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21. 发明专利

TW201617474A 成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TW201617474A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104123806
申请日：2015-07-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：福島講平 , FUKUSHIMA, KOHEI , 本山豊 , MOTOYAMA, YUTAKA , 周保華 , CHOU, PAO-HWA
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/4583 , C23C16/345 , C23C16/45542 , C23C16/45544
摘要：一種成膜裝置，其係在縱型之反應容器內配置有以棚架狀存放複數基板的基板存放架的狀態下，向該反應容器內交互供給原料氣體、及與該原料氣體反應而產生反應生成物之反應氣體，以在基板上成膜；該成膜裝置包括：第1原料氣體供給部及第2原料氣體供給部，對於沿著該基板存放架中之基板配列方向的第1基板存放區域及第2基板存放區域，該第1原料氣體供給部只限定於對其中的第1基板存放區域供給該原料氣體，該第2原料氣體供給部只限定於對其中的第2基板存放區域供給該原料氣體；反應氣體供給部，對該第1基板存放區域及第2基板存放區域供給反應氣體；吹淨氣體供給部，在該第1基板存放區域及該第2基板存放區域中之任一方接受該原料氣體之供給時，對另一方供給吹淨氣體，以避免該原料氣體供給到該另一方；區劃用基板，在該基板存放架中存放於該第1基板存放區域及該第2基板存放區域之間，以區劃出該第1基板存放區域與該第2基板存放區域；以及控制部，輸出控制訊號，以分別進行數次下述之循環：對該第1基板存放區域之原料氣體供給及反應氣體供給所構成之循環，以及對該第2基板存放區域之原料氣體供給及反應氣體供給所構成之循環。
简体摘要：一种成膜设备，其系在纵型之反应容器内配置有以棚架状存放复数基板的基板存放架的状态下，向该反应容器内交互供给原料气体、及与该原料气体反应而产生反应生成物之反应气体，以在基板上成膜；该成膜设备包括：第1原料气体供给部及第2原料气体供给部，对于沿着该基板存放架中之基板配列方向的第1基板存放区域及第2基板存放区域，该第1原料气体供给部只限定于对其中的第1基板存放区域供给该原料气体，该第2原料气体供给部只限定于对其中的第2基板存放区域供给该原料气体；反应气体供给部，对该第1基板存放区域及第2基板存放区域供给反应气体；吹净气体供给部，在该第1基板存放区域及该第2基板存放区域中之任一方接受该原料气体之供给时，对另一方供给吹净气体，以避免该原料气体供给到该另一方；区划用基板，在该基板存放架中存放于该第1基板存放区域及该第2基板存放区域之间，以区划出该第1基板存放区域与该第2基板存放区域；以及控制部，输出控制信号，以分别进行数次下述之循环：对该第1基板存放区域之原料气体供给及反应气体供给所构成之循环，以及对该第2基板存放区域之原料气体供给及反应气体供给所构成之循环。

22. 发明专利

TW201606920A 通過原位反饋的晶圓放置和縫隙控制最佳化审中-公开
简体标题：通过原位反馈的晶圆放置和缝隙控制最优化
公开(公告)号：TW201606920A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104120015
申请日：2015-06-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葛瑞芬凱文 , GRIFFIN, KEVIN , 拉維德亞伯拉罕 , RAVID, ABRAHAM , 明柯維奇艾力克斯 , MINKOVICH, ALEX , 坎德爾瓦爾桑梅許 , KHANDELWAL, SOMESH , 尤多夫斯基約瑟夫 , YUDOVSKY, JOSEPH , 伊根陶德 , EGAN, TODD
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： C23C16/4584 , C23C16/45544 , C23C16/52 , G01D5/24
摘要：本發明描述了在製程夾具和基座之間的尺寸控制和監控，和晶圓位置測定的裝置和方法。
简体摘要：本发明描述了在制程夹具和基座之间的尺寸控制和监控，和晶圆位置测定的设备和方法。

