权
简体标题：在晶体成长期间修正实际与标称拉升速度之间的速度偏差的方法
公开(公告)号：TWI460603B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW099130677
申请日：2010-09-10
申请人：勝高鳳凰城股份有限公司 , SUMCO PHOENIX CORPORATION , 勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：歐夏畢諾 , ORSCHEL, BENNO , 高梨啟一 , TAKANASHI, KEIICHI
IPC分类号： G06F19/00 , C30B15/24
CPC分类号： C30B15/30 , C30B15/20 , G05B11/06 , Y10T117/1008

5. 发明专利

TWI445949B 藉由觀察晶圓上之磊晶層的生長而形成磊晶層於晶圓上之方法和生長磊晶層於晶圓上之設備有权
简体标题：借由观察晶圆上之磊晶层的生长而形成磊晶层于晶圆上之方法和生长磊晶层于晶圆上之设备
公开(公告)号：TWI445949B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW096140079
申请日：2007-10-25
申请人：雷森公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人：威廉賀克 , HOKE, WILLIAM E. , 希歐多爾甘迺迪 , KENNEDY, THEODORE D.
IPC分类号： G01N21/95 , C30B23/02 , C30B25/16
CPC分类号： G01N21/9501 , C30B23/02 , C30B35/00 , G01N21/4738 , G01N21/8422 , G01N21/951 , G01N2021/8416 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012

6. 发明专利

TWI435388B 薄膜之線性掃描連續橫向固化失效
简体标题：薄膜之线性扫描连续横向固化
公开(公告)号：TWI435388B
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：TW095143569
申请日：2006-11-24
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 , THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：埃恩詹姆士S , IM, JAMES S. , 偉特保羅C 凡迪爾 , WILT, PAUL C. VAN DER
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02686 , B23K26/0738 , C30B13/00 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008

7. 发明专利

TWI383072B 藉由捷可拉斯基法之單結晶拉引裝置內的液面位準測定方法有权
简体标题：借由捷可拉斯基法之单结晶拉引设备内的液面位准测定方法
公开(公告)号：TWI383072B
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：TW097123325
申请日：2008-06-23
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 , SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：林田寿男 , HAYASHIDA TOSHIO , 木原亞由美 , KIHARA AYUMI , 高見拓章 , TAKAMI TAKUAKI
IPC分类号： C30B15/26 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/26 , C30B15/14 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072

8. 发明专利

TWI346155B 具有洩漿導流結構之長晶爐失效
简体标题：具有泄浆导流结构之长晶炉
公开(公告)号：TWI346155B
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW097100177
申请日：2008-01-03
申请人：綠能科技股份有限公司
发明人：呂秀正 , 林和龍
IPC分类号： C30B , F27B
CPC分类号： C30B11/002 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024
摘要：本發明揭露一種具有洩漿導流結構之長晶爐，其中，於負載框體之底板四週向下垂設有四片長簷板，並將四支串連起來之V形簷溝槽對應設置於四片長簷板之下方。如此，當負載框體內之坩堝若有洩流的高溫熔融矽漿，將會先被導引順著長簷板流動並滴下並輾轉流至V形簷溝槽內，故可避免矽漿沿著桌板四周緣涎流至支撐柱使支撐柱斷裂，造成坩堝傾倒與矽漿氾濫。再於爐底蓋內增設收納皿以容裝大量洩流矽漿，並隔絕其流近支撐柱，除可保護支撐柱不受毀損外，亦可預防爐底蓋受融熔矽漿之熱衝擊而導致扭曲變形。
简体摘要：本发明揭露一种具有泄浆导流结构之长晶炉，其中，于负载框体之底板四周向下垂设有四片长檐板，并将四支串连起来之V形檐沟槽对应设置于四片长檐板之下方。如此，当负载框体内之坩埚若有泄流的高温熔融硅浆，将会先被导引顺着长檐板流动并滴下并辗转流至V形檐沟槽内，故可避免硅浆沿着桌板四周缘涎流至支撑柱使支撑柱断裂，造成坩埚倾倒与硅浆泛滥。再于炉底盖内增设收纳皿以容装大量泄流硅浆，并隔绝其流近支撑柱，除可保护支撑柱不受毁损外，亦可预防炉底盖受融熔硅浆之热冲击而导致扭曲变形。

