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1. 发明专利

TWI480505B 氧化矽玻璃坩堝的評價方法、單晶矽的製造方法有权
简体标题：氧化硅玻璃坩埚的评价方法、单晶硅的制造方法
公开(公告)号：TWI480505B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW101140627
申请日：2012-11-01
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤忠広 , SATO, TADAHIRO , 北原賢 , KITAHARA, KEN , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO , 小玉真喜子 , KODAMA, MAKIKO
IPC分类号： G01B11/24 , C30B15/10 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/26 , C30B15/10 , C30B29/06 , G01B11/005 , G01B11/06 , G01B11/24 , G01B11/245 , G01J3/42 , G01J5/58

2. 发明专利

TWI383072B 藉由捷可拉斯基法之單結晶拉引裝置內的液面位準測定方法有权
简体标题：借由捷可拉斯基法之单结晶拉引设备内的液面位准测定方法
公开(公告)号：TWI383072B
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：TW097123325
申请日：2008-06-23
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 , SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：林田寿男 , HAYASHIDA TOSHIO , 木原亞由美 , KIHARA AYUMI , 高見拓章 , TAKAMI TAKUAKI
IPC分类号： C30B15/26 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/26 , C30B15/14 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072

3. 发明专利

TW200916615A 藉由捷可拉斯法之單結晶拉引裝置內的液面位準測定方法审中-公开
简体标题：借由捷可拉斯法之单结晶拉引设备内的液面位准测定方法
公开(公告)号：TW200916615A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097123325
申请日：2008-06-23
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：林田男 HAYASHIDA TOSHIO , 木原亞由美 KIHARA AYUMI , 高見拓章 TAKAMI TAKUAKI
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/26 , C30B15/14 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要： [課題]提供一種方法,根據拉引單結晶的育成條件,藉由從複數反射法中選擇最適的反射法,以確實且更容易地進行液面位準的測定。[解決手段]設定液面位準的尋求方式不同的複數種測定法,預先作成與熱遮蔽物及單結晶的外周面之間的某預定位置和與單結晶的外周面的間隔關聯的資訊,根據製造條件決定間隔,從資訊中選擇對應於決定的間隔之測定法,以選擇的測定法測定前述融液液面的液面位準。
简体摘要： [课题]提供一种方法,根据拉引单结晶的育成条件,借由从复数反射法中选择最适的反射法,以确实且更容易地进行液面位准的测定。[解决手段]设置液面位准的寻求方式不同的复数种测定法,预先作成与热屏蔽物及单结晶的外周面之间的某预定位置和与单结晶的外周面的间隔关联的信息,根据制造条件决定间隔,从信息中选择对应于决定的间隔之测定法,以选择的测定法测定前述融液液面的液面位准。

4. 发明专利

TWI620837B 將單晶直徑控制爲給定直徑的方法有权
简体标题：将单晶直径控制为给定直径的方法
公开(公告)号：TWI620837B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW103119693
申请日：2014-06-06
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：施洛克湯瑪斯
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B15/22 , C30B15/26 , C30B29/00 , C30B29/06

