专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW453939B 製造柱狀單晶體之方法及裝置與切割半導體晶圓之方法有权
简体标题：制造柱状单晶体之方法及设备与切割半导体晶圆之方法
公开(公告)号：TW453939B
公开(公告)日：2001-09-11
申请号：TW088109178
申请日：1999-06-03
申请人：瓦克半導體材料矽子公司
发明人：漢斯.于勒克魯格 , 侯格爾.龍特 , 吉瑞斯臣.安德萊 , 約瑟夫.符魯謀
IPC分类号： B28D , C30B
CPC分类号： B24B47/22 , B24B49/12 , B28D5/0058 , B28D5/0088 , Y10S117/902 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要：本發明與結晶格子準直誤差最小之半導體材料柱狀單晶體製造方法及裝置有關。本發明亦與用鋼絲鋸由兩個或更多個該等單晶體切割半導體晶圓之方法有關。製造單晶體之方法包括下列諸步驟: a) 製造結晶格子準直誤差至多等於1.5°之單晶體; b) 將單晶體加以適當配置俾該單晶體可圍繞兩個轉動軸轉動,該等轉動軸垂直於由具有x、y及z三軸之正交座標系統中兩個軸所形成之兩個面; c) 使單晶體圍繞轉動軸轉動直至結晶軸平行於座標系統之x、y面且平行於x、z面; d) 單晶體之兩端裝以襯墊;及 e) 使單晶體圍繞結晶軸轉動，單晶體係夾在研磨機內襯墊之間，將研磨單晶體之側面加以研磨直至單晶體之直徑達到特別均勻為止。
简体摘要：本发明与结晶格子准直误差最小之半导体材料柱状单晶体制造方法及设备有关。本发明亦与用钢丝锯由两个或更多个该等单晶体切割半导体晶圆之方法有关。制造单晶体之方法包括下列诸步骤: a) 制造结晶格子准直误差至多等于1.5°之单晶体; b) 将单晶体加以适当配置俾该单晶体可围绕两个转动轴转动,该等转动轴垂直于由具有x、y及z三轴之正交座标系统中两个轴所形成之两个面; c) 使单晶体围绕转动轴转动直至结晶轴平行于座标系统之x、y面且平行于x、z面; d) 单晶体之两端装以衬垫;及 e) 使单晶体围绕结晶轴转动，单晶体系夹在研磨机内衬垫之间，将研磨单晶体之侧面加以研磨直至单晶体之直径达到特别均匀为止。

2. 发明专利

TWI407527B 用以定位單顆化切割之積體電路的系統中之網狀區塊組件、及使用一網狀區塊組件傳輸複數個單顆化切割之積體電路之方法有权
简体标题：用以定位单颗化切割之集成电路的系统中之网状区块组件、及使用一网状区块组件传输复数个单颗化切割之集成电路之方法
公开(公告)号：TWI407527B
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW096143091
申请日：2007-11-14
申请人：洛科系統有限公司 , ROKKO SYSTEMS PTE LTD
发明人：林元勝 , LING, NEE SENG , 洪賜裕 , ANG, SOO LOO , 林仲振 , LIM, CHONG CHEN , 白承昊 , BAEK, SEUNG HO , 丁鐘才 , JUNG, JONG JAE , 申允錫 , SHIN, YUN SUK
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/304
CPC分类号： B28D5/0088 , B28D5/0094 , H01L21/67092 , H01L21/67144 , H01L21/67271

3. 发明专利

TW201108351A 用於鑄錠削方及研磨機之夾具 CLAMP FOR INGOT SQUARING AND GRINDING MACHINE 审中-公开
简体标题：用于铸锭削方及研磨机之夹具 CLAMP FOR INGOT SQUARING AND GRINDING MACHINE
公开(公告)号：TW201108351A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099123639
申请日：2010-07-19
申请人：韓美半導體股份有限公司
发明人：鄭顯權 , 羅益均 , 朴柱浩
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B28D5/0088 , B24B5/02
摘要：本發明提供一種用以於加工作為一太陽能電池材料之一鑄錠時,在一鑄錠削方及研磨機中夾持該鑄錠的夾具。本發明提供一種新的夾持方法,其中接觸一鑄錠之一端部之一夾具夾頭的旋轉中心位置被更拉近該鑄錠,以在夾持鑄錠以進行加工期間與該鑄錠之中心一致。因此,即使在該鑄錠之端部傾斜之情形下,亦可將該鑄錠之中心準確地配合於該夾具之中心,且因此可相對於該鑄錠準確地實施削方程序、一表面研磨程序、及一圓柱形研磨製程,藉此減少失敗率至零。
简体摘要：本发明提供一种用以于加工作为一太阳能电池材料之一铸锭时,在一铸锭削方及研磨机中夹持该铸锭的夹具。本发明提供一种新的夹持方法,其中接触一铸锭之一端部之一夹具夹头的旋转中心位置被更拉近该铸锭,以在夹持铸锭以进行加工期间与该铸锭之中心一致。因此,即使在该铸锭之端部倾斜之情形下,亦可将该铸锭之中心准确地配合于该夹具之中心,且因此可相对于该铸锭准确地实施削方进程、一表面研磨进程、及一圆柱形研磨制程,借此减少失败率至零。

