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1. 发明专利

TW202007647A 電極审中-公开
简体标题：电极
公开(公告)号：TW202007647A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108124034
申请日：2019-07-09
申请人：德商瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：克勞斯海因茲 , KRAUS, HEINZ , 菲萊皮歐特 , FILAR, PIOTR
IPC分类号： C01B33/035 , C23C16/24 , C25B11/12
摘要：本發明涉及一種電極，其包括支持器區段；基部區段，其具有容納該支持器區段的切口；以及視需要之至少一個中間區段，其佈置於該基部區段與該支持器區段之間，其中相鄰的區段具有相對界面，該等界面至少部分地彼此機械接觸並形成共同接觸區域，其特徵在於，為了減小接觸區域，該等界面中的至少一個具有至少一個凹陷及／或凸起。
简体摘要：本发明涉及一种电极，其包括支持器区段；基部区段，其具有容纳该支持器区段的切口；以及视需要之至少一个中间区段，其布置于该基部区段与该支持器区段之间，其中相邻的区段具有相对界面，该等界面至少部分地彼此机械接触并形成共同接触区域，其特征在于，为了减小接触区域，该等界面中的至少一个具有至少一个凹陷及／或凸起。

2. 发明专利

TW201841833A 矽析出用芯線、該芯線的製造方法、及多晶矽的製造方法审中-公开
简体标题：硅析出用芯线、该芯线的制造方法、及多晶硅的制造方法
公开(公告)号：TW201841833A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107105180
申请日：2018-02-13
申请人：日商德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：西川正芳 , NISHIKAWA, MASAYOSHI , 井上裕司 , INOUE, YUJI
IPC分类号： C01B33/035 , C23C16/24
摘要：提升多晶矽的生產效率。矽芯線11係由多晶矽的棒狀體而成，其特徵在於：前述多晶矽之間隙氧濃度為10ppma以上且40ppma以下；及在棒狀體長邊方向的側面中，觀察到結晶粒徑為1mm以上的結晶粒。
简体摘要：提升多晶硅的生产效率。硅芯线11系由多晶硅的棒状体而成，其特征在于：前述多晶硅之间隙氧浓度为10ppma以上且40ppma以下；及在棒状体长边方向的侧面中，观察到结晶粒径为1mm以上的结晶粒。

3. 发明专利

TWI560146B 生產多晶矽的方法有权
简体标题：生产多晶硅的方法
公开(公告)号：TWI560146B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104126233
申请日：2015-08-12
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：波普弗雷德里奇 , POPP, FRIEDRICH , 赫特連哈羅德 , HERTLEIN, HARALD
IPC分类号： C01B33/035
CPC分类号： C01B33/035 , C23C16/01 , C23C16/0227 , C23C16/24

4. 发明专利

TW201628973A 芯線保持器和矽的製造方法审中-公开
简体标题：芯线保持器和硅的制造方法
公开(公告)号：TW201628973A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104136361
申请日：2015-11-04
申请人：德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：石田晴之 , ISHIDA, HARUYUKI
IPC分类号： C01B33/035 , C30B29/06
CPC分类号： C01B33/035 , C23C16/24
摘要：本發明的芯材保持器3安裝在電極2上，該電極2布置在利用西門子法製造矽的矽製造裝置20之底座上，芯材保持器3具有近似圓錐台形的矽芯線保持部9，該矽芯線保持部9用來保持矽芯線4並對矽芯線4通電。在近似圓錐台形的矽芯線保持部9之上表面上形成有用來保持矽芯線4的矽芯線插入孔7，矽芯線保持部9具有倒角部8，該倒角部8是由該矽芯線保持部9之上表面和側面所構成的稜部形成為曲面狀而成的。
简体摘要：本发明的芯材保持器3安装在电极2上，该电极2布置在利用西门子法制造硅的硅制造设备20之底座上，芯材保持器3具有近似圆锥台形的硅芯线保持部9，该硅芯线保持部9用来保持硅芯线4并对硅芯线4通电。在近似圆锥台形的硅芯线保持部9之上表面上形成有用来保持硅芯线4的硅芯线插入孔7，硅芯线保持部9具有倒角部8，该倒角部8是由该硅芯线保持部9之上表面和侧面所构成的棱部形成为曲面状而成的。