23. 发明专利

TW201606118A 成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TW201606118A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104115342
申请日：2015-05-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：羽根秀臣 , HANE, HIDEOMI , 梅原隆人 , UMEHARA, TAKAHITO , 笠間健宏 , KASAMA, TAKEHIRO , 渡部翼 , WATANABE, TSUBASA
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/45591 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/45578
摘要：本發明之成膜裝置係具備有：原料氣體噴嘴，係沿著其長度方向來形成有噴出該原料氣體及載體氣體之混合氣體的氣體噴出孔；整流板部，係沿著該原料氣體噴嘴之長度方向來伸出；中央部區域，係從該真空容器內之中央部側將分離氣體供給至該旋轉台之基板載置面側；突起部，係在較該原料氣體之氣體噴出孔要靠該旋轉台之中心部側，而從該整流板部朝向該旋轉台突出；以及排氣口，係用以將該真空容器內真空排氣。
简体摘要：本发明之成膜设备系具备有：原料气体喷嘴，系沿着其长度方向来形成有喷出该原料气体及载体气体之混合气体的气体喷出孔；整流板部，系沿着该原料气体喷嘴之长度方向来伸出；中央部区域，系从该真空容器内之中央部侧将分离气体供给至该旋转台之基板载置面侧；突起部，系在较该原料气体之气体喷出孔要靠该旋转台之中心部侧，而从该整流板部朝向该旋转台突出；以及排气口，系用以将该真空容器内真空排气。

24. 发明专利

TW201602393A 氣體供應歧管及使用其供應氣體至室之方法审中-公开
简体标题：气体供应歧管及使用其供应气体至室之方法
公开(公告)号：TW201602393A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104105533
申请日：2015-02-17
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：傑迪拉魯西亞C , JDIRA, LUCIAN C. , 特荷斯特赫伯 , TERHORST, HERBERT , 賀賓麥可 , HALPIN, MICHAEL , 懷特卡爾 , WHITE, CARL , 唐泰德羅伯 , DUNN, TODD ROBERT , 謝洛艾瑞克 , SHERO, ERIC , 維巴斯梅爾文 , VERBASS, MELVIN , 烏斯特克里斯多夫 , WUESTER, CHRISTOPHER , 方杜拉利亞凱利 , FONDURULIA, KYLE
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/45512 , C23C16/45544 , C23C16/45574
摘要：一種用於晶圓處理反應器之氣體入口系統包括：經調適以連接至該晶圓處理反應器之一氣體入口埠之一管狀氣體歧管；及氣體饋送，其包括用於饋送第一氣體進入該管狀氣體歧管之第一饋送及用於饋送第二氣體進入該管狀氣體歧管之第二饋送。每一饋送具有在該管狀氣體歧管之第一軸位置處連接至該管狀氣體歧管之二或多個注入埠，且每一該等氣體饋送之該等注入埠係在該第一軸位置處沿著該管狀氣體歧管之圓周均勻地分佈。
简体摘要：一种用于晶圆处理反应器之气体入口系统包括：经调适以连接至该晶圆处理反应器之一气体入口端口之一管状气体歧管；及气体馈送，其包括用于馈送第一气体进入该管状气体歧管之第一馈送及用于馈送第二气体进入该管状气体歧管之第二馈送。每一馈送具有在该管状气体歧管之第一轴位置处连接至该管状气体歧管之二或多个注入端口，且每一该等气体馈送之该等注入端口系在该第一轴位置处沿着该管状气体歧管之圆周均匀地分布。

25. 发明专利

TWI512132B 原子層成長裝置及薄膜形成方法有权
简体标题：原子层成长设备及薄膜形成方法
公开(公告)号：TWI512132B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW099104182
申请日：2010-02-10
申请人：三井造船股份有限公司 , MITSUI ENGINEERING & SHIPBUILDING CO., LTD.
发明人：瀧澤一樹 , TAKIZAWA, KAZUKI
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/513
CPC分类号： H01J37/32972 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/52 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01L21/02178 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L22/12 , H01L22/26