5. 发明专利

TW201617486A 控制在熔體成長的結晶片的厚度的裝置、方法及系統审中-公开
简体标题：控制在熔体成长的结芯片的厚度的设备、方法及系统
公开(公告)号：TW201617486A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104133787
申请日：2015-10-15
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：凱勒曼彼德 L. , KELLERMAN, PETER L. , 卡爾森菲德梨克 M. , CARLSON, FREDERICK M. , 莫雷爾大衛 , MORRELL, DAVID , 梅克英特許布萊恩 , MACKINTOSH, BRIAN , 德塞南帝斯 , DESAI, NANDISH
IPC分类号： C30B9/00
CPC分类号： C30B15/06 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B15/002 , C30B15/14 , C30B15/22 , C30B15/26 , C30B29/06 , C30B29/64 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068
摘要：本發明提供一種控制在熔體成長的結晶片的厚度的裝置及其方法。所述裝置可包括：坩堝，用以容納熔體，所述熔體具有與坩堝的底面相隔第一距離的暴露表面；殼體，包含不對熔體造成污染的材料，所述殼體包括多個側壁及頂部，用以接觸熔體；以及多個加熱元件，與熔體隔絕並沿與結晶片的拉動方向垂直的橫向方向安置，所述多個加熱元件被各別地供電，其中所述多個加熱元件相對於熔體的暴露表面安置於第二組距離處，第二組距離小於第一距離，且其中所述多個加熱元件用以在所述多個加熱元件被各別地供應電力時改變沿橫向方向的熱通量輪廓。
简体摘要：本发明提供一种控制在熔体成长的结芯片的厚度的设备及其方法。所述设备可包括：坩埚，用以容纳熔体，所述熔体具有与坩埚的底面相隔第一距离的暴露表面；壳体，包含不对熔体造成污染的材料，所述壳体包括多个侧壁及顶部，用以接触熔体；以及多个加热组件，与熔体隔绝并沿与结芯片的拉动方向垂直的横向方向安置，所述多个加热组件被各别地供电，其中所述多个加热组件相对于熔体的暴露表面安置于第二组距离处，第二组距离小于第一距离，且其中所述多个加热组件用以在所述多个加热组件被各别地供应电力时改变沿横向方向的热通量轮廓。

6. 发明专利

TW201337210A 氧化矽玻璃坩堝三次元形狀測定方法及單晶矽製造方法审中-公开
简体标题：氧化硅玻璃坩埚三次元形状测定方法及单晶硅制造方法
公开(公告)号：TW201337210A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101140629
申请日：2012-11-01
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤忠広 , SATO, TADAHIRO , 北原賢 , KITAHARA, KEN
IPC分类号： G01B11/24 , C30B29/06
CPC分类号： G01B11/24 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B15/20 , C30B15/26 , C30B29/06 , H01L22/12
摘要：提供不污染坩堝的內表面而使坩堝的內表面的三維形狀的測量成為可能的氧化矽玻璃坩堝的三維形狀測量方法。根據本發明，提供氧化矽玻璃坩堝的三維形狀測量方法，該方法具備：使氧化矽玻璃坩堝的內表面產生霧的製程；以及通過對所述內表面照射光，並檢測其反射光，來測量所述內表面的三維形狀的製程。
简体摘要：提供不污染坩埚的内表面而使坩埚的内表面的三维形状的测量成为可能的氧化硅玻璃坩埚的三维形状测量方法。根据本发明，提供氧化硅玻璃坩埚的三维形状测量方法，该方法具备：使氧化硅玻璃坩埚的内表面产生雾的制程；以及通过对所述内表面照射光，并检测其反射光，来测量所述内表面的三维形状的制程。

7. 发明专利

TWI383073B 半導體單結晶製造裝置之位置量測裝置及位置量測方法有权
简体标题：半导体单结晶制造设备之位置量测设备及位置量测方法
公开(公告)号：TWI383073B
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：TW097124858
申请日：2008-07-02
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 , SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：林田寿男 , HAYASHIDA TOSHIO , 木原亞由美 , KIHARA AYUMI , 三谷直司 , MITANI NAOJI
IPC分类号： C30B15/26 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/26 , C30B15/14 , C30B29/06

8. 发明专利

TW289838B 控制一矽晶片成長之系統及方法失效
简体标题：控制一硅芯片成长之系统及方法
公开(公告)号：TW289838B
公开(公告)日：1996-11-01
申请号：TW084112443
申请日：1995-11-22
申请人： MEMC電子材料公司
发明人：勞伯.H.福霍夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01B11/105 , C30B15/26 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要：供側定源自於矽融體之矽晶片直徑之系統與方法，用以供控制一矽晶片成長之設備。熔融體具一新月形表面，其係可在鄰接於該晶體處觀察到一明亮環鄰接於該晶體。一照相機產生鄰接於晶體之部份明亮環之影像圖型。影像處理電路檢測一影像圖型之特性且定義明亮環之邊緣為所檢測得特性之函數。影像處理電路尚定義一包含所定義之明亮環邊緣之一般性圓形外形。然後以所定義外形之直徑為基準測定晶體之直徑，以用於控制晶體成長設備。
简体摘要：供侧定源自于硅融体之硅芯片直径之系统与方法，用以供控制一硅芯片成长之设备。熔融体具一新月形表面，其系可在邻接于该晶体处观察到一明亮环邻接于该晶体。一照相机产生邻接于晶体之部份明亮环之影像图型。影像处理电路检测一影像图型之特性且定义明亮环之边缘为所检测得特性之函数。影像处理电路尚定义一包含所定义之明亮环边缘之一般性圆形外形。然后以所定义外形之直径为基准测定晶体之直径，以用于控制晶体成长设备。