4. 发明专利

TW200841388A 半導體晶圓切割系統及方法 SEMICONDUCTOR WAFER SAWING SYSTEM AND METHOD 审中-公开
简体标题：半导体晶圆切割系统及方法 SEMICONDUCTOR WAFER SAWING SYSTEM AND METHOD
公开(公告)号：TW200841388A
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：TW096149598
申请日：2007-12-21
申请人：德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人：派翠西歐韋格拉安契塔二世 ANCHETA, PATRICIO VERGARA JR. , 亨特傑莎杜納斯維拉格 VILAGA, HEINTJE SARDONAS , 艾拉陳莎米安托 SARMIENTO, ELLA CHAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B28D5/0088 , B28D5/0076
摘要：本發明描述一種半導體晶圓(12)切割系統(28)及方法,其中可將一晶圓緊固於一切割位置使其具有一經曝露以承受切割之表面,其中該曝露晶圓表面之至少一部分定位於該晶圓之重心以下,使得普遍重力可用以輔助污染物自該晶圓的移除。
简体摘要：本发明描述一种半导体晶圆(12)切割系统(28)及方法,其中可将一晶圆紧固于一切割位置使其具有一经曝露以承受切割之表面,其中该曝露晶圆表面之至少一部分定位于该晶圆之重心以下,使得普遍重力可用以辅助污染物自该晶圆的移除。

5. 发明专利

TW201521983A 一種雙頭搖擺式藍寶石晶圓開方機审中-公开
简体标题：一种双头摇摆式蓝宝石晶圆开方机
公开(公告)号：TW201521983A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103118687
申请日：2014-05-28
申请人：無錫斯達新能源科技股份有限公司
发明人：張新忠 , ZHANG, XINZHONG
IPC分类号： B28D5/00
CPC分类号： B28D5/045 , B28D5/0088
摘要：本發明公開了一種雙頭搖擺式藍寶石晶圓開方機，包括機架，還包括放線機構、收線機構、相互成90度或180度夾角設置的兩個切割機頭、切割機頭升降機構和回轉工作臺，放線機構和收線機構分別位於機架的兩端，兩個切割機頭位於機架的中部，回轉工作臺的回轉角度為90度或180度或270度或360度，回轉工作臺所包括的第一工作臺和第二工作臺分別位於兩個切割機頭下方，本發明切割機頭在切割過程中可以小幅搖擺，在擺動過程中金剛石線所切割的工件截面相對於固定不動時大大的減小，從而提高了單位面積的下壓力，提升了切割效率，採用了切割機頭在上，工件在下的切割方式，方便工件裝夾，加工時金剛石線從上往下進給。
简体摘要：本发明公开了一种双头摇摆式蓝宝石晶圆开方机，包括机架，还包括放线机构、收线机构、相互成90度或180度夹角设置的两个切割机头、切割机头直升电梯构和回转工作台，放线机构和收线机构分别位于机架的两端，两个切割机头位于机架的中部，回转工作台的回转角度为90度或180度或270度或360度，回转工作台所包括的第一工作台和第二工作台分别位于两个切割机头下方，本发明切割机头在切割过程中可以小幅摇摆，在摆动过程中金刚石线所切割的工件截面相对于固定不动时大大的减小，从而提高了单位面积的下压力，提升了切割效率，采用了切割机头在上，工件在下的切割方式，方便工件装夹，加工时金刚石线从上往下进给。