27. 发明专利

TWI500808B 製程基板的配置及基板載具有权
简体标题：制程基板的配置及基板载具
公开(公告)号：TWI500808B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW099116633
申请日：2010-05-25
申请人：班尼克公司 , BENEQ OY
发明人：莫拉賈默 , MAULA, JARMO
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/4581

28. 发明专利

TWI486478B 成膜裝置、基板處理裝置、成膜方法及電腦可讀式記憶媒體有权
简体标题：成膜设备、基板处理设备、成膜方法及电脑可读式记忆媒体
公开(公告)号：TWI486478B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW098129634
申请日：2009-09-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 本間學 , HONMA, MANABU
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , H01L21/67109 , H01L21/68764 , H01L21/68771

29. 发明专利

TW201520362A 多模式薄膜沉積設備以及薄膜沉積方法审中-公开
简体标题：多模式薄膜沉积设备以及薄膜沉积方法
公开(公告)号：TW201520362A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW102143232
申请日：2013-11-27
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：林龔樑 , LIN, KUNG LIANG , 陳建志 , CHEN, CHIEN CHIH , 董福慶 , TUNG, FU CHING , 陳志勇 , CHEN, CHIH YUNG , 林士欽 , LIN, SHIH CHIN , 林冠宇 , LIN, KUAN YU , 張家豪 , CHANG, CHIA HAO , 吳學憲 , WU, SHIEH SIEN
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/4583 , C23C16/455 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45548 , C23C16/50 , C23C16/505 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L51/5253
摘要：一種多模式薄膜沉積設備包括一反應腔室、一承載座、一氣體噴灑頭、一惰性氣體供應源、一第一進氣系統與一第二進氣系統。承載座設置於反應腔室中。氣體噴灑頭具有一氣體混合室與位於氣體混合室一側的多個氣孔，且氣孔朝向承載座使氣體混合室與反應腔室連通。第一進氣系統連接於反應腔室並提供一第一薄膜沉積模式時所需的一第一製程氣體。惰性氣體供應源連接於氣體混合室，提供一惰性氣體。第二進氣系統連接於氣體混合室並提供一第二薄膜沉積模式時所需的一第二製程氣體。
简体摘要：一种多模式薄膜沉积设备包括一反应腔室、一承载座、一气体喷洒头、一惰性气体供应源、一第一进气系统与一第二进气系统。承载座设置于反应腔室中。气体喷洒头具有一气体混合室与位于气体混合室一侧的多个气孔，且气孔朝向承载座使气体混合室与反应腔室连通。第一进气系统连接于反应腔室并提供一第一薄膜沉积模式时所需的一第一制程气体。惰性气体供应源连接于气体混合室，提供一惰性气体。第二进气系统连接于气体混合室并提供一第二薄膜沉积模式时所需的一第二制程气体。

30. 发明专利

TW201517173A 半導體裝置的製造方法，基板處理裝置及記錄媒體审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法，基板处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TW201517173A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103124130
申请日：2014-07-14
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：橋本良知 , HASHIMOTO, YOSHITOMO , 廣瀨義朗 , HIROSE, YOSHIRO , 松岡樹 , MATSUOKA, TATSURU
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/36 , C23C16/45527 , C23C16/45544 , C23C16/52 , H01L21/02167 , H01L21/02211
摘要：本發明的課題是在於形成含預定元素，碳及氮的膜時，提高膜中的組成的控制性。其解決手段是具有：在進行預定次數循環之下，在基板上形成含預定元素，碳及氮的膜之工程，該循環係包含：對基板供給含預定元素及鹵元素的第1處理氣體之工程；對基板供給以碳，氮及氫的3元素所構成的第2處理氣體之工程；及對基板供給含碳的第3處理氣體之工程。
简体摘要：本发明的课题是在于形成含预定元素，碳及氮的膜时，提高膜中的组成的控制性。其解决手段是具有：在进行预定次数循环之下，在基板上形成含预定元素，碳及氮的膜之工程，该循环系包含：对基板供给含预定元素及卤元素的第1处理气体之工程；对基板供给以碳，氮及氢的3元素所构成的第2处理气体之工程；及对基板供给含碳的第3处理气体之工程。

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