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    • 1. 发明专利
    • 半導體裝置的製造方法
    • 半导体设备的制造方法
    • TW201804531A
    • 2018-02-01
    • TW106124844
    • 2017-07-25
    • 三井化學東賽璐股份有限公司MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
    • 栗原宏嘉KURIHARA, HIROYOSHI
    • H01L21/31H01L21/70
    • C09J11/02C09J199/00H01L21/304
    • 本發明的半導體裝置的製造方法至少包括以下的3個步驟。(A)準備包括具有電路形成面的半導體晶圓、貼合於所述半導體晶圓的所述電路形成面側的黏著性膜(100)的結構體的步驟。(B)對所述半導體晶圓的與所述電路形成面側為相反側的面進行背面研磨的步驟。(C)對黏著性膜(100)照射紫外線後從所述半導體晶圓上去除黏著性膜(100)的步驟。而且,作為黏著性膜(100),使用如下的黏著性膜,其依序包括基材層(10)、抗靜電層(30)、以及包含導電性添加劑的黏著性樹脂層(40),且黏著性樹脂層(40)以成為所述半導體晶圓的所述電路形成面側的方式使用。
    • 本发明的半导体设备的制造方法至少包括以下的3个步骤。(A)准备包括具有电路形成面的半导体晶圆、贴合于所述半导体晶圆的所述电路形成面侧的黏着性膜(100)的结构体的步骤。(B)对所述半导体晶圆的与所述电路形成面侧为相反侧的面进行背面研磨的步骤。(C)对黏着性膜(100)照射紫外线后从所述半导体晶圆上去除黏着性膜(100)的步骤。而且,作为黏着性膜(100),使用如下的黏着性膜,其依序包括基材层(10)、抗静电层(30)、以及包含导电性添加剂的黏着性树脂层(40),且黏着性树脂层(40)以成为所述半导体晶圆的所述电路形成面侧的方式使用。