6. 发明专利

TWI330254B 將至少一單結晶測量，對準及固定的方法與裝置 PROCESS AND DEVICE FOR THE MEASUREMENT,ALIGNMENT AND FIXATION OF AT LEAST A SINGLE CRYSTAL 失效
简体标题：将至少一单结晶测量，对准及固定的方法与设备 PROCESS AND DEVICE FOR THE MEASUREMENT,ALIGNMENT AND FIXATION OF AT LEAST A SINGLE CRYSTAL
公开(公告)号：TWI330254B
公开(公告)日：2010-09-11
申请号：TW094122678
申请日：2005-07-05
申请人：電氣工程製造批發有限公司
发明人：漢斯布拉達捷克 , 漢斯貝爾格 , 哈穆特許瓦伯
IPC分类号： G01N , C30B
CPC分类号： B28D5/0088 , G01N23/207 , Y10S117/902 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要：在將至少一單結晶測量，對準及固定時，在求出結晶圖方向性及作對準固定時，要能確保較高的準確性，而不受該單結晶的外部幾何性質影響，其中即使在很硬的材料例如藍寶石或碳化矽，這種固定作用也要能確保能作高度準確的切割。該單結晶(1)以可調整的方式定位在一轉枱(2)上以求出該結晶格的方向性，其中在轉枱(2)至少轉一周時，該結晶格方向性根據數個X光反射而求出。在單結晶(1)固定前以及固定在一個與參考方向對準的載體(18)上之前，單結晶的對準作用係用該結晶格平面法線對轉枱(2)的軸(X-X)(當作參考方向)交成之所求出的角度為之。如此，可將數個單結晶(1)對準、固定、上下互相重疊，然後同時與一共同載體(18)連接。此外在成功地固定在共同的載體(18)上後，可控制各單結晶(1)的朝向。
简体摘要：在将至少一单结晶测量，对准及固定时，在求出结晶图方向性及作对准固定时，要能确保较高的准确性，而不受该单结晶的外部几何性质影响，其中即使在很硬的材料例如蓝宝石或碳化硅，这种固定作用也要能确保能作高度准确的切割。该单结晶(1)以可调整的方式定位在一转台(2)上以求出该结晶格的方向性，其中在转台(2)至少转一周时，该结晶格方向性根据数个X光反射而求出。在单结晶(1)固定前以及固定在一个与参考方向对准的载体(18)上之前，单结晶的对准作用系用该结晶格平面法线对转台(2)的轴(X-X)(当作参考方向)交成之所求出的角度为之。如此，可将数个单结晶(1)对准、固定、上下互相重叠，然后同时与一共同载体(18)连接。此外在成功地固定在共同的载体(18)上后，可控制各单结晶(1)的朝向。

7. 发明专利

TW200608001A 將至少一單結晶測量,對準及固定的方法與裝置 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR VERMESSUNG, AUSRICHTUNG UND FIXIERUNG VON MINDESTENS EINEM EINKRISTALL 失效
简体标题：将至少一单结晶测量,对准及固定的方法与设备 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR VERMESSUNG, AUSRICHTUNG UND FIXIERUNG VON MINDESTENS EINEM EINKRISTALL
公开(公告)号：TW200608001A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：TW094122678
申请日：2005-07-05
申请人：電氣工程製造批發有限公司
发明人：漢斯布拉達捷克 BRADACZEK, HANS , 漢斯貝爾格 BERGER, HANS , 哈穆特許瓦伯 SCHWABE, HARTMUT
IPC分类号： G01N
CPC分类号： B28D5/0088 , G01N23/207 , Y10S117/902 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要：在將至少一單結晶測量，對準及固定時，在求出結晶圓方向性及作對準固定時，要能確保較高的準確性，而不受該單結晶的外部幾何性質影響，其中即使在很硬的材料例如藍寶石或碳化矽，這種固定作用也要能確保能伸高度準確的切割。該單結晶(1)以可調整的方式定位在一轉?(2)上以求出該結晶格的方向性，其中在轉?(2)至少轉一周時，該結晶格方向性根據數個X光反射而求出。在單結晶(1)固定前以及固定在一個與參考方向對準的載體(18)上之前，結晶格的對準作用係用該晶格平面法線對轉?(2)的軸(X-X)(當作參考方向)交成之所求出的角度為之。如此，可將數個單結晶(1)對準、固定、上下互相重疊，然後同時與一共同載體(18)連接。此外在成功地固定在共同的載體(18)上後，可控制各單結晶(1)的朝向。
简体摘要：在将至少一单结晶测量，对准及固定时，在求出结晶圆方向性及作对准固定时，要能确保较高的准确性，而不受该单结晶的外部几何性质影响，其中即使在很硬的材料例如蓝宝石或碳化硅，这种固定作用也要能确保能伸高度准确的切割。该单结晶(1)以可调整的方式定位在一转?(2)上以求出该结晶格的方向性，其中在转?(2)至少转一周时，该结晶格方向性根据数个X光反射而求出。在单结晶(1)固定前以及固定在一个与参考方向对准的载体(18)上之前，结晶格的对准作用系用该晶格平面法线对转?(2)的轴(X-X)(当作参考方向)交成之所求出的角度为之。如此，可将数个单结晶(1)对准、固定、上下互相重叠，然后同时与一共同载体(18)连接。此外在成功地固定在共同的载体(18)上后，可控制各单结晶(1)的朝向。

