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21. 发明专利

TW200702302A 鑽石鍍膜的製造方法及其應用审中-公开
简体标题：钻石镀膜的制造方法及其应用
公开(公告)号：TW200702302A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：TW094122459
申请日：2005-07-01
申请人：中國砂輪企業股份有限公司 KINIK COMPANY
发明人：張孝國 CHANG, HSIAO KUO
IPC分类号： C01B
CPC分类号： C23C16/01 , C23C16/27
摘要：一種鑽石鍍膜的製造方法及其應用,其係利用熱分解點較低的材料作為底材,配合所需要鑽石鍍膜的形狀,並於其上先塗佈轉換層,然後再塗佈鑽石膜,藉由轉換層不僅提高鑽石膜的披覆均勻性,同時解決熱應力破裂、組裝破損的問題,且後續加入形成鑽石鍍膜的同時,也可因高溫而使底材直接熱分解,克服習知脫膜及模具損耗的問題。
简体摘要：一种钻石镀膜的制造方法及其应用,其系利用热分解点较低的材料作为底材,配合所需要钻石镀膜的形状,并于其上先涂布转换层,然后再涂布钻石膜,借由转换层不仅提高钻石膜的披覆均匀性,同时解决热应力破裂、组装破损的问题,且后续加入形成钻石镀膜的同时,也可因高温而使底材直接热分解,克服习知脱膜及模具损耗的问题。

22. 发明专利

TW428056B 不透光性高純度碳化矽材料、半導體處理裝置用遮光材料及半導體處理裝置失效
简体标题：不透光性高纯度碳化硅材料、半导体处理设备用遮光材料及半导体处理设备
公开(公告)号：TW428056B
公开(公告)日：2001-04-01
申请号：TW088115198
申请日：1999-09-03
申请人：日本子股份有限公司
发明人：西岡正雄 , 加藤尚孝
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C23C16/01 , C04B35/565 , C23C16/325 , C23C16/4418 , C30B31/10
摘要：本發明的目的在於，提供高純度、且對於紅外以及近紅外線區域波長光之透光率低的碳化矽材料。
提供碳化矽多結晶為主成份的碳化矽材料或是，以碳化矽多結晶與游離碳為主成份的碳化矽材料。碳化矽材料的孔隙率為0.l%以下，且上述碳化矽材料含有的金屬元素分別為200ppb以下，並且相對於上述碳化矽材料的所有重量之矽的重量比率為69.00~69.90重量%，再者在波長0.4~25μm區域的透光率為，每0.5mm的厚度0.05%以下。
简体摘要：本发明的目的在于，提供高纯度、且对于红外以及近红外线区域波长光之透光率低的碳化硅材料。提供碳化硅多结晶为主成份的碳化硅材料或是，以碳化硅多结晶与游离碳为主成份的碳化硅材料。碳化硅材料的孔隙率为0.l%以下，且上述碳化硅材料含有的金属元素分别为200ppb以下，并且相对于上述碳化硅材料的所有重量之硅的重量比率为69.00~69.90重量%，再者在波长0.4~25μm区域的透光率为，每0.5mm的厚度0.05%以下。

23. 发明专利

TW337513B 以化學蒸鍍法製得之具有改良性質的碳化矽及其之製備方法失效
简体标题：以化学蒸镀法制得之具有改良性质的碳化硅及其之制备方法
公开(公告)号：TW337513B
公开(公告)日：1998-08-01
申请号：TW082106621
申请日：1993-08-17
申请人：席菲德股份有限公司
发明人：李.柏恩思 , 傑特拉.斯.格拉 , 雷蒙德.勒.泰勒
IPC分类号： C01B
CPC分类号： C04B35/571 , C23C16/01 , C23C16/325 , C23C16/4404 , Y10S438/931 , Y10T428/26
摘要：以化學蒸鍍法製得在可見光區及紅外光區具有透光性的獨立式多晶型β ─ 碳化矽，其於０.６２３８微米處的減弱係數為２０厘米-1或更低，其於３微米處的減弱係數為５厘米-1或更低，其之電阻率為５００歐姆一厘米或更高，以及其之厚度至少０.１ｍｍ。蒸鍍條件為溫度介於１４００ ─ １５００℃之間，壓力不大於50托耳，氫氣／甲基三氯矽烷莫耳比為４─３０且蒸鍍速率不大於１微米／分鐘。
简体摘要：以化学蒸镀法制得在可见光区及红外光区具有透光性的独立式多晶型β ─ 碳化硅，其于０.６２３８微米处的减弱系数为２０厘米-1或更低，其于３微米处的减弱系数为５厘米-1或更低，其之电阻率为５００欧姆一厘米或更高，以及其之厚度至少０.１ｍｍ。蒸镀条件为温度介于１４００ ─ １５００℃之间，压力不大于50托耳，氢气／甲基三氯硅烷莫耳比为４─３０且蒸镀速率不大于１微米／分钟。

