专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW585930B 耐蝕性元件及其製造方法失效
简体标题：耐蚀性组件及其制造方法
公开(公告)号：TW585930B
公开(公告)日：2004-05-01
申请号：TW087114181
申请日：1998-08-27
申请人：日本子股份有限公司 NGK INSULATORS, LTD.
发明人：西岡正雄 , 渡邊敬一郎
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C04B2111/20 , C23C16/325 , C23C16/56 , Y10T428/2495 , Y10T428/24992 , C04B41/4531 , C04B41/0072 , C04B35/00 , C04B35/565
摘要：【目的】提供一種耐蝕性元件，其係由陶瓷基材；與藉由化學氣相沈積法覆蓋基材表面所得到的碳化矽膜所構成，該元件的耐蝕性高，即使施加熱衝擊，亦不會產生碳化矽膜的龜裂。
【解決方法】耐蝕性元件，其特徵在於包括：一直徑至少200mm以上的陶瓷基材；與一碳化矽膜，其至少覆蓋與腐蝕性物質接觸的上述基材表面部分，且為0.5mm以上之化學氣相沈積碳化矽膜所構成。利用化學氣相沈積法之膜形成溫度沈積碳化矽膜步驟之後，再於較上述碳化矽膜形成溫度高50℃以上的溫度下進行加熱處理。
简体摘要：【目的】提供一种耐蚀性组件，其系由陶瓷基材；与借由化学气相沉积法覆盖基材表面所得到的碳化硅膜所构成，该组件的耐蚀性高，即使施加热冲击，亦不会产生碳化硅膜的龟裂。【解决方法】耐蚀性组件，其特征在于包括：一直径至少200mm以上的陶瓷基材；与一碳化硅膜，其至少覆盖与腐蚀性物质接触的上述基材表面部分，且为0.5mm以上之化学气相沉积碳化硅膜所构成。利用化学气相沉积法之膜形成温度沉积碳化硅膜步骤之后，再于较上述碳化硅膜形成温度高50℃以上的温度下进行加热处理。

2. 发明专利

TW464697B 耐蝕性元件、耐蝕性元件之製造方法、以及腐蝕性物質之加熱裝置有权
简体标题：耐蚀性组件、耐蚀性组件之制造方法、以及腐蚀性物质之加热设备
公开(公告)号：TW464697B
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：TW087117698
申请日：1998-10-26
申请人：日本子股份有限公司
发明人：西岡正雄 , 加藤尚孝 , 川崎真司
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C04B2111/94 , C23C16/325 , Y02E60/321 , Y10T428/24479 , Y10T428/24942 , C04B41/4531 , C04B35/00 , C04B35/565
摘要：【目的】本發明提供一種加熱裝置，其為容納腐蝕性物質且進行加熱之加熱裝置，對於腐蝕性物質具有高耐蝕性質，且可急速地加熱腐蝕性物質，並且，該加熱裝置在加熱腐蝕性物質時，具有良好的熱效率。再者，本發明提供適用於上述加熱裝置之耐蝕性元件及其製法。
【解決方法】加熱裝置具備用以容納上述腐蝕性物質的容器l。容器l包括:一陶瓷構成之基材3,10，其在室溫下之電阻率為5000Ω‧cm以上;一碳化矽薄膜4,11，其至少覆蓋於基材之中暴露於腐蝕性物質的面，且在室溫下之電阻率為20Ω‧cm以上、500Ω‧cm以下，並且上述碳化矽薄膜是利用化學氣相沈積法形成。
简体摘要：【目的】本发明提供一种加热设备，其为容纳腐蚀性物质且进行加热之加热设备，对于腐蚀性物质具有高耐蚀性质，且可急速地加热腐蚀性物质，并且，该加热设备在加热腐蚀性物质时，具有良好的热效率。再者，本发明提供适用于上述加热设备之耐蚀性组件及其制法。【解决方法】加热设备具备用以容纳上述腐蚀性物质的容器l。容器l包括:一陶瓷构成之基材3,10，其在室温下之电阻率为5000Ω‧cm以上;一碳化硅薄膜4,11，其至少覆盖于基材之中暴露于腐蚀性物质的面，且在室温下之电阻率为20Ω‧cm以上、500Ω‧cm以下，并且上述碳化硅薄膜是利用化学气相沉积法形成。

