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1. 发明专利

TW201532150A 舉離方法审中-公开
简体标题：举离方法
公开(公告)号：TW201532150A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103145492
申请日：2014-12-25
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：森數洋司 , MORIKAZU, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/48 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0095 , B32B37/00 , B32B38/10 , B32B43/006 , B32B2038/0044 , B32B2305/00 , B32B2323/00 , B32B2457/14 , H01L21/7806 , H01L31/186 , H01L31/1892 , Y02E10/50
摘要：本發明之課題在於提供一種可以在不使光元件的品質降低的情形下確實地將磊晶基板剝離的舉離方法。解決手段是將在磊晶基板的表面上透過緩衝層而積層有光元件層的光元件晶圓之光元件層移換至移設基板之舉離方法，其包含有：透過接合劑在光元件晶圓之光元件層的表面接合移設基板以形成複合基板之複合基板形成步驟、從複合基板的磊晶基板之背面側對緩衝層照射對磊晶基板具有穿透性且對緩衝層具有吸收性的波長之雷射光線，破壞緩衝層之緩衝層破壞步驟，以及將實施過緩衝層破壞步驟的複合基板的磊晶基板剝離，並將光元件層移設至移設基板之光元件層移設步驟，且光元件層移設步驟是將複合基板加熱並且冷卻，以在磊晶基板與接合有光元件層的移設基板之間產生熱變形來破壞緩衝層，而將磊晶基板剝離。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种可以在不使光组件的品质降低的情形下确实地将磊晶基板剥离的举离方法。解决手段是将在磊晶基板的表面上透过缓冲层而积层有光组件层的光组件晶圆之光组件层移换至移设基板之举离方法，其包含有：透过接合剂在光组件晶圆之光组件层的表面接合移设基板以形成复合基板之复合基板形成步骤、从复合基板的磊晶基板之背面侧对缓冲层照射对磊晶基板具有穿透性且对缓冲层具有吸收性的波长之激光光线，破坏缓冲层之缓冲层破坏步骤，以及将实施过缓冲层破坏步骤的复合基板的磊晶基板剥离，并将光组件层移设至移设基板之光组件层移设步骤，且光组件层移设步骤是将复合基板加热并且冷却，以在磊晶基板与接合有光组件层的移设基板之间产生热变形来破坏缓冲层，而将磊晶基板剥离。

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