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21. 发明专利

TW201617299A 半導體製造裝置用零件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体制造设备用零件及其制造方法
公开(公告)号：TW201617299A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104131065
申请日：2015-09-21
申请人：日本特殊陶業股份有限公司 , NGK SPARK PLUG CO., LTD.
发明人：奈須孝有 , NASU, TANAKUNI , 丹羽倫規 , NIWA, TOMONORI , 岐部太一 , KIBE, TAICHI
IPC分类号： C04B35/64 , B23Q3/154 , H01L21/687
CPC分类号： G03F7/40 , B32B18/00 , B32B2457/14 , C04B37/021 , C04B37/028 , C04B2237/127 , C04B2237/343 , C04B2237/402 , C04B2237/62 , C04B2237/64 , C04B2237/66 , C04B2237/706 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , H01L21/68757
摘要：本發明提供一種可抑制發熱體之厚度或寬度的不均，且抑制設有發熱體之本體基板溫度不均的半導體製造裝置用零件及其製造方法。靜電夾盤(半導體製造裝置用零件)之製造方法具有：塗布步驟，係將屬發熱體材料之感光性金屬膏410塗布於成為本體基板的陶瓷生片110e上；曝光顯像步驟，係對塗布於陶瓷生片110e上之感光性金屬膏410進行曝光及顯像，而將成為發熱體之中間發熱體410a形成於陶瓷生片110e上；以及燒成步驟，係同時燒成陶瓷生片110e及中間發熱體410a，而形成本體基板及發熱體。
简体摘要：本发明提供一种可抑制发热体之厚度或宽度的不均，且抑制设有发热体之本体基板温度不均的半导体制造设备用零件及其制造方法。静电夹盘(半导体制造设备用零件)之制造方法具有：涂布步骤，系将属发热体材料之感光性金属膏410涂布于成为本体基板的陶瓷生片110e上；曝光显像步骤，系对涂布于陶瓷生片110e上之感光性金属膏410进行曝光及显像，而将成为发热体之中间发热体410a形成于陶瓷生片110e上；以及烧成步骤，系同时烧成陶瓷生片110e及中间发热体410a，而形成本体基板及发热体。

22. 发明专利

TW201610063A 暫時貼合用接著劑、接著劑層、晶圓加工物及使用其之半導體裝置之製造方法、再處理溶劑、聚醯亞胺共聚物、聚醯亞胺混合樹脂、及樹脂組成物审中-公开
简体标题：暂时贴合用接着剂、接着剂层、晶圆加工物及使用其之半导体设备之制造方法、再处理溶剂、聚酰亚胺共聚物、聚酰亚胺混合树脂、及树脂组成物
公开(公告)号：TW201610063A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104125528
申请日：2015-08-06
申请人：東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人：有本真治 , ARIMOTO, SHINJI , 藤原健典 , FUJIWARA, TAKENORI , 富川真佐夫 , TOMIKAWA, MASAO
IPC分类号： C09J179/08 , C09J183/04 , H01L21/50 , H01L21/683 , C08G73/10 , C08G77/54
CPC分类号： H01L21/6835 , B32B7/12 , B32B43/006 , B32B2457/14 , C08G73/10 , C08K5/544 , C08L79/08 , C08L83/04 , C09J5/00 , C09J7/00 , C09J11/06 , C09J179/08 , C09J183/04 , C09J183/14 , C09J2203/10 , C09J2205/302 , C09J2400/10 , C09J2483/00 , C11D7/50 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , H01L21/02 , H01L21/0206 , H01L21/304 , H01L21/76898 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , Y02P20/582
摘要：本發明提供耐熱性優異，以1種類的接著劑層可接著半導體電路形成基板與支撐基板，即使通過半導體裝置等的製造步驟，接著力也無變化，其後在室溫下於溫和的條件下可剝離之暫時貼合用接著劑、與使用其之半導體裝置之製造方法。本發明係一種暫時貼合用接著劑，其特徵為：其係聚醯亞胺共聚物，其至少具有酸二酐殘基與二胺殘基，且於二胺殘基中包含(A1)通式(1)所示的n為1以上15以下之自然數的聚矽氧烷系二胺之殘基及(B1)通式(1)所示的n為16以上100以下之自然數的聚矽氧烷系二胺之殘基兩者；該聚醯亞胺共聚物含有40~99.99莫耳%的(A1)之殘基且含有0.01~60莫耳%的(B1)之殘基。
简体摘要：本发明提供耐热性优异，以1种类的接着剂层可接着半导体电路形成基板与支撑基板，即使通过半导体设备等的制造步骤，接着力也无变化，其后在室温下于温和的条件下可剥离之暂时贴合用接着剂、与使用其之半导体设备之制造方法。本发明系一种暂时贴合用接着剂，其特征为：其系聚酰亚胺共聚物，其至少具有酸二酐残基与二胺残基，且于二胺残基中包含(A1)通式(1)所示的n为1以上15以下之自然数的聚硅氧烷系二胺之残基及(B1)通式(1)所示的n为16以上100以下之自然数的聚硅氧烷系二胺之残基两者；该聚酰亚胺共聚物含有40~99.99莫耳%的(A1)之残基且含有0.01~60莫耳%的(B1)之残基。