3. 发明专利

TW458952B 陶瓷元件及其製造方法失效
简体标题：陶瓷组件及其制造方法
公开(公告)号：TW458952B
公开(公告)日：2001-10-11
申请号：TW088102967
申请日：1999-02-26
申请人：日本子股份有限公司
发明人：池田光司 , 西岡正雄 , 加藤尚孝
IPC分类号： C04B
CPC分类号： C04B41/5059 , C23C16/0236 , C23C16/325 , C23C16/4581 , Y10T428/1414 , Y10T428/1443
摘要： [課題]提供一全新且具有高導電性的表面改質層，其形成在由絕緣性陶瓷製成的基材表面上。[解決方法]陶瓷元件具有由絕緣性陶瓷製成的基材和設置於此基材上的表面改質層。表面改質層具有導電性，且含有作為主成份的碳原子，且含有矽原子及構成絕緣性陶瓷之一種以上的金屬元素。陶瓷元件的表面電阻在10Ω‧ cm以下，且表面改質層由碳源氣體、矽源氣體以及包含金屬元素的腐蝕生成物的反應物製成是較佳地，其中腐蝕生成物是由絕緣性陶瓷與鹵系氣體接觸而產生。表面改質層由碳化矽多結晶構成，且在碳化矽多結晶的結晶格子中之矽原子中，部分由鋁置換為最佳。
简体摘要： [课题]提供一全新且具有高导电性的表面改质层，其形成在由绝缘性陶瓷制成的基材表面上。[解决方法]陶瓷组件具有由绝缘性陶瓷制成的基材和设置于此基材上的表面改质层。表面改质层具有导电性，且含有作为主成份的碳原子，且含有硅原子及构成绝缘性陶瓷之一种以上的金属元素。陶瓷组件的表面电阻在10Ω‧ cm以下，且表面改质层由碳源气体、硅源气体以及包含金属元素的腐蚀生成物的反应物制成是较佳地，其中腐蚀生成物是由绝缘性陶瓷与卤系气体接触而产生。表面改质层由碳化硅多结晶构成，且在碳化硅多结晶的结晶格子中之硅原子中，部分由铝置换为最佳。

4. 发明专利

TW446997B 抗氯系氣體之耐蝕性元件失效
简体标题：抗氯系气体之耐蚀性组件
公开(公告)号：TW446997B
公开(公告)日：2001-07-21
申请号：TW088115199
申请日：1999-09-03
申请人：日本子股份有限公司
发明人：西岡正雄 , 加藤尚孝
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67103 , C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C04B2111/20 , C23C16/325 , C23C16/4581 , H05B3/148 , Y10S428/938 , C04B41/4531 , C04B35/581
摘要： [課題]提供一耐蝕性元件，在600℃以上的溫度時對氯系氣體有高耐蝕性，特別是當暴露在600℃的氯系氣體和低溫的溫度效果的循環反覆操作時，該耐蝕性元件的表面不會有劣化和剝離的產生。「解決手段]暴露在600℃以上的溫度對氯系氣體之耐蝕性元件l，備有氮化鋁所構成的燒結體6與燒結體6的表面所覆蓋的以化學氣相沈積法形成的碳化矽膜5。較佳的耐蝕性元件為，將被加熱物加熱至600℃以上的溫度之加熱器，且在基體2中埋設有抵抗發熱體4。
简体摘要： [课题]提供一耐蚀性组件，在600℃以上的温度时对氯系气体有高耐蚀性，特别是当暴露在600℃的氯系气体和低温的温度效果的循环反复操作时，该耐蚀性组件的表面不会有劣化和剥离的产生。“解决手段]暴露在600℃以上的温度对氯系气体之耐蚀性组件l，备有氮化铝所构成的烧结体6与烧结体6的表面所覆盖的以化学气相沉积法形成的碳化硅膜5。较佳的耐蚀性组件为，将被加热物加热至600℃以上的温度之加热器，且在基体2中埋设有抵抗发热体4。

5. 发明专利

TW178676B 光纖內置式複合?子失效
简体标题：光纤内置式复合?子
公开(公告)号：TW178676B
公开(公告)日：1992-02-11
申请号：TW080102239
申请日：1991-03-22
申请人：日本?子股份有限公司
发明人：池田光司 , 西岡正雄 , 野崎政行
IPC分类号： G02B , H02G , H01B
摘要：一種性能優越之光纖內置式複合子，該複合子可降低於生產操作和處理操作中的損壞率；降低於起始時間和於所需之溫度變化範圍內之光信號傳輸性損失；以及降低於熱衝擊測試後之故障率。本發明之該光纖內置式複合子於中心軸部份有一個貫穿孔洞；一根光纖延伸穿過此貫穿孔洞；以及安置於該貫穿孔洞兩末端部份用來封閉該貫穿孔洞中之該光纖之無機玻璃；組成之諸保護管，其中每一個保護管之內孔徑實質上等於該光纖被層部份之外部直徑，以使該光纖被層部份能穿過安排於貫穿孔洞中之各保護管，該貫穿孔洞中安排之保護管使部份之光纖被層部份和部份之光纖被層剝除部份位於各保護管中，以使位於該貫穿孔洞兩端部之該光織之該被層部份和該被層剝除部份受到保護。
简体摘要：一种性能优越之光纤内置式复合子，该复合子可降低于生产操作和处理操作中的损坏率；降低于起始时间和于所需之温度变化范围内之光信号传输性损失；以及降低于热冲击测试后之故障率。本发明之该光纤内置式复合子于中心轴部份有一个贯穿孔洞；一根光纤延伸穿过此贯穿孔洞；以及安置于该贯穿孔洞两末端部份用来封闭该贯穿孔洞中之该光纤之无机玻璃；组成之诸保护管，其中每一个保护管之内孔径实质上等于该光纤被层部份之外部直径，以使该光纤被层部份能穿过安排于贯穿孔洞中之各保护管，该贯穿孔洞中安排之保护管使部份之光纤被层部份和部份之光纤被层剥除部份位于各保护管中，以使位于该贯穿孔洞两端部之该光织之该被层部份和该被层剥除部份受到保护。