9. 发明专利

TW201447058A 藍寶石單晶之製造方法审中-公开
简体标题：蓝宝石单晶之制造方法
公开(公告)号：TW201447058A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103111247
申请日：2014-03-26
申请人：德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：松尾健太郎 , MATSUO, KENTARO , 井上賀文 , INOUE, YOSHIFUMI , 岸本雄次 , KISHIMOTO, YUJI
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B29/20 , C30B15/26
摘要：為一種藉由融液生長法的藍寶石單晶之製造方法，包含：(i)依據藉由光學性手段觀察生長中之藍寶石單晶和原料熔融液之界面而取得畫像資料的工程；(ii)藉由解析該畫像資料，取得單晶徑之計算值的工程；及(iii)根據該計算值一面控制單晶徑，一面使藍寶石單晶生長的工程，(A)工程(i)包含從射入至光學性手段之光去除超過波長620nm之光之至少一部分的工程，或者(B)工程(ii)包含藉由從畫像資料之亮度資訊去除有助於超過波長620nm之光的成分之至少一部分，生成二次畫像資料之工程，和藉由解析該二次畫像資料，求取單晶徑之計算值的工程。
简体摘要：为一种借由融液生长法的蓝宝石单晶之制造方法，包含：(i)依据借由光学性手段观察生长中之蓝宝石单晶和原料熔融液之界面而取得画像数据的工程；(ii)借由解析该画像数据，取得单晶径之计算值的工程；及(iii)根据该计算值一面控制单晶径，一面使蓝宝石单晶生长的工程，(A)工程(i)包含从射入至光学性手段之光去除超过波长620nm之光之至少一部分的工程，或者(B)工程(ii)包含借由从画像数据之亮度信息去除有助于超过波长620nm之光的成分之至少一部分，生成二次画像数据之工程，和借由解析该二次画像数据，求取单晶径之计算值的工程。

10. 发明专利

TW201337209A 氧化矽玻璃坩堝的評價方法、單晶矽的製造方法审中-公开
简体标题：氧化硅玻璃坩埚的评价方法、单晶硅的制造方法
公开(公告)号：TW201337209A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101140627
申请日：2012-11-01
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤忠広 , SATO, TADAHIRO , 北原賢 , KITAHARA, KEN , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO , 小玉真喜子 , KODAMA, MAKIKO
IPC分类号： G01B11/24 , C30B15/10 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/26 , C30B15/10 , C30B29/06 , G01B11/005 , G01B11/06 , G01B11/24 , G01B11/245 , G01J3/42 , G01J5/58
摘要：本發明提供能非破壞性地測量坩堝的內表面的三維形狀的氧化矽玻璃坩堝的評價方法。本發明提供的氧化矽玻璃坩堝的評價方法包括以下製程：通過使內部測距部非接觸地沿著氧化矽玻璃坩堝的內表面移動，在移動路徑上的多個測量點，從內部測距部對所述坩堝的內表面斜方向照射鐳射，並檢測來自所述內表面的內表面反射光，來測量內部測距部與所述內表面之間的內表面距離，通過將各測量點的三維座標與所述內表面距離建立關聯，來求出所述坩堝的內表面三維形狀。
简体摘要：本发明提供能非破坏性地测量坩埚的内表面的三维形状的氧化硅玻璃坩埚的评价方法。本发明提供的氧化硅玻璃坩埚的评价方法包括以下制程：通过使内部测距部非接触地沿着氧化硅玻璃坩埚的内表面移动，在移动路径上的多个测量点，从内部测距部对所述坩埚的内表面斜方向照射激光，并检测来自所述内表面的内表面反射光，来测量内部测距部与所述内表面之间的内表面距离，通过将各测量点的三维座标与所述内表面距离创建关联，来求出所述坩埚的内表面三维形状。

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