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1. 发明专利

TWI560136B 奈米碳管陣列的轉移方法及奈米碳管結構的製備方法有权
简体标题：奈米碳管数组的转移方法及奈米碳管结构的制备方法
公开(公告)号：TWI560136B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW103121998
申请日：2014-06-25
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：魏洋 , WEI, YANG , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00
CPC分类号： B32B37/025 , C01B32/168 , C23C16/01 , C23C16/26

2. 发明专利

TW201520164A 一種奈米級微結構的製備方法审中-公开
简体标题：一种奈米级微结构的制备方法
公开(公告)号：TW201520164A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW102144845
申请日：2013-12-06
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：金元浩 , JIN, YUAN-HAO , 李群慶 , LI, QUN-QING , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B31/02
CPC分类号： C23C14/0605 , C23C14/0005 , C23C14/5806 , C23C14/5873 , C23C16/01 , C23C16/56 , H01L33/42 , H01L2933/0091
摘要：本發明涉及一種奈米級微結構的製備方法，其包括：提供一奈米碳管結構；將所述奈米碳管結構懸空設置，並在奈米碳管結構的表面設置一預製層，使每個奈米碳管表面的預製層厚度為2奈米~10奈米，得到一奈米碳管複合結構；將所述奈米碳管複合結構轉移至一基板表面，並通過一溶劑對所述奈米碳管複合結構處理使所述奈米碳管複合結構貼附在所述基板的表面；將處理後的奈米碳管複合結構在500攝氏度~700攝氏度下在空氣中進行退火，去除所述奈米碳管結構，所述預製層在該溫度下變為熔融態，熔融態的預製層經過收縮形成複數相互間隔的顆粒狀微結構。
简体摘要：本发明涉及一种奈米级微结构的制备方法，其包括：提供一奈米碳管结构；将所述奈米碳管结构悬空设置，并在奈米碳管结构的表面设置一预制层，使每个奈米碳管表面的预制层厚度为2奈米~10奈米，得到一奈米碳管复合结构；将所述奈米碳管复合结构转移至一基板表面，并通过一溶剂对所述奈米碳管复合结构处理使所述奈米碳管复合结构贴附在所述基板的表面；将处理后的奈米碳管复合结构在500摄氏度~700摄氏度下在空气中进行退火，去除所述奈米碳管结构，所述预制层在该温度下变为熔融态，熔融态的预制层经过收缩形成复数相互间隔的颗粒状微结构。

3. 发明专利

TW200710292A 用於半導體裝置之多層基底的製造方法及半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING MULTILAYERED SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：用于半导体设备之多层基底的制造方法及半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING MULTILAYERED SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200710292A
公开(公告)日：2007-03-16
申请号：TW094147623
申请日：2005-12-30
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 KOBE STEEL, LTD.
发明人：橘武史 TACHIBANA, TAKESHI , 林和志 HAYASHI, KAZUSHI , 橫田嘉宏 YOKOTA, YOSHIHIRO , 小橋宏司 KOBASHI, KOJI , 古保里隆 KOBORI, TAKASHI
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： H01L21/022 , C23C16/01 , C23C16/274 , C23C16/278 , C23C16/56 , H01L21/02115 , H01L21/02123 , H01L21/0405 , H01L21/3146 , H01L21/76256 , H01L2221/68363
摘要：在此提供一種用於半導體裝置之多層基底的製造方法以及半導體裝置,該多層基底具有一極佳的熱傳導特性及一極佳的散熱效果而不會發生翹曲及變形。一鑽石層藉由一CVD方法經由蒸汽相沉積而被形成在一第一矽基底之一主要表面。一二氧化矽層被形成在此鑽石層上。一二氧化矽層藉由一熱氧化方法而被形成在一第二矽基底之一表面上。該鑽石層被結合至該第二矽基底且以被配置在該鑽石層及該第二矽基底兩者上的二氧化矽層介於其間。該第一矽基底係藉由通過蝕刻溶解而移除,以曝露該鑽石層之表面。一作為一半導體層之矽層藉由一CVD方法而被形成在該鑽石層上。
简体摘要：在此提供一种用于半导体设备之多层基底的制造方法以及半导体设备,该多层基底具有一极佳的热传导特性及一极佳的散热效果而不会发生翘曲及变形。一钻石层借由一CVD方法经由蒸汽相沉积而被形成在一第一硅基底之一主要表面。一二氧化硅层被形成在此钻石层上。一二氧化硅层借由一热氧化方法而被形成在一第二硅基底之一表面上。该钻石层被结合至该第二硅基底且以被配置在该钻石层及该第二硅基底两者上的二氧化硅层介于其间。该第一硅基底系借由通过蚀刻溶解而移除,以曝露该钻石层之表面。一作为一半导体层之硅层借由一CVD方法而被形成在该钻石层上。