6. 发明专利

TW477782B 構造體及其製造方法失效
简体标题：构造体及其制造方法
公开(公告)号：TW477782B
公开(公告)日：2002-03-01
申请号：TW088111075
申请日：1999-06-30
申请人：日本子股份有限公司
发明人：西岡正雄 , 加藤尚孝
IPC分类号： C04B
CPC分类号： H01L21/67103 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/89 , Y10T428/265 , C04B41/4531 , C04B41/4556 , C04B41/5066 , C04B41/5059 , C04B35/581
摘要：在碳化矽膜形成於氮化鋁燒結體表面之耐腐蝕性構件中，碳化矽膜與燒結體的接合狀態良好，因而對此耐腐蝕性構件施加熱循環時，不容易產生碳化矽膜剝離的現象。耐腐蝕性構件，包括有氮化鋁燒結體、在燒結體的表面上所形成的碳化矽膜及在燒結體與碳化矽膜之間所生成的中間層，而中間層主要由氮化矽所構成。在中間層中以含有5重量%以下的碳及5重量%以下的鋁較佳，而中間層的厚度在0.2μm以上。
简体摘要：在碳化硅膜形成于氮化铝烧结体表面之耐腐蚀性构件中，碳化硅膜与烧结体的接合状态良好，因而对此耐腐蚀性构件施加热循环时，不容易产生碳化硅膜剥离的现象。耐腐蚀性构件，包括有氮化铝烧结体、在烧结体的表面上所形成的碳化硅膜及在烧结体与碳化硅膜之间所生成的中间层，而中间层主要由氮化硅所构成。在中间层中以含有5重量%以下的碳及5重量%以下的铝较佳，而中间层的厚度在0.2μm以上。

7. 发明专利

TW428056B 不透光性高純度碳化矽材料、半導體處理裝置用遮光材料及半導體處理裝置失效
简体标题：不透光性高纯度碳化硅材料、半导体处理设备用遮光材料及半导体处理设备
公开(公告)号：TW428056B
公开(公告)日：2001-04-01
申请号：TW088115198
申请日：1999-09-03
申请人：日本子股份有限公司
发明人：西岡正雄 , 加藤尚孝
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C23C16/01 , C04B35/565 , C23C16/325 , C23C16/4418 , C30B31/10
摘要：本發明的目的在於，提供高純度、且對於紅外以及近紅外線區域波長光之透光率低的碳化矽材料。
提供碳化矽多結晶為主成份的碳化矽材料或是，以碳化矽多結晶與游離碳為主成份的碳化矽材料。碳化矽材料的孔隙率為0.l%以下，且上述碳化矽材料含有的金屬元素分別為200ppb以下，並且相對於上述碳化矽材料的所有重量之矽的重量比率為69.00~69.90重量%，再者在波長0.4~25μm區域的透光率為，每0.5mm的厚度0.05%以下。
简体摘要：本发明的目的在于，提供高纯度、且对于红外以及近红外线区域波长光之透光率低的碳化硅材料。提供碳化硅多结晶为主成份的碳化硅材料或是，以碳化硅多结晶与游离碳为主成份的碳化硅材料。碳化硅材料的孔隙率为0.l%以下，且上述碳化硅材料含有的金属元素分别为200ppb以下，并且相对于上述碳化硅材料的所有重量之硅的重量比率为69.00~69.90重量%，再者在波长0.4~25μm区域的透光率为，每0.5mm的厚度0.05%以下。