8. 发明专利

TW200300273A 在切割機器中對準一工件之方法 METHOD OF ALIGNING A WORKPIECE IN A CUTTING MACHINE 审中-公开
简体标题：在切割机器中对准一工件之方法 METHOD OF ALIGNING A WORKPIECE IN A CUTTING MACHINE
公开(公告)号：TW200300273A
公开(公告)日：2003-05-16
申请号：TW091132706
申请日：2002-11-06
申请人：迪思科股份有限公司
发明人：上野剛
IPC分类号： H01L , B26D
CPC分类号： B28D5/029 , B28D5/0088 , Y10T83/05
摘要：一種卡緊裝置，係相對於一對切割裝置定位成使得一對成像裝置各使在Y-軸線方向分開之特定矩形部位之至少部份成像在一工件之表面。在X-軸線及Y-軸線，在特定矩形部位之特定部份，其位置藉處理該對成像裝置通過影像處理裝置所獲得之影像予以檢測。街道相對於X-軸線及Y-軸線之傾斜角θ，依據在特定矩形部位之特定部份在X-軸線及Y-軸線之位置予以計算。
简体摘要：一种卡紧设备，系相对于一对切割设备定位成使得一对成像设备各使在Y-轴线方向分开之特定矩形部位之至少部份成像在一工件之表面。在X-轴线及Y-轴线，在特定矩形部位之特定部份，其位置藉处理该对成像设备通过影像处理设备所获得之影像予以检测。街道相对于X-轴线及Y-轴线之倾斜角θ，依据在特定矩形部位之特定部份在X-轴线及Y-轴线之位置予以计算。

9. 发明专利

TWI359452B 半導體晶圓切割系統及方法 SEMICONDUCTOR WAFER SAWING SYSTEM AND METHOD 有权
简体标题：半导体晶圆切割系统及方法 SEMICONDUCTOR WAFER SAWING SYSTEM AND METHOD
公开(公告)号：TWI359452B
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW096149598
申请日：2007-12-21
申请人：德州儀器公司
发明人：派翠西歐韋格拉安契塔二世 , 亨特傑莎杜納斯維拉格 , 艾拉陳莎米安托
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B28D5/0088 , B28D5/0076
摘要：本發明描述一種半導體晶圓(12)切割系統(28)及方法，其中可將一晶圓緊固於一切割位置使其具有一經曝露以承受切割之表面，其中該曝露晶圓表面之至少一部分定位於該晶圓之重心以下，使得普遍重力可用以輔助污染物自該晶圓的移除。
简体摘要：本发明描述一种半导体晶圆(12)切割系统(28)及方法，其中可将一晶圆紧固于一切割位置使其具有一经曝露以承受切割之表面，其中该曝露晶圆表面之至少一部分定位于该晶圆之重心以下，使得普遍重力可用以辅助污染物自该晶圆的移除。

10. 发明专利

TW201126745A 薄膜太陽電池用刻劃裝置审中-公开
简体标题：薄膜太阳电池用刻划设备
公开(公告)号：TW201126745A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW100101911
申请日：2011-01-19
申请人：三星鑽石工業股份有限公司
发明人：曾山正信
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67092 , B28D5/0023 , B28D5/0088 , H01L31/188 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T83/0304 , Y10T83/0348
摘要：提供使在低荷重之微妙之調整為可能，漂亮地切削太陽電池基板之薄膜，可消除不規則之薄膜之剝離之產生以形成直線且漂亮之刻劃線之刻劃裝置。沿積體型太陽電池基板W之刻劃預定線將安裝於刻劃頭1之槽加工工具4之刃前緣按壓於太陽電池基板W之表面，同時使槽加工工具4對太陽電池基板W相對移動以於形成於太陽電池基板W之表面之薄膜形成槽之刻劃裝置，其特徵在於：由可上下移動地安裝於刻劃頭1且保持槽加工工具4之工具保持具5、將工具保持具5往太陽電池基板W之表面加壓之氣壓缸6、將工具保持具5往上方加壓之彈簧7構成。
简体摘要：提供使在低荷重之微妙之调整为可能，漂亮地切削太阳电池基板之薄膜，可消除不守则之薄膜之剥离之产生以形成直线且漂亮之刻划线之刻划设备。沿积体型太阳电池基板W之刻划预定线将安装于刻划头1之槽加工工具4之刃前缘按压于太阳电池基板W之表面，同时使槽加工工具4对太阳电池基板W相对移动以于形成于太阳电池基板W之表面之薄膜形成槽之刻划设备，其特征在于：由可上下移动地安装于刻划头1且保持槽加工工具4之工具保持具5、将工具保持具5往太阳电池基板W之表面加压之气压缸6、将工具保持具5往上方加压之弹簧7构成。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式