24. 发明专利

TW201724179A ＳｉＣ複合基板之製造方法审中-公开
简体标题：ＳｉＣ复合基板之制造方法
公开(公告)号：TW201724179A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105130033
申请日：2016-09-14
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , CUSIC股份有限公司 , CUSIC INC.
发明人：秋山昌次 , AKIYAMA, SHOJI , 久保田芳宏 , KUBOTA, YOSHIHIRO , 長澤弘幸 , NAGASAWA, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20
CPC分类号： C23C16/01 , C23C16/42 , C30B25/18 , C30B29/36 , C30B33/06
摘要：本發明係一種SiC複合基板之製造方法，其課題為提供：以簡便的製造處理，可得到具有結晶性佳的單結晶SiC層之同時，彎曲少之SiC複合基板的SiC複合基板之製造方法。解決手段為於多結晶SiC基板(11)上，具有單結晶SiC層(12)之SiC複合基板(10)的製造方法，其中，於Si所成之保持基板(21)的單面，設置單結晶SiC層(12)而製作單結晶SiC層載持體(14)之後，於單結晶SiC層(12)上，經由化學氣相沉積法而堆積多結晶SiC，製作層積單結晶SiC層(12)與厚度t之多結晶SiC基板(11)於保持基板(21’)上之SiC層積體(15)時，進行將單結晶SiC層載持體(14)加熱為不足1414℃而將多結晶SiC，僅厚度t之一部分進行堆積，接著升溫為1414℃以上，使保持基板(21)之至少一部分熔融同時，至成為厚度t為止進一步堆積多結晶SiC之後進行冷卻者，之後物理性及/或化學性地除去保持基板(21’)者。
简体摘要：本发明系一种SiC复合基板之制造方法，其课题为提供：以简便的制造处理，可得到具有结晶性佳的单结晶SiC层之同时，弯曲少之SiC复合基板的SiC复合基板之制造方法。解决手段为于多结晶SiC基板(11)上，具有单结晶SiC层(12)之SiC复合基板(10)的制造方法，其中，于Si所成之保持基板(21)的单面，设置单结晶SiC层(12)而制作单结晶SiC层载持体(14)之后，於单结晶SiC层(12)上，经由化学气相沉积法而堆积多结晶SiC，制作层积单结晶SiC层(12)与厚度t之多结晶SiC基板(11)于保持基板(21’)上之SiC层积体(15)时，进行将单结晶SiC层载持体(14)加热为不足1414℃而将多结晶SiC，仅厚度t之一部分进行堆积，接着升温为1414℃以上，使保持基板(21)之至少一部分熔融同时，至成为厚度t为止进一步堆积多结晶SiC之后进行冷却者，之后物理性及/或化学性地除去保持基板(21’)者。

25. 发明专利

TW201607891A 生產多晶矽的方法审中-公开
简体标题：生产多晶硅的方法
公开(公告)号：TW201607891A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104126233
申请日：2015-08-12
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：波普弗雷德里奇 , POPP, FRIEDRICH , 赫特連哈羅德 , HERTLEIN, HARALD
IPC分类号： C01B33/035
CPC分类号： C01B33/035 , C23C16/01 , C23C16/0227 , C23C16/24
摘要：本發明涉及一種生產多晶矽的方法，其中將多晶矽沉積在經由直接通電加熱的支撐體上以提供多晶矽棒，其中將所述支撐體保持在反應器的底板上並經由電極向所述支撐體供應電流，其中在所述多晶矽棒已獲得期望的最終直徑時，終止多晶矽的沉積，其中隨後將所述多晶矽棒從所述反應器中移出，並將新的支撐體安裝到所述反應器以提供另外的多晶矽棒，其中在從所述反應器移出所述多晶矽棒後且將新支撐體安裝到所述反應器前，清潔所述反應器的底板，其中進行包括至少兩個清潔步驟的底板清潔，其中所述至少兩個清潔步驟使用至少兩種處在不同物理狀態的清潔介質。
简体摘要：本发明涉及一种生产多晶硅的方法，其中将多晶硅沉积在经由直接通电加热的支撑体上以提供多晶硅棒，其中将所述支撑体保持在反应器的底板上并经由电极向所述支撑体供应电流，其中在所述多晶硅棒已获得期望的最终直径时，终止多晶硅的沉积，其中随后将所述多晶硅棒从所述反应器中移出，并将新的支撑体安装到所述反应器以提供另外的多晶硅棒，其中在从所述反应器移出所述多晶硅棒后且将新支撑体安装到所述反应器前，清洁所述反应器的底板，其中进行包括至少两个清洁步骤的底板清洁，其中所述至少两个清洁步骤使用至少两种处在不同物理状态的清洁介质。