8. 发明专利

TW382742B 氣密元件及其製造方法失效
简体标题：气密组件及其制造方法
公开(公告)号：TW382742B
公开(公告)日：2000-02-21
申请号：TW087102930
申请日：1998-02-27
申请人：日本子股份有限公司
发明人：西岡正雄 , 相原靖文 , 渡邊敬一郎
IPC分类号： H01L , C04B
CPC分类号： C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/89 , C04B2111/00275 , C04B2111/00844 , C23C16/325 , C23C16/56 , Y10T428/12007 , Y10T428/249969 , C04B41/4531 , C04B41/4582 , C04B41/5059 , C04B41/4523 , C04B41/5096 , C04B41/4572 , C04B35/565
摘要：本發明提供一種氣密元件，其包括以碳化矽為主成份的一燒結體，以及以化學氣相沈積法被覆於該燒結體之表面上的一碳化矽被膜，其氣密性及耐蝕性高，當施以熱衝擊或熱循環時，可保持氣密性。
氣密元件包括燒結體17，以及以化學氣相沈積法被覆於燒結體17之表面的碳化矽被膜18。其方法為在碳化矽被膜18上生成龜裂13，使金屬矽20與碳化矽被膜18接觸，將金屬矽20加熱至熔點以上以使金屬矽充填於龜裂18內。
简体摘要：本发明提供一种气密组件，其包括以碳化硅为主成份的一烧结体，以及以化学气相沉积法被覆于该烧结体之表面上的一碳化硅被膜，其气密性及耐蚀性高，当施以热冲击或热循环时，可保持气密性。气密组件包括烧结体17，以及以化学气相沉积法被覆于烧结体17之表面的碳化硅被膜18。其方法为在碳化硅被膜18上生成龟裂13，使金属硅20与碳化硅被膜18接触，将金属硅20加热至熔点以上以使金属硅充填于龟裂18内。

9. 发明专利

TW238359B 製造一內含光纖型複合絕緣體之方法失效
简体标题：制造一内含光纤型复合绝缘体之方法
公开(公告)号：TW238359B
公开(公告)日：1995-01-11
申请号：TW080109566
申请日：1991-03-15
申请人：日本?子股份有限公司
发明人：池田光司 , 西岡正雄 , 野崎政行
IPC分类号： G02B , H02G
CPC分类号： G02B6/442
摘要：一種內含光纖型複合絕緣體的製造方法，係具有將光纖穿過陶製子中心軸穿孔之步驟；用無機玻璃將穿過有光纖之穿孔兩端予以填封形成填封部份之步驟，其特徵在該方法包括：於陶製子穿孔兩端的周圍環繞形成己陷部份；將熱產生元件置於此凹陷部份中；加熱並融熔無機玻璃使在穿孔兩端形成填封部份。
简体摘要：一种内含光纤型复合绝缘体的制造方法，系具有将光纤穿过陶制子中心轴穿孔之步骤；用无机玻璃将穿过有光纤之穿孔两端予以填封形成填封部份之步骤，其特征在该方法包括：于陶制子穿孔两端的周围环绕形成己陷部份；将热产生组件置于此凹陷部份中；加热并融熔无机玻璃使在穿孔两端形成填封部份。

10. 发明专利

TW178678B 光纖複合?子失效
简体标题：光纤复合?子
公开(公告)号：TW178678B
公开(公告)日：1992-02-11
申请号：TW080102065
申请日：1991-03-15
申请人：日本?子股份有限公司
发明人：池田光司 , 西岡正雄 , 野崎政行
IPC分类号： G02B , H02G
摘要：一種品質極佳之內置式光纖複合子，此子於穿過光纖之子中心軸穿孔兩端之光纖封固部份，是以非常快速、簡單且經濟有效，可減少填封所需之構件、裝置及產製步驟之填封方法來完成填封，此填封部份有極佳之可靠性之耐久性。此複合子包括一穿孔穿過中心軸之陶製子本體；至少有一根光纖穿過此穿孔；及用無機玻璃將窄孔兩端光纖封固之填封部份；其特徵在該子包括：環繞於陶製子兩端穿孔周圍之凹陷部份；置於此凹陷部份中加熱並融熔非有機玻璃使在穿孔兩端形成填封部份之熱產生元件。
简体摘要：一种品质极佳之内置式光纤复合子，此子于穿过光纤之子中心轴穿孔两端之光纤封固部份，是以非常快速、简单且经济有效，可减少填封所需之构件、设备及产制步骤之填封方法来完成填封，此填封部份有极佳之可靠性之耐久性。此复合子包括一穿孔穿过中心轴之陶制子本体；至少有一根光纤穿过此穿孔；及用无机玻璃将窄孔两端光纤封固之填封部份；其特征在该子包括：环绕于陶制子两端穿孔周围之凹陷部份；置于此凹陷部份中加热并融熔非有机玻璃使在穿孔两端形成填封部份之热产生组件。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式