9. 发明专利

TW200916615A 藉由捷可拉斯法之單結晶拉引裝置內的液面位準測定方法审中-公开
简体标题：借由捷可拉斯法之单结晶拉引设备内的液面位准测定方法
公开(公告)号：TW200916615A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097123325
申请日：2008-06-23
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：林田男 HAYASHIDA TOSHIO , 木原亞由美 KIHARA AYUMI , 高見拓章 TAKAMI TAKUAKI
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/26 , C30B15/14 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要： [課題]提供一種方法,根據拉引單結晶的育成條件,藉由從複數反射法中選擇最適的反射法,以確實且更容易地進行液面位準的測定。[解決手段]設定液面位準的尋求方式不同的複數種測定法,預先作成與熱遮蔽物及單結晶的外周面之間的某預定位置和與單結晶的外周面的間隔關聯的資訊,根據製造條件決定間隔,從資訊中選擇對應於決定的間隔之測定法,以選擇的測定法測定前述融液液面的液面位準。
简体摘要： [课题]提供一种方法,根据拉引单结晶的育成条件,借由从复数反射法中选择最适的反射法,以确实且更容易地进行液面位准的测定。[解决手段]设置液面位准的寻求方式不同的复数种测定法,预先作成与热屏蔽物及单结晶的外周面之间的某预定位置和与单结晶的外周面的间隔关联的信息,根据制造条件决定间隔,从信息中选择对应于决定的间隔之测定法,以选择的测定法测定前述融液液面的液面位准。

10. 发明专利

TW200834064A 在磊晶生長期間對於宏觀特徵之整個晶圓的連續、原位評估方法 METHOD FOR CONTINUOUS, IN SITU EVALUATION OF ENTIRE WAFERS FOR MACROSCOPIC FEATURES DURING EPITAXIAL GROWTH 审中-公开
简体标题：在磊晶生长期间对于宏观特征之整个晶圆的连续、原位评估方法 METHOD FOR CONTINUOUS, IN SITU EVALUATION OF ENTIRE WAFERS FOR MACROSCOPIC FEATURES DURING EPITAXIAL GROWTH
公开(公告)号：TW200834064A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096140079
申请日：2007-10-25
申请人：雷森公司 RAYTHEON COMPANY
发明人：威廉賀克 HOKE, WILLIAM E. , 希歐多爾甘迺迪 KENNEDY, THEODORE D.
IPC分类号： G01N , C23C , C30B
CPC分类号： G01N21/9501 , C30B23/02 , C30B35/00 , G01N21/4738 , G01N21/8422 , G01N21/951 , G01N2021/8416 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012
摘要：在晶圓上生長磊晶層及觀察磊晶層之生長的設備及方法。該設備包括:磊晶生長設備;光源,被安裝而在該晶圓之整個表面上的該磊晶層生長期間在該設備中照明該晶圓的該整個表面;以及觀察設備,用以在該晶圓之該整個表面上的該磊晶層生長期間觀察光自該晶圓之該整個表面的散射。該方法包括在該晶圓之表面上生長磊晶層,並在該晶圓之該整個表面上生長該磊晶層的期間,觀察光從該晶圓之該整個表面的散射。該生長製程按照該觀察而改變。有了氮化鎵(GaN)磊晶層,為鎵球而觀察該晶圓之該整個表面。
简体摘要：在晶圆上生长磊晶层及观察磊晶层之生长的设备及方法。该设备包括:磊晶生长设备;光源,被安装而在该晶圆之整个表面上的该磊晶层生长期间在该设备中照明该晶圆的该整个表面;以及观察设备,用以在该晶圆之该整个表面上的该磊晶层生长期间观察光自该晶圆之该整个表面的散射。该方法包括在该晶圆之表面上生长磊晶层,并在该晶圆之该整个表面上生长该磊晶层的期间,观察光从该晶圆之该整个表面的散射。该生长制程按照该观察而改变。有了氮化镓(GaN)磊晶层,为镓球而观察该晶圆之该整个表面。

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