26. 发明专利

TW201522698A 形成保形碳膜之方法、包含保形碳膜之結構與裝置及形成其之系統审中-公开
简体标题：形成保形碳膜之方法、包含保形碳膜之结构与设备及形成其之系统
公开(公告)号：TW201522698A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103139014
申请日：2014-11-11
申请人： ASM智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：威克勒傑瑞德李 , WINKLER, JERELD LEE
IPC分类号： C23C16/26
CPC分类号： C23C16/45525 , C01B32/16 , C23C16/01 , C23C16/32 , C23C16/56 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , Y10T428/30
摘要：揭示形成碳膜之方法、包含該等碳膜之結構與裝置及用於形成該等碳膜之系統。一種方法包含使用原子層沈積(ALD)沈積一金屬碳化物膜。自該金屬碳化物膜移除來自該金屬碳化物膜之金屬以形成一碳膜。因為使用ALD形成該等膜，所以該等膜可相對保形且可在基板之表面上具有相對均勻之厚度。
简体摘要：揭示形成碳膜之方法、包含该等碳膜之结构与设备及用于形成该等碳膜之系统。一种方法包含使用原子层沉积(ALD)沉积一金属碳化物膜。自该金属碳化物膜移除来自该金属碳化物膜之金属以形成一碳膜。因为使用ALD形成该等膜，所以该等膜可相对保形且可在基板之表面上具有相对均匀之厚度。

27. 发明专利

TWI469916B 奈米線製造方法有权
简体标题：奈米线制造方法
公开(公告)号：TWI469916B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW101123578
申请日：2012-06-29
申请人： LG伊諾特股份有限公司 , LG INNOTEK CO., LTD.
发明人：李領宰 , LEE, YOUNG JAE , 劉慶鍾 , YOO, KYOUNG JONG , 李俊 , LEE, JUN , 金鎮秀 , KIM, JIN SU , 朴宰完 , PARK, JAE WAN
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： C23C14/0005 , B22F1/0044 , B22F9/16 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C04B35/622 , C23C16/01 , C30B11/12 , C30B29/60 , H01L29/0673 , H01L29/66469 , H01L29/775 , Y10S977/888 , Y10S977/89 , Y10T428/24802 , Y10T428/298

28. 发明专利

TW201406985A ＳｉＣ成形體及ＳｉＣ成形體之製造方法审中-公开
简体标题：ＳｉＣ成形体及ＳｉＣ成形体之制造方法
公开(公告)号：TW201406985A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW101135062
申请日：2012-09-25
申请人：東海碳素股份有限公司 , TOKAI CARBON CO., LTD.
发明人：杉原孝臣 , SUGIHARA, TAKAOMI , 朝倉正明 , ASAKURA, MASAAKI , 德永武士 , TOKUNAGA, TAKESHI , 貞木哲也 , SADAKI, TETSUYA
IPC分类号： C23C16/32
CPC分类号： C01B32/956 , C04B35/565 , C04B2235/421 , C04B2235/441 , C04B2235/444 , C04B2235/46 , C04B2235/483 , C04B2235/72 , C04B2235/722 , C23C16/01 , C23C16/325
摘要：本發明所提供的CVD-SiC成形體，係頗適用為半導體製造步驟中所使用的蝕刻機用構件等，光穿透性較低、電阻率較高。本發明所提供的SiC成形體，係利用CVD法形成的SiC成形體，其中，硼原子係含有1~30質量ppm、氮原子係含有超過100質量ppm且1000質量ppm以下，較佳係電阻率超過10Ω‧cm且100000Ω‧cm以下，在波長950nm下的光穿透率為0~1%。
简体摘要：本发明所提供的CVD-SiC成形体，系颇适用为半导体制造步骤中所使用的蚀刻机用构件等，光穿透性较低、电阻率较高。本发明所提供的SiC成形体，系利用CVD法形成的SiC成形体，其中，硼原子系含有1~30质量ppm、氮原子系含有超过100质量ppm且1000质量ppm以下，较佳系电阻率超过10Ω‧cm且100000Ω‧cm以下，在波长950nm下的光穿透率为0~1%。