5. 发明专利

TW201512091A 多晶矽的製備方法审中-公开
简体标题：多晶硅的制备方法
公开(公告)号：TW201512091A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103132613
申请日：2014-09-22
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：慕勒芭芭拉 , 海柯渥特 , 史托伊伯渥夫甘 , STOIBER, WOLFGANG
IPC分类号： C01B33/035
CPC分类号： C01B33/035
摘要：本發明係關於一種製備多晶矽的方法，包含：將包含有含矽組分和氫的反應氣體引入一反應器中，該反應器包括一底板、一固接在該底板上的反應器上部、以及至少一支撐體，該支撐體藉由直接通電而被加熱，多晶矽沉積在該支撐體上，以得到至少一多晶矽棒，其中在沉積結束之後，在卸裝該至少一多晶矽棒期間，圍繞該反應器側向放置一保護殼或一保護壁。
简体摘要：本发明系关于一种制备多晶硅的方法，包含：将包含有含硅组分和氢的反应气体引入一反应器中，该反应器包括一底板、一固接在该底板上的反应器上部、以及至少一支撑体，该支撑体借由直接通电而被加热，多晶硅沉积在该支撑体上，以得到至少一多晶硅棒，其中在沉积结束之后，在卸装该至少一多晶硅棒期间，围绕该反应器侧向放置一保护壳或一保护壁。

6. 发明专利

TWI687372B 芯線保持器和矽的製造方法有权
简体标题：芯线保持器和硅的制造方法
公开(公告)号：TWI687372B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW104136361
申请日：2015-11-04
申请人：日商德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：石田晴之 , ISHIDA, HARUYUKI
IPC分类号： C01B33/035 , C30B29/06

7. 发明专利

TWI579234B 生產顆粒狀多晶矽的方法有权
简体标题：生产颗粒状多晶硅的方法
公开(公告)号：TWI579234B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104100191
申请日：2015-01-06
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：霍斯威爾斯雷納 , HAUSWIRTH, RAINER , 安古堡羅伯特 , ENGGRUBER, ROBERT
IPC分类号： C01B33/035 , C30B28/14 , C30B29/06 , C30B29/60 , B01J8/18
CPC分类号： C01B33/03 , B01F5/247 , B05D1/22

8. 发明专利

TWI577828B 用於絕緣和密封化學氣相沉積反應器中的電極夾持器的設備有权
简体标题：用于绝缘和密封化学气相沉积反应器中的电极夹持器的设备
公开(公告)号：TWI577828B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW104137697
申请日：2015-11-16
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：克勞斯漢斯 , KRAUS, HEINZ , 庫札克里斯臣 , KUTZA, CHRISTIAN , 瑞許密德多明尼克 , RENNSCHMID, DOMINIK
IPC分类号： C23C16/46 , C23C16/24 , C30B28/14 , C30B29/06 , C01B33/035
CPC分类号： C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/4418 , C23C16/4581 , C23C16/46

9. 发明专利

TW201619055A 多晶矽棒對和製造多晶矽的方法审中-公开
简体标题：多晶硅棒对和制造多晶硅的方法
公开(公告)号：TW201619055A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104136954
申请日：2015-11-10
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：威茲瑪蒂斯 , VIETZ, MATTHIAS , 費爾柏史提芬 , FAERBER, STEFAN
IPC分类号： C01B33/035 , C30B29/06
CPC分类号： C01B33/035 , B65D33/16 , C01B33/037
摘要：本發明關於製備多晶矽的方法，所述方法包含：沉積多晶矽棒，從反應器卸除至少一多晶矽棒對，從至少一多晶矽棒對的至少兩個多晶矽棒的電極側端移除石墨殘留物，將至少兩個多晶矽棒粉碎成棒塊或碎塊，其中從反應器卸除至少一多晶矽棒對之前，所述方法包括用由厚度大於150微米的塑膠膜製成的塑膠袋至少部分地包覆至少一多晶矽棒對，其中所述塑膠袋在其開口處包含多個配重。本發明還關於多晶矽棒對，其棒直徑為190毫米或更大，且被塑膠袋包覆，所述塑膠袋由厚度大於150微米的塑膠膜製成。
简体摘要：本发明关于制备多晶硅的方法，所述方法包含：沉积多晶硅棒，从反应器卸除至少一多晶硅棒对，从至少一多晶硅棒对的至少两个多晶硅棒的电极侧端移除石墨残留物，将至少两个多晶硅棒粉碎成棒块或碎块，其中从反应器卸除至少一多晶硅棒对之前，所述方法包括用由厚度大于150微米的塑胶膜制成的塑胶袋至少部分地包覆至少一多晶硅棒对，其中所述塑胶袋在其开口处包含多个配重。本发明还关于多晶硅棒对，其棒直径为190毫米或更大，且被塑胶袋包覆，所述塑胶袋由厚度大于150微米的塑胶膜制成。

10. 发明专利

TWI505988B 沉積多晶矽的方法有权
简体标题：沉积多晶硅的方法
公开(公告)号：TWI505988B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW103100627
申请日：2014-01-08
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：慕勒芭芭拉 , 柯奇湯瑪士 , KOCH, THOMAS
IPC分类号： C01B33/035
CPC分类号： H01L21/02595 , C01B33/035 , H01L21/02532 , H01L21/0262

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