4. 发明专利

TW593159B 片狀銀粉的製作方法失效
简体标题：片状银粉的制作方法
公开(公告)号：TW593159B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW092120301
申请日：2003-07-25
申请人：遠東技術學院 FAR EAST COLLEGE
发明人：王振興 WANG, JENN SHING
IPC分类号： C01G
CPC分类号： B22F1/0055 , B22F1/0007 , B22F9/16 , B22F2998/00 , C23C4/185 , C23C14/0005 , C23C16/01 , C23C18/1657 , C23C18/44 , C25D3/46
摘要：本發明係為一種片狀銀粉的製作方法，其係利用鍍膜具有均一厚度特性，選擇使用容易被移除和破壞的材料當基板，先在基板上鍍有一層銀金屬層，續將此試件粉碎和移除基板，或先移除基板材料再粉碎，其所剩即為片狀銀粉，而可供得到厚度相當均一的粉體，一般在堆積過程中，片狀之間除點接觸外，有相當多的堆積是面與面逐層堆疊，因為面接觸較點接觸具有更大流通管道，聲子和電子較易由此面接觸通過，使熱阻和電阻大為降低，有利於使用其特定方向之優越的熱傳和導電特性。五、(一)、本案代表圖為：第╴╴╴╴╴╴╴╴圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：
简体摘要：本发明系为一种片状银粉的制作方法，其系利用镀膜具有均一厚度特性，选择使用容易被移除和破坏的材料当基板，先在基板上镀有一层银金属层，续将此试件粉碎和移除基板，或先移除基板材料再粉碎，其所剩即为片状银粉，而可供得到厚度相当均一的粉体，一般在堆积过程中，片状之间除点接触外，有相当多的堆积是面与面逐层堆栈，因为面接触较点接触具有更大流通管道，声子和电子较易由此面接触通过，使热阻和电阻大为降低，有利于使用其特定方向之优越的热传和导电特性。五、(一)、本案代表图为：第╴╴╴╴╴╴╴╴图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明：