23. 发明专利

TW201604227A 含溶劑之乾膜及其用途审中-公开
简体标题：含溶剂之干膜及其用途
公开(公告)号：TW201604227A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW103124858
申请日：2014-07-18
申请人：長興材料工業股份有限公司 , ETERNAL MATERIALS CO., LTD.
发明人：吳仲仁 , WU, CHUNG JEN , 周孟彥 , CHOU, MENG YEN , 石一中 , SHIH, YI CHUNG , 陳孟佐 , CHEN, MENG TSO , 安治民 , AN, CHIH MING , 何長鴻 , HO, CHANG HONG , 葉時傑 , YEH, SHIH CHIEH , 蔣舜人 , CHIANG, SHUN JEN , 黃勃喻 , HUANG, PO BU , 呂淑婉 , LU, SHU WAN
IPC分类号： C08J5/18 , B32B27/24 , B32B27/34 , B32B33/00 , B32B37/10 , B32B38/00
CPC分类号： C08J7/047 , B32B37/003 , B32B37/203 , B32B2457/14 , B32B2457/20 , C08J2367/02 , C08J2479/08
摘要：本發明係關於一種含溶劑之乾膜，包含基材和樹脂層，其中該樹脂層包含樹脂組合物和溶劑，且該溶劑總含量以該樹脂層總重量計為至少5wt%。本發明亦關於一種形成乾膜之方法及於基板上施加乾膜之方法。本發明之乾膜可在毋須使用先前技術之真空壓膜設備施加於基板上，其製程簡單，相較於先前技術更為符合成本效益。
简体摘要：本发明系关于一种含溶剂之干膜，包含基材和树脂层，其中该树脂层包含树脂组合物和溶剂，且该溶剂总含量以该树脂层总重量计为至少5wt%。本发明亦关于一种形成干膜之方法及于基板上施加干膜之方法。本发明之干膜可在毋须使用先前技术之真空压膜设备施加于基板上，其制程简单，相较于先前技术更为符合成本效益。

24. 发明专利

TW201545848A 半導體元件安裝用封裝件之製造方法及脫模膜审中-公开
简体标题：半导体组件安装用封装件之制造方法及脱模膜
公开(公告)号：TW201545848A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104107348
申请日：2015-03-06
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：笠井涉 , KASAI, WATARU
IPC分类号： B29C33/68 , B29C45/14 , B32B27/00 , H01L21/56 , H01L23/08
CPC分类号： B29C33/68 , B29C45/02 , B29C45/1418 , B29C45/14655 , B29C2045/025 , B29C2045/14663 , B29K2075/00 , B29K2627/18 , B29L2031/3481 , B32B3/30 , B32B7/06 , B32B25/08 , B32B27/08 , B32B27/283 , B32B27/302 , B32B27/32 , B32B27/322 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B37/12 , B32B2250/24 , B32B2307/54 , B32B2327/18 , B32B2375/00 , B32B2439/00 , B32B2457/00 , B32B2457/14 , H01L21/4803 , H01L21/565 , H01L21/566 , H01L23/057 , H01L27/14618 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種在使用模具來製造半導體元件安裝用封裝件時，不會產生基材之凹陷或損傷及自模具的脫模不良並可防止樹脂毛邊之製造方法及適合使用於該製造方法的脫模膜，其中該半導體元件安裝用封裝件具備一基材及封裝件本體，該基材具有用以裝設半導體元件之安裝面，該封裝件本體則由硬化性樹脂形成且包含一包圍前述安裝面之框狀部，並且該半導體元件安裝用封裝件藉由安裝面與封裝件本體而形成有凹部。將厚度在整體上略呈一定的脫模膜配置於上模且將基材配置於下模後，將前述上模與前述下模閉合，而使前述凸部與前述基材之前述安裝面隔著前述脫模膜密接，其中該上模具有與半導體元件安裝用封裝件之凹部相對應之形狀之凸部；且將硬化性樹脂填滿前述上模與前述下模間所形成的空間內並使其硬化，使該硬化物與基材一起從模具脫模。
简体摘要：本发明提供一种在使用模具来制造半导体组件安装用封装件时，不会产生基材之凹陷或损伤及自模具的脱模不良并可防止树脂毛边之制造方法及适合使用于该制造方法的脱模膜，其中该半导体组件安装用封装件具备一基材及封装件本体，该基材具有用以装设半导体组件之安装面，该封装件本体则由硬化性树脂形成且包含一包围前述安装面之框状部，并且该半导体组件安装用封装件借由安装面与封装件本体而形成有凹部。将厚度在整体上略呈一定的脱模膜配置于上模且将基材配置于下模后，将前述上模与前述下模闭合，而使前述凸部与前述基材之前述安装面隔着前述脱模膜密接，其中该上模具有与半导体组件安装用封装件之凹部相对应之形状之凸部；且将硬化性树脂填满前述上模与前述下模间所形成的空间内并使其硬化，使该硬化物与基材一起从模具脱模。