29. 发明专利

TW201245101A 以無機材料製造多孔性小顆粒之方法及其應用 METHOD FOR PRODUCING POROUS GRANULATE PARTICLES OF INORGANIC MATERIAL AND USE THEREOF 审中-公开
简体标题：以无机材料制造多孔性小颗粒之方法及其应用 METHOD FOR PRODUCING POROUS GRANULATE PARTICLES OF INORGANIC MATERIAL AND USE THEREOF
公开(公告)号：TW201245101A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101107584
申请日：2012-03-07
申请人：何瑞斯廓格拉斯公司
发明人：諾伊曼克里斯汀 , 貝克約爾格 , 霍夫曼亞慶
IPC分类号： C04B , C03B , H01M
CPC分类号： H01M4/1393 , C03B19/06 , C03B19/14 , C04B14/022 , C04B14/06 , C04B18/023 , C04B20/008 , C04B38/0022 , C04B38/045 , C23C16/01 , C23C16/402 , C23C16/453 , H01M10/052 , Y02E60/122 , Y02P70/54
摘要：以多孔性無機材料製造小顆粒之方法，一般已知為生長製粒法或加壓製粒法。此處提出一種方法，該方法能以便宜且可重複製造之方式，來製造多孔性顆粒，該顆粒具有強烈階層式多孔性結構之特性，該方法包含下列方法步驟：(a)將使用材料流導入至一反應區內，在該區內，其使用材料係以熱解或水解方式轉化成材料之粒子，(b)在一沈積面上沈積出其材料粒子，以形成一層煤灰層，(c)加熱固化其煤灰層，使其變成多孔性煤灰片，(d)打碎煤灰片，使其變成多孔性小顆粒。
简体摘要：以多孔性无机材料制造小颗粒之方法，一般已知为生长制粒法或加压制粒法。此处提出一种方法，该方法能以便宜且可重复制造之方式，来制造多孔性颗粒，该颗粒具有强烈阶层式多孔性结构之特性，该方法包含下列方法步骤：(a)将使用材料流导入至一反应区内，在该区内，其使用材料系以热解或水解方式转化成材料之粒子，(b)在一沉积面上沉积出其材料粒子，以形成一层煤灰层，(c)加热固化其煤灰层，使其变成多孔性煤灰片，(d)打碎煤灰片，使其变成多孔性小颗粒。

30. 发明专利

TW201207161A 鋁構造體之製造方法及鋁構造體审中-公开
简体标题：铝构造体之制造方法及铝构造体
公开(公告)号：TW201207161A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100116448
申请日：2011-05-11
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：細江晃久 , 新田耕司 , 奧野一樹 , 粟津知之 , 稻澤信二
IPC分类号： C25D , C23C
CPC分类号： C22C1/08 , B22F3/1137 , C22C21/00 , C23C14/0005 , C23C14/20 , C23C16/01 , C23C16/06 , C25D1/08 , C25D3/66 , C25D3/665 , C25D5/56 , C25D7/00 , H01G11/56 , Y02E60/13 , Y10T428/12479 , Y10T428/12569 , Y10T428/1275
摘要：本發明提供一種具備於樹脂成形體之表面形成由選自由金、銀、鉑、銠、釕、鈀、鎳、銅、鈷、鐵及鋁構成之群中1種以上之金屬構成的導電層之導電化步驟，及在熔鹽浴中，於該經導電化之樹脂成形體鍍鋁之鍍敷步驟，且即便為具有立體網眼構造之多孔質樹脂成形體，亦可於其表面進行鋁之鍍敷而可形成鋁構造體之方法、以及尤其是可獲得大面積之鋁多孔體之鋁構造體之製造方法。
简体摘要：本发明提供一种具备于树脂成形体之表面形成由选自由金、银、铂、铑、钌、钯、镍、铜、钴、铁及铝构成之群中1种以上之金属构成的导电层之导电化步骤，及在熔盐浴中，于该经导电化之树脂成形体镀铝之镀敷步骤，且即便为具有三維网眼构造之多孔质树脂成形体，亦可于其表面进行铝之镀敷而可形成铝构造体之方法、以及尤其是可获得大面积之铝多孔体之铝构造体之制造方法。

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