5. 发明专利

TW589290B SiC成形體及其製造方法有权
简体标题： SiC成形体及其制造方法
公开(公告)号：TW589290B
公开(公告)日：2004-06-01
申请号：TW088101578
申请日：1999-02-02
申请人：東海炭素股份有限公司 TOKAI CARBON CO., LTD. , 旭硝子股份有限公司 ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：宮田嗣生 , 黑柳聰浩
IPC分类号： C04B , C23C
CPC分类号： C04B35/565 , C23C16/01 , C23C16/325 , Y10S438/931
摘要：這是一具有低透光率之SiC成形體，可用於不同的熱阻組件，如均壓環、檔片(dummy wafer)、其他半導體製造設備中的組件以及該些組件之製造方法中。CVD-SiC成形體是藉著在一底材上利用CVD製程長成一覆膜，隨後將該底材移除來配製的。該成形體的特點是在其表面或主結構中存在著至少一具有不同晶粒特性的SiC層，以及在波長範圍300至2500nm間具有0.4%或更小的透光率、在波長範圍2500nm以上時具有2.5%或更小的透光率。前述SiC成形體之製造方法的特點是藉著改變CVD的反應條件，在其表面或主結構中形成至少一具有不同晶粒特性之SiC層。
简体摘要：这是一具有低透光率之SiC成形体，可用于不同的热阻组件，如均压环、档片(dummy wafer)、其他半导体制造设备中的组件以及该些组件之制造方法中。CVD-SiC成形体是借着在一底材上利用CVD制程长成一覆膜，随后将该底材移除来配制的。该成形体的特点是在其表面或主结构中存在着至少一具有不同晶粒特性的SiC层，以及在波长范围300至2500nm间具有0.4%或更小的透光率、在波长范围2500nm以上时具有2.5%或更小的透光率。前述SiC成形体之制造方法的特点是借着改变CVD的反应条件，在其表面或主结构中形成至少一具有不同晶粒特性之SiC层。

6. 发明专利

TWI607032B 聚對二甲苯的三維多孔性結構有权
简体标题：聚对二甲苯的三维多孔性结构
公开(公告)号：TWI607032B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106101650
申请日：2017-01-18
申请人：美樺興業股份有限公司 , MAY-HWA ENTERPRISE CORPORATION
发明人：陳賢燁 , CHEN, HSIEN-YEH , 童星穎 , TUNG, HSING-YING
IPC分类号： C08G61/02 , C08L65/00 , C08J9/00 , C23C16/455 , C23C16/56
CPC分类号： C08J9/26 , C08G61/025 , C08J2201/042 , C08J2365/04 , C23C16/01 , C23C16/30 , C23C16/44

7. 发明专利

TWI516446B 製造多晶矽的方法有权
简体标题：制造多晶硅的方法
公开(公告)号：TWI516446B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW103114536
申请日：2014-04-22
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：克斯卻麥可 , KERSCHER, MICHAEL , 派屈雷納 , PECH, REINER , 桑德納奧明 , SANDNER, ARMIN
IPC分类号： C01B33/035
CPC分类号： C23C16/01 , B02C23/08 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/56 , G01N29/09 , G01N2291/0234 , H01L31/028 , H01L31/03682

8. 发明专利

TW201527222A 增加硫化鋅硬度之方法审中-公开
简体标题：增加硫化锌硬度之方法
公开(公告)号：TW201527222A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103133459
申请日：2014-09-26
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人：果拉吉坦卓拉S , GOELA, JITENDRA S. , 王杭耀 , WANG, HANGYAO , 柏樺 , BAI, HUA , 皮可寧麥可A , PICKERING, MICHAEL A.
IPC分类号： C01G9/08 , C23C16/30 , C23C16/455 , G02B1/10 , G02B13/14
CPC分类号： C23C16/306 , C03C17/22 , C03C2217/288 , C03C2217/78 , C03C2218/152 , C09D1/00 , C23C16/01 , C23C16/305 , C23C16/44 , C23C16/46 , G02B1/10
摘要：藉由將特定範圍內之選擇性元素加至硫化鋅晶格中而增加該硫化鋅之硬度。該相較於傳統硫化鋅所增加的硬度並不實質減損該硫化鋅之光學特性。該硫化鋅可用作窗或穹頂之保護塗層。
简体摘要：借由将特定范围内之选择性元素加至硫化锌晶格中而增加该硫化锌之硬度。该相较于传统硫化锌所增加的硬度并不实质减损该硫化锌之光学特性。该硫化锌可用作窗或穹顶之保护涂层。