26. 发明专利

TW201543501A 異向性導電膜及其製造方法审中-公开
简体标题：异向性导电膜及其制造方法
公开(公告)号：TW201543501A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104104521
申请日：2015-02-11
申请人：迪睿合股份有限公司 , DEXERIALS CORPORATION
发明人：荒木雄太 , ARAKI, YUTA , 石松朋之 , ISHIMATSU, TOMOYUKI
IPC分类号： H01B1/20 , H05K3/32
CPC分类号： C09J7/00 , B32B27/06 , B32B27/08 , B32B27/18 , B32B27/20 , B32B2307/20 , B32B2307/202 , B32B2307/206 , B32B2307/706 , B32B2457/00 , B32B2457/14 , C08K7/00 , C08K2201/001 , C09J7/10 , C09J9/02 , C09J11/02 , C09J2201/134 , C09J2201/36 , C09J2201/602 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , C09J2471/00 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/13144 , H01L2224/16227 , H01L2224/2612 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27334 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/2929 , H01L2224/29295 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29357 , H01L2224/29364 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/294 , H01L2224/29455 , H01L2224/29464 , H01L2224/29499 , H01L2224/32227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81488 , H01L2224/81903 , H01L2224/83007 , H01L2224/83138 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83488 , H01L2224/83851 , H01L2224/83871 , H01L2924/07 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/0635 , H01L2924/066 , H01L2924/0665 , H01L2924/0675 , H01L2924/069 , H01L2924/07025 , H01L2924/061 , H01L2924/0549 , H01L2924/0543 , H01L2924/01049 , H01L2924/0544 , H01L2924/0105
摘要：異向性導電膜含有導電粒子與間隔件。間隔件排列於膜之寬度方向中央部。所謂膜之寬度方向中央部，係膜之全寬之20~80%。異向性導電膜之厚度方向之間隔件之高度大於5μm且小於75μm。此種異向性導電膜具有第1絕緣性接著層與第2絕緣性接著層之積層構造，於第1絕緣性接著層分散有導電粒子，於第1絕緣性接著層之第2絕緣性接著層側之表面規則地排列有間隔件。
简体摘要：异向性导电膜含有导电粒子与间隔件。间隔件排列于膜之宽度方向中央部。所谓膜之宽度方向中央部，系膜之全宽之20~80%。异向性导电膜之厚度方向之间隔件之高度大于5μm且小于75μm。此种异向性导电膜具有第1绝缘性接着层与第2绝缘性接着层之积层构造，于第1绝缘性接着层分散有导电粒子，于第1绝缘性接着层之第2绝缘性接着层侧之表面守则地排列有间隔件。

27. 发明专利

TW201532818A 切割片用基材薄膜、包括該基材薄膜之切割片以及該基材薄膜之製造方法审中-公开
简体标题：切割片用基材薄膜、包括该基材薄膜之切割片以及该基材薄膜之制造方法
公开(公告)号：TW201532818A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103139707
申请日：2014-11-17
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：中村潤一 , NAKAMURA, JUNICHI , 宮崎健太郎 , MIYAZAKI, KENTARO , 田矢直紀 , TAYA, NAOKI
IPC分类号： B32B27/30 , H01L21/304
CPC分类号： B32B27/08 , B29C47/065 , B29K2023/0633 , B29K2023/08 , B29K2105/0085 , B29L2007/008 , B32B7/02 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B25/08 , B32B27/30 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/325 , B32B27/36 , B32B2250/03 , B32B2250/24 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2270/00 , B32B2274/00 , B32B2307/51 , B32B2405/00 , B32B2457/14 , C09J7/29 , C09J2201/122 , C09J2201/162 , C09J2203/326 , C09J2400/226 , C09J2423/046 , C09J2433/006
摘要：本發明之切割片之基材薄膜(2)包括：切削片抑制層(A)；積層於上述切削片抑制層(A)之一側主面上的擴張層(B)，擴張層(B)具有多個樹脂系層狀體之積層結構，在多個樹脂系層狀體中配置於切削片抑制層(A)最近側之樹脂系層狀體(B1)將線性聚乙烯作為主樹脂，在多個樹脂系層狀體中樹脂系層狀體(B1)以外之至少一種即樹脂系層狀體(B2)將乙烯-(甲基)丙烯酸類共聚物作為主樹脂，切削片抑制層(A)含有：含環樹脂(a1)，其係具有芳香族系環及脂肪族系環之至少一種之熱塑性樹脂；非環烯烴系樹脂(a2)，其係含環樹脂(a1)以外之烯烴系熱塑性樹脂。該切割片之基材薄膜(2)，其擴張性及復原性良好。
简体摘要：本发明之切割片之基材薄膜(2)包括：切削片抑制层(A)；积层于上述切削片抑制层(A)之一侧主面上的扩张层(B)，扩张层(B)具有多个树脂系层状体之积层结构，在多个树脂系层状体中配置于切削片抑制层(A)最近侧之树脂系层状体(B1)将线性聚乙烯作为主树脂，在多个树脂系层状体中树脂系层状体(B1)以外之至少一种即树脂系层状体(B2)将乙烯-(甲基)丙烯酸类共聚物作为主树脂，切削片抑制层(A)含有：含环树脂(a1)，其系具有芳香族系环及脂肪族系环之至少一种之热塑性树脂；非环烯烃系树脂(a2)，其系含环树脂(a1)以外之烯烃系热塑性树脂。该切割片之基材薄膜(2)，其扩张性及复原性良好。

28. 发明专利

TW201532150A 舉離方法审中-公开
简体标题：举离方法
公开(公告)号：TW201532150A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103145492
申请日：2014-12-25
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：森數洋司 , MORIKAZU, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/48 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0095 , B32B37/00 , B32B38/10 , B32B43/006 , B32B2038/0044 , B32B2305/00 , B32B2323/00 , B32B2457/14 , H01L21/7806 , H01L31/186 , H01L31/1892 , Y02E10/50
摘要：本發明之課題在於提供一種可以在不使光元件的品質降低的情形下確實地將磊晶基板剝離的舉離方法。解決手段是將在磊晶基板的表面上透過緩衝層而積層有光元件層的光元件晶圓之光元件層移換至移設基板之舉離方法，其包含有：透過接合劑在光元件晶圓之光元件層的表面接合移設基板以形成複合基板之複合基板形成步驟、從複合基板的磊晶基板之背面側對緩衝層照射對磊晶基板具有穿透性且對緩衝層具有吸收性的波長之雷射光線，破壞緩衝層之緩衝層破壞步驟，以及將實施過緩衝層破壞步驟的複合基板的磊晶基板剝離，並將光元件層移設至移設基板之光元件層移設步驟，且光元件層移設步驟是將複合基板加熱並且冷卻，以在磊晶基板與接合有光元件層的移設基板之間產生熱變形來破壞緩衝層，而將磊晶基板剝離。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种可以在不使光组件的品质降低的情形下确实地将磊晶基板剥离的举离方法。解决手段是将在磊晶基板的表面上透过缓冲层而积层有光组件层的光组件晶圆之光组件层移换至移设基板之举离方法，其包含有：透过接合剂在光组件晶圆之光组件层的表面接合移设基板以形成复合基板之复合基板形成步骤、从复合基板的磊晶基板之背面侧对缓冲层照射对磊晶基板具有穿透性且对缓冲层具有吸收性的波长之激光光线，破坏缓冲层之缓冲层破坏步骤，以及将实施过缓冲层破坏步骤的复合基板的磊晶基板剥离，并将光组件层移设至移设基板之光组件层移设步骤，且光组件层移设步骤是将复合基板加热并且冷却，以在磊晶基板与接合有光组件层的移设基板之间产生热变形来破坏缓冲层，而将磊晶基板剥离。

30. 发明专利

TWI491701B 再剝離性黏著片有权
简体标题：再剥离性黏着片
公开(公告)号：TWI491701B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW099136199
申请日：2010-10-22
申请人：日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：土生剛志 , HABU, TAKASHI , 淺井文輝 , ASAI, FUMITERU , 新谷壽朗 , SHINTANI, TOSHIO , 佐佐木貴俊 , SASAKI, TAKATOSHI , 水野浩二 , MIZUNO, KOUJI
IPC分类号： C09J7/02 , H01L21/304
CPC分类号： B32B27/40 , B32B27/16 , B32B27/281 , B32B27/302 , B32B27/304 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B2307/308 , B32B2307/50 , B32B2307/51 , B32B2307/748 , B32B2405/00 , B32B2457/14 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , Y10T428/265 , Y10T428/28 , Y10T428/2891

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