9. 发明专利

TW201441151A 製造多晶矽的方法审中-公开
简体标题：制造多晶硅的方法
公开(公告)号：TW201441151A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103114536
申请日：2014-04-22
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：克斯卻麥可 , KERSCHER, MICHAEL , 派屈雷納 , PECH, REINER , 桑德納奧明 , SANDNER, ARMIN
IPC分类号： C01B33/035
CPC分类号： C23C16/01 , B02C23/08 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/56 , G01N29/09 , G01N2291/0234 , H01L31/028 , H01L31/03682
摘要：一種製造多晶矽的方法，包括在存在於至少一反應器中的支撐體上沉積多晶矽以得到多晶矽棒，從該至少一反應器中卸載該等多晶矽棒，將卸載的多晶矽棒細碎成塊體，其中在從該至少一反應器卸載多晶矽棒後，並在將卸載的多晶矽棒細碎成塊體前，基於至少一特徵，將該棒狀的多晶矽分類成至少二品質類別，該至少二品質類別係被送至獨立的進一步加工步驟。
简体摘要：一种制造多晶硅的方法，包括在存在于至少一反应器中的支撑体上沉积多晶硅以得到多晶硅棒，从该至少一反应器中卸载该等多晶硅棒，将卸载的多晶硅棒细碎成块体，其中在从该至少一反应器卸载多晶硅棒后，并在将卸载的多晶硅棒细碎成块体前，基于至少一特征，将该棒状的多晶硅分类成至少二品质类别，该至少二品质类别系被送至独立的进一步加工步骤。

10. 发明专利

TW201230152A 矽薄膜之製造方法、矽薄膜太陽能電池之製造方法、矽薄膜、矽薄膜太陽能電池审中-公开
简体标题：硅薄膜之制造方法、硅薄膜太阳能电池之制造方法、硅薄膜、硅薄膜太阳能电池
公开(公告)号：TW201230152A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100131108
申请日：2011-08-30
申请人：秋山信之
发明人：秋山信之
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02639 , C23C16/01 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02647 , H01L31/1804 , H01L31/1892 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T428/24479
摘要：本發明係一種矽薄膜之製造方法,矽薄膜太陽能電池之製造方法,矽薄膜,矽薄膜太陽能電池,其課題為提供矽薄膜之製造方法,矽薄膜太陽能電池之製造方法,矽薄膜。解決手段為於矽基板(32)上,對於矽結晶(12)之原料氣體(28)而言,前述矽結晶(12)之成長則經由選擇性地形成非活性之非活性層(38)而形成前述矽基板(32)之露出面(34)與經由前述非活性層(38)之非活性面(36),將前述原料氣體(28)之中在前述矽基板(32)之表面分解反應具有支配性之性質的原料氣體(28),供給至前述矽基板(32)而從前述露出面(34)成長前述矽結晶(12),前述矽結晶(12)則在被覆前述矽基板(32)之形態而製造矽薄膜(10)之方法。經由以0.001��m至1��m之範圍形成前述露出面(34)的寬度之時,在可從前述矽基板(32)剝離前述矽薄膜(10)之狀態而形成之構成為特徵。
简体摘要：本发明系一种硅薄膜之制造方法,硅薄膜太阳能电池之制造方法,硅薄膜,硅薄膜太阳能电池,其课题为提供硅薄膜之制造方法,硅薄膜太阳能电池之制造方法,硅薄膜。解决手段为于硅基板(32)上,对于硅结晶(12)之原料气体(28)而言,前述硅结晶(12)之成长则经由选择性地形成非活性之非活性层(38)而形成前述硅基板(32)之露出面(34)与经由前述非活性层(38)之非活性面(36),将前述原料气体(28)之中在前述硅基板(32)之表面分解反应具有支配性之性质的原料气体(28),供给至前述硅基板(32)而从前述露出面(34)成长前述硅结晶(12),前述硅结晶(12)则在被覆前述硅基板(32)之形态而制造硅薄膜(10)之方法。经由以0.001��m至1��m之范围形成前述露出面(34)的宽度之时,在可从前述硅基板(32)剥离前述硅薄膜(10)之状态而形成之构成为特征。

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